Tytuł artykułu
Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
Zastosowanie narzędzi symulacyjnych do projektowania technologii fotodetektorów krzemowych o dużej powierzchni
Konferencja
Ion Implantation and Other Applications of Ions and Electrons-ION'98 / International Symposium (II ; 16-19.06.1998 ; Kazimierz Dolny, Poland)
Języki publikacji
Abstrakty
Shallow p+-n junctions in silicon for ultraviolet range photodiode application are simulated using the ATHENA/SSUPREM4 software package and manufactured by means of double peak implantation of BF2+ions with energies and doses (10/34) keV and (1/3)x1015cm-2, respectively. The case of dual implantations of F+ ions followed by B+ ions with the energies and doses (34/7.6) keV and (2.5/3.0)x1015cm-2, respectively has been also investigated. The physical and electrical parameters of the photodiodes manufactured in different variants were simulated and tested.
Płytkie krzemowe złącza p+-n stosowane jako fotodiody na zakres ultrafioletu symulowano za pomocą oprogramowania ATHENA/SSUPREM4 oraz wytwarzano za pomocą podwójnej implantacji jonów BF2+ o energiach (10 i 34) keV oraz odpowiadającymi im dozami (1i 3)x1015cm-2. Badano również wariant, w którym przeprowadzono podwójną implantacje jonów F+, a następnie jonów B+ o energiach (34 i 7,6) keV oraz odpowiadającymi im dozami (2,5 i 3,0)x1015cm-2. Symulowano i testowano fizyczne i elektryczne parametry fotodiod wytworzonych w różnych wariantach.
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
129--136
Opis fizyczny
Bibliogr. 4 poz., tab., wykr.
Twórcy
autor
autor
autor
autor
autor
- Institute of Electron Technology, Al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, Poland
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-PWA9-0001-0012
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.