Formation of horizontal and vertical insulation in semiconductors by ion implantation

• Autorzy: Komarov F.F. , Kamyshan A.M. , Mironov A.M.

Warianty tytułu

PL

Wytwarzanie pionowych i równoległych do powierzchni warstw izolacyjnych w półprzewodnikach podczas implantacji

• Konferencja: Ion Implantation and Other Applications of Ions and Electrons-ION'98 / International Symposium (II ; 16-19.06.1998 ; Kazimierz Dolny, Poland)
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The processes of buried insulating layers formation in silicon with substoichiometric implantation of nitrogen ions and device insulation in III-V semiconductors are described in this paper. The device insulation in III-V semiconductors can be achieved as the result of modification of crystal properties around of the device structures by polyenergetic or high-energy ion implantation.

PL

W pracy opisany jest proces formowania podkładowych warstw izolacyjnych w krzemie na skutek substechiometrycznej implantacji jonów azotu oraz izolacji struktur w półprzewodnikach III-V. Izolację struktur półprzewodnikowych można wytworzyć w rezultacie modyfikacji własności krystalicznych ich otoczenia poprzez wysokoenergetyczną i zmienną w pewnym zakresie energii implantację jonową.

Słowa kluczowe

EN

semiconductors; ion implantation; insulating layers

PL

półprzewodniki; implantacja jonów; warstwy izolacyjne

• Wydawca: Institute of Nuclear Chemistry and Technology
• Czasopismo: Nukleonika
• Rocznik: 1999
• Tom: Vol. 44, nr 2
• Strony: 201--206
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Komarov F.F.

autor

Kamyshan A.M.

autor

Mironov A.M.

• Institute of Applied Physics Problems, 7 Kurchatova Str., 220064 Minsk, Belorussia,