Wyznaczanie temperatury struktury przyrządu półprzewodnikowego w warunkach przeciążeń i zwarć

• Autorzy: Zymmer K. , Domino A.

Warianty tytułu

EN

A convenient way of determining the temperature of a semiconductor structure of an power electronic devices

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The paper presents a convenient way of determining the temperature of a semiconductor structure of an power electronic devices obtained during simulation investigations of a thermal model of the device. A method of using this temperature for determining hazards of damage for diods and thyristors in conditions of overloads and short circuits, a nd for selection of short circuit protection.

PL

W artykule przedstawiono wygodny sposób wyznaczania temperatury struktury półprzewodnikowej przyrządów energoelektronicznych uzyskiwanej przez badania symulacyjne modelu cieplnego przyrządu. Opisano też sposób wykorzystania tej temperatury dla określania zagrożeń uszkodzeniem diod i tyrystorów w warunkach przeciążeń i zwarć oraz doboru zabezpieczeń przeciwzwarciowych.

Słowa kluczowe

EN

semiconductor power devices; short-circuit conditions; temperature

PL

przyrząd energoelektroniczny; stany zwarciowe; temperatura

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2013
• Tom: R. 89, nr 10
• Strony: 242--245
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., rys.

Twórcy

autor

Zymmer K.

• Instytut Elektrotechniki, Warszawa

autor

Domino A.

• Instytut Elektrotechniki, Warszawa

Bibliografia

• [1] Zymmer K.: Zagrożenia zwarciowe i przetężeniowe półprzewodnikowych przyrządów energoelektronicznych. Prace Instytutu Elektrotechniki nr 219, rok 2004.
• [2] Zymmer K. i współautorzy: Sprawozdanie z realizacji Projektu Badawczego KBN pt.: Zagadnienia cieplne przyrządów energoelektronicznych dużej mocy w aspekcie ich projektowania oraz doboru tych przyrządów do warunków przeciążeń i zwarć występujących w układach przekształtnikowych. Warszawa 2005 r.
• [3] Janke W.: Zjawiska termiczne w elementach i układach półprzewodnikowych. WNT, Warszawa, 1992 r.
• [4] Tunia H., Barlik R.: Teoria przekształtników. Wydawnictwo Politechniki Warszawskiej, Warszawa 1992 r.
• [5] PN-IEC 60747-6 Przyrządy półprzewodnikowe. Część 6: Tyrystory.
• [6] Materiały firmowe producentów przyrządów energoelektronicznych: Semicon, Int. Rectifier, Westcode.
• [7] Program symulacyjny TCAD 6.2, TCAD 7.0.
• [8] Napieralski A., Napieralska M.: New approach to Power semiconductor devices modeling, Journal of Telecomunications and Informations Technology, 1/2004, s.80-89,
• [9] Woźny J., Lisik Z.: An overview of algoritms mimicking the heat diffusion in solids with application to electronic devices. Microtherm 2005, Łódź 2005, materiały na płycie CD.
• [10] Górecki K., Zarębski J.: Estymacja parametrów modelu termicznego elementów półprzewodnikowych. Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji Nr 3, 2005 s.421