Dobór tranzystorów falownika 300VDC/100kHz do pracy w podwójnym mostku aktywnym

• Autorzy: Nowak M. , Grzejszczak P. , Zdanowski M. , Barlik R.

Warianty tytułu

EN

Selection of power switches designed for applying in a dual active bridge 300VDC/100kHz

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W referacie przedstawiono studium doboru tranzystorów do mostka wysokonapięciowego 300V na przykładzie prototypowego przekształtnika stosowanego do sprzęgania źródeł napięcia – podwójnego mostka aktywnego o wysokiej częstotliwości pracy 100 kHz. Jako kryterium oceny przyjęto minimalne straty energii występujące w łącznikach. Dla grupy wstępnie wyselekcjonowanych handlowych tranzystorów typu MOSFET oraz superszybkich IGBT wyznaczono i porównano straty energii w charakterystycznych warunkach pracy. Przy szacowaniu strat przewodzenia posłużono sie symulacjami na podstawie parametrów katalogowych natomiast przy wyznaczenia strat łączeniowych przeprowadzono badania laboratoryjne.

EN

In this paper a study of the transistors selection suitable for a high voltage 300V bridge, being part of a laboratory prototype of a bidirectional dc/dc interface (DAB) working with the frequency of 100 kHz, is presented. The basis for this selection is the minimum energy lost in the inverter switches. For the group of fast switching IGBTs and different types of high voltage MOSFETs (as CoolMOS, MDmeshMOS and others) available in the market energy losses were estimated. In the case of conducting losses, the simulation model based on a data sheet parameter was used and the switching losses were measured in a laboratory.

Słowa kluczowe

PL

elektrotechnika; elektroenergetyka; mostek aktywny podwójny; analiza termograficzna; łączniki szybkie; straty energii; tranzystory mocy; MOSFET; tranzystory CoolMOS; diody Schottky'ego

EN

electrical technology; electrical power engineering; dual active bridge; DAB-switch selection; energy losses; MOSFET; CoolMOS; silicon-carbide Schottky diodes; bridge power MOSFET leg

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2011
• Tom: R. 87, nr 11
• Strony: 60--63
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., il., tabl., wykr.

Twórcy

autor

Nowak M.

autor

Grzejszczak P.

autor

Zdanowski M.

autor

Barlik R.

• Politechnika Warszawska, Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa,

Bibliografia

• [1] DeDoncker R. W., Divan D. M. Kheraluwala M. H., A Three-Phase Soft-Switched High-Power-Density dc/dc Converter for High-Power Application, IEEE Trans on Ind. Appl. Vol. 28 No.6 1992, pp. 1294- 1301
• [2] Kheraluwala M. H. , Gascoigone R. W., Divan D. M., Baumann E. D., Performance Characterisation of a High-Power Dual Active Bridge dc-to-dc Converter, IEEE Trans on Ind. Appl. Vol. 28 No.6 1992, pp. 1294-1301
• [3] Walter J., DeDoncker R. W., High-Power Bi-directional DC/DC Converter Topology for Future Automobiles, Conf. Rec. EPE 2003 Toulouse
• [4] Nowak M., Rąbkowski J., Barlik R., Measurement of Temperature Sensitive Parameter Characteristics Of Semiconductor Silicon and Silicon- Carbide Power Devices, Conf. Rec. PEMC-EPE Poznań 2008
• [5] Barlik R., Nowak M., Rąbkowski J., Symulacyjne studium projektowe trójfazowego przekształtnika PWM z zastosowaniem łączników z węglika krzemu, KKE 2008 Darłówko Wsch.
• [6] Nowak M., Rąbkowski J, Barlik R., Charakteryzacja termoczułych parametrów wybranych krzemowych i węglikowo-krzemowych przyrządów mocy, Przegląd Elektrotechniczny 2008 nr 10 , 12-16
• [7] Barlik R., Rabkowski J., Nowak M., Investigations of Transistor IGBT and Silicon – Carbide Schottky Diode Switch. International Conference Microtechnology and Thermal Problems in Electronics - MicroTherm 2007 , 25.06-27.06.2007 Łódź , pp.233-236