Sample rotation applied in the SIMS depth profile analysis of layered structures

• Autorzy: Konarski P.

Warianty tytułu

PL

Zastosowanie obrotu próbki w analizie profilowej SIMS struktur warstwowych

• Konferencja: Ion Implantation and Other Applications of Ions and Electrons-ION'98 / International Symposium (II ; 16-19.06.1998 ; Kazimierz Dolny, Poland)
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS) depth profile analysis has been performed on a 20 nm thick sandwich structure, composed of 10 layers of B₄C/Mo, each 2 nm thick, deposited on the silicon substrate. In order to reduce roughening effects, ion bombardment at the inclined angle and sample rotation have been applied. The comparison of the standard-stationary sample technique with the sample rotation technique is presented. The analyses were performed on the SAJW-02 analyser using 4 keV, 100 nA, Ar⁺and O₂⁺ ion beam.

PL

Przedstawiono wyniki analizy profilowej układu warstwowego, otrzymane metodą spektrometrii mas jonów wtórnych SIMS (ang. Secondary lon Mass Spectrometry). Badano strukturę warstwową o grubości całkowitej 20 nm, składającą się z dziesięciu warstw B₄C/Mo - każda o grubości 2 nm, naniesionych na podłoże krzemowe. W celu ograniczenia efektów zjawiska chropowacenia trawionej powierzchni, zastosowano bombardowanie jonowe pod kątem ostrym względem powierzchni oraz obrót trawionej próbki. Porównano wyniki uzyskane przy stosowaniu standardowej metody z nieruchomą próbką, z wynikami uzyskanymi przy stosowaniu techniki obracającej się próbki. Analizy wykonano na aparaturze SAJW-02 stosując wiązkę jonów Ar⁺ oraz O₂⁺ o energii 4 keV i natężeniu prądu jonowego 100 nA.

Słowa kluczowe

EN

mass spectrometry; secondary ion mass spectrometry; SIMS; layer structures

PL

spektrometria masowa; spektrometria masowa jonów wtórnych; SIMS; struktury warstwowe

• Wydawca: Institute of Nuclear Chemistry and Technology
• Czasopismo: Nukleonika
• Rocznik: 1999
• Tom: Vol. 44, nr 2
• Strony: 143--148
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Konarski P.

• Institute of Vacuum Technology, 44/50 Dluga Str., 00-241 Warsaw, Poland