Simulation of the process of high dose ion implantation in solid targets

• Autorzy: Komarov A.F. , Komarov F.F. , Żukowski P. , Karwat C. , Shukan A.L.

Warianty tytułu

PL

Symulacje procesów implantacji ciał stałych dużymi dawkami jonów

• Konferencja: Ion Implantation and Other Applications of Ions and Electrons-ION'98 / International Symposium (III ; 16-19.09.1998 ; Kazimierz Dolny, Poland)
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The theoretical approach and physico-mathematical model for the process of the high dose ion implantation are developed. The model, involved, makes it possible to take into account a set of the following effects: scattering of the being implanted ions on the atoms introduced at the earlier stages; sputtering of the target surface by ion beams; as well as the target swelling with a valid account for influence of mobile boundary. The simulation of ion implantation processes into crystals was performed on the basis of Monte-Carlo method.

PL

Opracowano teoretyczną metodę i matematyczno-fizyczny model dla procesów implantacji dużymi dawkami. Ten model umożliwia uwzględnienie następujących efektów: rozpraszanie implantowanych jonów na wprowadzonych wcześniej atomach, rozpylanie powierzchni tarczy jak również puchnięcie tarczy z uwzględnieniem ruchomej powierzchni. Symulacje procesów implantacji jonowej do kryształów były prowadzone metodą Monte-Carlo.

Słowa kluczowe

EN

ion implantation; solids; Monte Carlo method

PL

implantacja jonów; ciało stałe; metoda Monte Carlo

• Wydawca: Institute of Nuclear Chemistry and Technology
• Czasopismo: Nukleonika
• Rocznik: 1999
• Tom: Vol. 44, nr 2
• Strony: 363--368
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., wykr.

Twórcy

autor

Komarov A.F.

autor

Komarov F.F.

autor

Żukowski P.

autor

Karwat C.

autor

Shukan A.L.

• Institute of Applied Physics Problems, 7 Kurchatov Str., Minsk, 220064, Belorussia