Tytuł artykułu
Autorzy
Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
Oddziaływanie między dyslokacjami istniejącymi w krzemie i defektami wywołanymi wodorem wprowadzonym w trakcie obróbki plazmowej
Konferencja
Ion Implantation and Other Applications of Ions and Electrons-ION'98 / International Symposium (II ; 16-19.06.1998 ; Kazimierz Dolny, Poland)
Języki publikacji
Abstrakty
Structural changes in semiconductors caused by hydrogen plasma treatment are the subject of great interest due to passivation of defect levels in the band gap. On the other hand, the reactions between extended and hydrogen-induced defects in silicon are of significant interest for the development of new defect engineering concepts. The experimental results of the interaction among hydrogen-related defects and extended imperfections (dislocations) obtained by ion implantation and annealing are presented in this paper.
Zmiany strukturalne w półprzewodnikach spowodowane obróbką w plazmie wodorowej są przedmiotem dużego zainteresowania z powodu efektu pasywacji poziomów defektowych w przerwie energetycznej. Ponadto oddziaływania między defektami już istniejącymi w krzemie i defektami wywołanymi wodorem są ważne dla rozwoju nowych koncepcji inżynierskich uwzględniających defekty. W pracy przedstawiono wyniki badań doświadczalnych oddziaływania między defektami związanymi z wodorem i uszkodzeniami (dyslokacjami) spowodowanymi implantacją jonową i wygrzewaniem próbek.
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
175--180
Opis fizyczny
Bibliogr., 10 poz., rys.
Twórcy
autor
autor
autor
- Institute of Applied Physical Problems, Kurchatova 7, Minsk, Belorussia, milchanin@rfe.bsu.unibel.by
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-PWA9-0001-0019
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.