Modification of temperature dependence of manganin resistance using the ion implantation techniques

• Autorzy: Słowiński B. , Wilczyńska T. , Wiśniewski R.

Warianty tytułu

PL

Modyfikacja zależności temperaturowej rezystancji manganinu techniką implantacji jonów

• Konferencja: Ion Implantation and Other Applications of Ions and Electrons-ION'98 / International Symposium (II ; 16-19.06.1998 ; Kazimierz Dolny, Poland)
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The problem of the improvement of the resistance dependence on temperature of manganin pressure sensor is discussed. Using 46 MeV ⁴⁰Ar and 118 MeV ¹³⁶Xe ions with the fluences of 3x10¹³ and 2.5x10¹⁴ cm^-2, respectively, a clear shift of the characteristic temperature, at which the manganin resistance reaches its maximum value, toward lower values and a small increase of pressure sensitivity have been observed.

PL

Omówiono problem polepszenia zależności od temperatury rezystancji manganinu, który jest używany jako czujnik wysokich ciśnień. Zaobserwowano, że po napromieniowaniu manganinu jonami ⁴⁰Ar o energii 46 MeV (doza 3x10¹³ cm^-2) oraz jonami ¹³⁶Xe o energii 118 MeV (doza 2.5x10¹⁴ cm^-2) następuje wyraźne przesunięcie temperatury charakterystycznej, przy której rezystancja manganinu osiąga wartość maksymalną.

Słowa kluczowe

EN

ion implantation; manganin; manganin resistance

PL

implantacja jonów; manganin; rezystancja manganinu

• Wydawca: Institute of Nuclear Chemistry and Technology
• Czasopismo: Nukleonika
• Rocznik: 1999
• Tom: Vol. 44, nr 2
• Strony: 277--280
• Opis fizyczny: Bibliogr. 3 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Słowiński B.

autor

Wilczyńska T.

autor

Wiśniewski R.

• Institute of Physics, Warsaw University of Technology, 75 Koszykowa Str., 00-662 Warsaw, Poland Institute of Atomic Energy, 05-400 Swierk/Otwock, Poland