Tytuł artykułu
Autorzy
Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
Wykorzystanie spektrometru SIMS w badaniach zjawiska implantacji niskoenergetycznej
Konferencja
Ion Implantation and Other Applications of Ions and Electrons-ION'98 / International Symposium (II ; 16-19.06.1998 ; Kazimierz Dolny, Poland)
Języki publikacji
Abstrakty
The paper presents the results of direct, low energy implantation investigations, using the SIMS apparatus. The retained dose for the Cu and Ag samples as a function of irradiation dose of the Cs+and K+ ions, as a primary beam was measured. From such relation the range profiles of implanted ions were calculated. The comparisons with the results of the computer simulation and analytical theory are also presented.
W pracy zostały przedstawione wyniki badań dotyczące implantacji niskoenegetycznej przeprowadzone przy użyciu spektrometru mas jonów wtórnych. Dokonane zostały pomiary zależności dawki jonów Cs+ lub K+ zaimplantowanych do tarczy Cu i Ag od dozy jonów pierwotnych (Cs+lub K+) bombardujących powierzchnie próbki. Na podstawie otrzymanych krzywych nasycenia sporządzono profile głębokościowe zaimplantowanych jonów. Porównano również wyniki otrzymane z symulacji komputerowej z danymi uzyskanymi w oparciu o model analityczny.
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
103--110
Opis fizyczny
Bibliogr. 8 poz., tab., wykr.
Twórcy
autor
autor
autor
- Institute of Physics, Maria Curie-Sklodowska University, Pl. M. Curie-Sklodowskiej 1, 20-031 Lublin, Poland
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-PWA9-0001-0009
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.