Potential application of the AlGaAs/GaAs heterostructure photodiodes for laser-plasma diagnostics

• Autorzy: Ryć L. , Riesz F.

Warianty tytułu

PL

Ocena możliwości zastosowania fotodiody z heterostrukturą AlGaAs/GaAs do diagnostyki plazmy laserowej

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The AlGaAs/GaAs heterostructure PIN photodiodes, grown by molecular beam epitaxy, are evaluated for the measurement of laser pulses and X-ray diagnostics of laser-induced plasmas. Excitation by the 820 nm laser pulses yields rise time of the detector less than 200 ps. The device is sensitive to 1.06 µm pulses from the Nd:YAG laser. Also α-particle spectra are measured and interpreted. The detector is able to operate at zero bias. Theoretical response to X-rays is calculated.

PL

W pracy oceniono możliwość zastosowania fotodiodowej, epitaksialnej struktury p-i-n AIGaAs/GaAs do pomiaru impulsów laserowych i impulsów promieniowania X z plazmy laserowej. Przeprowadzone zostały testy struktur próbnych za pomocą impulsów światła z diody laserowej (820 nm), z lasera Nd:YAG (1,06 µm) oraz z użyciem źródła cząstek α (241Am). Stwierdzono, że detektory mogą pracować z zerowym napięciem polaryzacji. Czas narastania impulsów wyjściowych wynosił mniej niż 200 ps. Dla pełnej oceny możliwości detekcyjnych wykonano obliczenia wydajności detektorów na promieniowanie X dla różnych wariantów struktury powierzchniowej.

Słowa kluczowe

EN

photodiodes; lasers; laser pulses; laser diode; detectors

PL

fotodiody; lasery; impulsy laserowe; diody laserowe; detektory

• Wydawca: Institute of Nuclear Chemistry and Technology
• Czasopismo: Nukleonika
• Rocznik: 1999
• Tom: Vol. 44, nr 4
• Strony: 647--655
• Opis fizyczny: Bibliogr., rys., wykr.

Twórcy

autor

Ryć L.

autor

Riesz F.

• Institute of Plasma Physics and Laser Microfusion, P.O. Box 49, 00-908 Warsaw, Poland