Research on the Mechanism of Pin-to-Pin ESD to SCB Initiators

• Autorzy: Chen F. , Zhou B. , Qin Z.

Warianty tytułu

PL

Badania mechanizmu wyładowania elektrostatycznego w inicjatorach półprzewodnikowych SCB

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

By ESD experiment, SEM-EDXA and firing experiment, the electrostatic-response characteristic of SCB was studied and the electrical explosion performance after ESD was measured. Results show that surface-damage of bridge is not obviously visible when lower than 25kV, but part of samples coated with explosive fire; the V-type angles start to be damaged at 25kV. After ESD, the function time and firing energy required decrease significantly. 25kV is the critical damage-voltage of the bridge. When less than 25kV, the electrical energy can only make the polysilicon melting and at 25kV, the temperature reaches the boiling point of silicon to generate plasma.

PL

Analizowano odpowiedź elektrostatyczną i parametry inicjatora eksplozji. Uszkodzenia mostka są nie zawsze widoczne jeśli napięcie jest poniżej 25 kV. Dlatego stwierdzono że napięcie 25 kV jest krytyczne, poniżej powoduje topienie polisilikonu, ale powyżej skutkuje tworzeniem się plazmy.

Słowa kluczowe

EN

initiator; semiconductor bridge; electrostatic discharge; SEM-EDXA; electrical technology; electrical power engineering

PL

wyładowanie elektrostatyczne; ESB; inicjator wyładowania; elektrotechnika; elektroenergetyka

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2011
• Tom: R. 87, nr 12a
• Strony: 169--172
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., il., tabl., wykr.

Twórcy

autor

Chen F.

autor

Zhou B.

autor

Qin Z.

• School of Chemical Engineering, Nanjing University of Science & Technology, No. 1 Chemistry Building Room 331, Research on the Mechanism of Pin-to-Pin ESD to SCB Initiators, Nanjing 210094, Jiangsu, China,

Bibliografia

• [1] ZHU Fen-chun, QIN Zhi-chun, CHEN Xi-wu, Analyses on semiconductor bridge design, Explosive Materials, 33(2004), No. 2, 22-25
• [2] ZHU Fen-chun, XU Zhen-xiang, CHEN Xi-wu, Progress on the semiconductor bridge initiator, Acta Armamentarii, 24(2003), No. 1, 106-110
• [3] CHEN Fei, ZHOU Bin, QIN Zhi-chun, Anti-electrostatic and anti- RF technology of semiconductor bridge explosive devices, Explosive Materials, 39(2010), No. 3, 28-32
• [4] Keith Haman, Carroll B. McCampbell, Zener diode for Protection of semiconductor explosive bridge, USP51779248(1993)
• [5] Monk.David B, Inflator initiator with zener diode electrostatic discharge protection, USP5672841(1997)
• [6] Thomas A. Baglnski, Novel electroexplosive device inoorporating a reactive laminated metallic bridge, Journal of Propulsion and Power, 17(2001), No. 1,184-189
• [7] LIU Shang-he, ZHOU Wan-zhen, Modeling of electrostatic discharge electromagnetism impulse theory and the development of the study of function mechanism, Journal of Hebei University of Science and Technology, 26(2005), No. 2, 87-91
• [8] GJB5309.14-2004 Standard for ESD experiment, Beijing: Commission on science, technology and industry for national defense(2004)