Laser induced diffusion in Ge/Sb-Si films

• Autorzy: Szyszko W.

Warianty tytułu

PL

Zjawisko dyfuzji w strukturach Ge/Sb-Si wygrzewanych związkami laserowymi

• Konferencja: Ion Implantation and Other Applications of Ions and Electrons-ION'98 / International Symposium (III ; 16-19.09.1998 ; Kazimierz Dolny, Poland)
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Melting and solidification of the Ge-Sb multilayer system evaporated onto Si induced by the UV pulsed laser beam are studied together with the diffusion mass transfer. The chemical composition, determined from the numerical simulation of the heat and mass transfer based on Finite Element Method, is compared to the experimental results. The interference effect of the laser beam was also included into the mathematical model of the laser beam interaction with the irradiated target.

PL

W pracy prezentowane są badania procesów zachodzących pod wpływem wiązek laserowych w cienkich, wielowarstwowych strukturach Ge/Sb napylanych na podłoże krzemowe. Redystrybucję oraz końcowy rozkład koncentracji składników tarczy, określany na podstawie symulacji komputerowych rozwiązując numerycznie równanie dyfuzji ciepła i transportu masy w naświetlanych obszarach, porównywano z wynikami doświadczalnymi. W programie komputerowym symulującym zjawiska zachodzące w tarczy pod wpływem zaabsorbowanej energii wiązki laserowej wykorzystano metodę Elementów Skończonych. W modelu matematycznym uwzględniono także zjawisko interferencji światła w cienkich warstwach.

Słowa kluczowe

EN

laser beams; layer structures; finite element method

PL

wiązki laserowe; struktury warstwowe; metoda elementów skończonych

• Wydawca: Institute of Nuclear Chemistry and Technology
• Czasopismo: Nukleonika
• Rocznik: 1999
• Tom: Vol. 44, nr 2
• Strony: 381--392
• Opis fizyczny: Bibliogr. 15 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Szyszko W.

• Institute of Physics, Maria Curie-Sklodowska University, Pl. M. Curie-Sklodowskiej 1, 20-031 Lublin, Poland