Błąd adekwatności modelu obrazowania struktury defektowej półprzewodników wysokorezystywnych badanej metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej.

• Autorzy: Pawłowski M. , Suproniuk M.

Warianty tytułu

EN

The effect of model adequacy error of the correlation method for studies of defect centres by photoinduced transient spectroscopy

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Celem pracy jest określenie wpływu błędu adekwatności modelu metody korelacyjnej na dokładność wyznaczania parametrów centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej (PITS). Stwierdzono, że nieadekwatność modelu metody korelacyjnej powoduje przesunięcie wykresu Arrheniusa w kierunku niższych temperatur w odniesieniu do wykresu otrzymanego metodą odwrotnego przekształcenia Laplace’a. Do pokazania tego wpływu wykorzystano rejestracje relaksacji fotoprądu charakterystyczne dla centrum A (kompleksu luka-tlen) występującego w próbkach FZ Si:Sn napromieniowanych neutronami.

EN

The effect of model adequacy error of the correlation method for studies of defect centres by photoinduced transient spectroscopy (PITS), on the values of activation energy and capture cross-section obtained from the Arrhenius plot is discussed. It is shown that due to model inadequacy, there is a shift towards lower temperatures of the Arrhenius plot obtained from correlation method in comparison with that obtained from inverse Laplace transformation. The effect is exemplified by the Arrhenius plots calculated by both methods using photocurrent transients for the centre A (vacancy-oxygen complex) in neutron irradiated silicon doped with tin.

Słowa kluczowe

PL

adekwatność modelu; spektroskopia fotoprądowa; centra defektowe; półprzewodniki wysokorezystywne; elektrotechnika; elektroenergetyka

EN

model adequacy; PITS; defect center; semi-insulating materials; electrical technology; electrical power engineering

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2011
• Tom: R. 87, nr 10
• Strony: 230--235
• Opis fizyczny: Bibliogr. 16 poz., il., tabl., wykr.

Twórcy

autor

Pawłowski M.

autor

Suproniuk M.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Instytut Systemów Elektronicznych, ul. Gen. S. Kaliskiego 2, 00-908 Warszawa,

Bibliografia

• [1] Hurtes C., Boulou M., Mitonneau A. and Bois D.: Deep-level spectroscopy in high-resistivity materials. Appl. Phys. Lett. 32 (1978), 821-823.
• [2] Kamiński P., Zastosowanie niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów do badania struktury defektowej półprzewodników typu AIIIBV, Prace ITME , nr 36 (1991)
• [3] Pawłowski M., Obrazowanie struktury defektowej materiałów półizolujących z wykorzystaniem niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej, Wojskowa Akademia Techniczna (2007)
• [4] Suproniuk M., Kamiński P., Pawłowski Michał., Kozłowski R., Pawłowski Marek: Baza wiedzy w inteligentnym systemie pomiarowym do badania centrów defektowych w półprzewodnikowych materiałach półizolujących, Przegląd Elektrotechniczny, R86 (2010), 12, 247-252.
• [5] Look D. C.: The electrical and photoelectronic properties of semi-insulating GaAs. Semiconductors and Semimetals, ed. R.K. Willardson, A.C. Beer, New York: Academic Press, 19 (1983),76-170. PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY (Electrical Review), ISSN 0033-2097, R. 87 NR 10/2011 235
• [6] Istratov A. A.: New correlation procedure for the improvement of resolution of deep level transient spectroscopy of semiconductors. J. Appl. Phys., 82 (1997), 6, 2965-2967.
• [7] Pawłowski M., Kamiński P., Kozłowski R., Miczuga M.: Laplace Transform Photo-induced Transient Spectroscopy: New Powerful Tool For Defect Characterisation In Semi-Insulating Materials, Proceedings SPIE, Crystaline Materials for Optoelectronics, 5136 (2003), 59-65.
• [8] Pawłowski M., Kamiński P., Kozłowski R., Kozubal M., Żelazko J.: Obrazowanie struktury defektowej kryształów półizolującego GaAs poprzez analizę relaksacyjnych przebiegów fotoprądu z zastosowaniem odwrotnego przekształcenia Laplace’a, Materiały Elektroniczne, 34 (2006), 1/2, 48-77.
• [9] Pawłowski M., Extraction of deep trap parameters from photocurrent transients by two-dimensional spectral analysis, Solid State Electronics, 46 (2002), 1879-1885.
• [10] Istratov A.A., Vyvenko O.F: Exponential analysis in physical phenomena, Rev. Sci. Instrum., 70 (1999), 2, 1233-1257.
• [11] Provencher S.: A constrained regularization method for inverting data represented by linear algebraic and integral equations, Comp. Phys. Comm., 27 (1982), 213-228.
• [12] Provencher S.: CONTIN: A general purpose program for inverting noisy linear algebraic and integral equations, Comp. Phys. Comm., 27 (1982), 229–242.
• [13] Pawłowski M., Kamiński P., Kozłowski R., Jankowski S., Wierzbowski M., Intelligent measuring system for characterization of defect centers in semi-insulating materials by photoinduced transient spectroscopy, Metrology and Measurement Systems, Vol. XII (2005), No 2, 207-228
• [14] Kozłowski R.: Niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa o dużej rozdzielczości jako nowa metoda badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych, Rozprawa doktorska, ITME (2001).
• [15] Suproniuk M., Kamiński P., Miczuga M., Pawłowski M., Kozłowski R., Longeaud Ch., Kleider J-P.: Inteligentny system diagnostyczny do badania półprzewodników wysokorezystywnych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS, Przegląd Elektrotechniczny, R85 (2009), 11, 93-95.
• [16] Kamiński P. (red): Niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa centrów defektowych w kryształach półizolującego SiC, sprawozdanie z wykonania projektu nr: 3 T10C 028 30, ITME (2008).