Badanie wpływu temperatury na parametry termiczne i elektryczne diod LED mocy

• Autorzy: Kraśniewski J. , Oleksy M.

Warianty tytułu

EN

Measurement results of static current-voltage characteristics of white power LED

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W niniejszym artykule przedstawiono wyniki pomiarów charakterystyk statycznych prądowo-napięciowych (zarówno izo- jak i nieizotermicznych) białych diod LED wysokiej mocy w różnych temperaturach otoczenia. Zaprezentowano również wyniki pomiarów przejściowej impedancji termicznej tych diod.

EN

In the following article the measurement results of static current-voltage characteristics (both iso and non-isothermal) of white powerLED are presented. Also, measurement results of thermal transient impedance of the powerLED are presented.

Słowa kluczowe

PL

powerLED; impedancja termiczna; rezystancja termiczna; Cree XR-E; elektrotechnika; elektroenergetyka

EN

power LED; thermal impedance; thermal resistance; Cree XR-E; electrical technology; electrical power engineering

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2011
• Tom: R. 87, nr 10
• Strony: 180--182
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., il., tabl., wykr.

Twórcy

autor

Kraśniewski J.

autor

Oleksy M.

• Politechnika Koszalińska, Wydział Elektroniki i Informatyki, ul. Śniadeckich 2, 75-453 Koszalin,

Bibliografia

• [1] Marosy G., Kovács Z., Molnár G., Poppe A., Diagnostics of LED-based streetlighting luminares by means of thermal transient method, Barcelona, 6-8 X 2010, 18-23
• [2] Poppe A., Farkas G., TemesvÖlgyi T., Katona B., Molnar G., Thermal Impedance of AC LED, Barcelona, 6-8 X 2010, 127- 132
• [3] Janke W., Hapka A., The current-voltage characteristics of SiC Schottky barrier diodes with self-heating included, 16 International Workshop on Thermal Investigations of ICs and systems, Barcelona, 6-8 X 2010, 53-55
• [4] Oleksy M., Kraśniewski J., Porównanie charakterystyk termicznych diod Schottky’ego z Si oraz SiC w szerokim zakresie temperatur, VI KKE, Darłówko Wschodnie, 11-13 czerwca 2007, tom I, 597-602
• [5] Sofia R., Analysis of thermal transient data with synthesized dynamic models of semiconductor devices, IEEE Trans. On CPMT – Part A, vol. 18, No. 1, March 1995, 39-47
• [6] Kraśniewski J., Oleksy M., Janke W., Measurements of fast thermal transients in microwave transistors, XXIX International Conference of IMAPS Poland Chapter, Koszalin – Darłówko, 19 – 21 september 2005, 151-154
• [7] Janke W., Zjawiska termiczne w elementach i układach półprzewodnikowych, WNT, Warszawa 1992
• [8] Oleksy M., Identyfikacja parametrów krzywych w analitycznym opisie przejściowych przebiegów termicznych, VI Międzynarodowe Warsztaty Doktoranckie, OWD 2004, Wisłą, 16 – 19 października 2004, Vol. 4, 285-290