Tytuł artykułu
Autorzy
Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
Wytwarzanie pionowych i równoległych do powierzchni warstw izolacyjnych w półprzewodnikach podczas implantacji
Konferencja
Ion Implantation and Other Applications of Ions and Electrons-ION'98 / International Symposium (II ; 16-19.06.1998 ; Kazimierz Dolny, Poland)
Języki publikacji
Abstrakty
The processes of buried insulating layers formation in silicon with substoichiometric implantation of nitrogen ions and device insulation in III-V semiconductors are described in this paper. The device insulation in III-V semiconductors can be achieved as the result of modification of crystal properties around of the device structures by polyenergetic or high-energy ion implantation.
W pracy opisany jest proces formowania podkładowych warstw izolacyjnych w krzemie na skutek substechiometrycznej implantacji jonów azotu oraz izolacji struktur w półprzewodnikach III-V. Izolację struktur półprzewodnikowych można wytworzyć w rezultacie modyfikacji własności krystalicznych ich otoczenia poprzez wysokoenergetyczną i zmienną w pewnym zakresie energii implantację jonową.
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
201--206
Opis fizyczny
Bibliogr. 5 poz., tab., wykr.
Twórcy
autor
autor
autor
- Institute of Applied Physics Problems, 7 Kurchatova Str., 220064 Minsk, Belorussia, kff@rfe.bsu.unibel.by
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-PWA9-0001-0023