Tytuł artykułu
Autorzy
Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
Thermal-electrical modelling of quantum cascade lasers
Języki publikacji
Abstrakty
W pracy przedstawiono wyniki modelu termiczno-elektrycznego lasera kaskadowego wykonanego w technologii arsenkowej. Szczególny nacisk położono na zbadanie wpływu różnych rodzajów ograniczenia rozpływu prądu w strukturze lasera kaskadowego na wzrost temperatury w jego wnętrzu. Pokazano, że stosując odpowiednie ograniczenie prądowe i odpowiedni montaż lasera można zmniejszyć wzrost temperatury w jego wnętrzu, występujący podczas jego pracy, o około 50%, co może umożliwić jego pracę z falą ciągłą w temperaturze pokojowej.
In this paper results of thermo-electrical modelling of an arsenide quantum cascade laser are presented. Influence of different current confinements on the temperature of the laser was investigated in details. It has been shown that the proper current confinement together with optimised mounting can reduce the temperature increase by about 50%, which could allow the continuous-wave, room temperature operation of this laser.
Wydawca
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
177--179
Opis fizyczny
Bibliogr. 8 poz., il., tabl., wykr.
Twórcy
autor
autor
- Politechnika Łódzka, Instytut Fizyki, ul. Wólczańska 219, 90-924 Łódź, robert.sarzala@p.lodz.pl
Bibliografia
- [1] Faist J., Capasso F., Sivco D. L., Sirtori C., Hutchinson A. L., Cho A. Y., Quantum cascade laser, Science, 264 (1994), n.5158, 553- 556
- [2] Pabjańczyk A., Sarzała R.P., Wasiak M., Bugajski M., Kwantowe lasery kaskadowe – podstawy fizyczne, Elektronika, (2009), nr.5, 30-43
- [3] Kosiel K., Bugajski M., Szerling A., Kubacka-Traczyk J., Karbownik P., Pruszyńska-Karbownik E., Muszalski J., Łaszcz A., Romanowski P., Wasiak M., Nakwaski W., Makarowa I., Perlin P., 77 K operation of AlGaAs/GaAs quantum cascade laser at... , Photonics Letters of Poland, 1 (2009),1, 16-18
- [4] Sarzała R.P., Wpływ montażu lasera kaskadowego na wzrost temperatury w jego wnętrzu, Elektronika, (2010), 10, 102-106
- [5] Dallesasse J.M., Holonyak, Jr. N., Native-oxide stripe-geometry AlxGa1-xAs-GaAs quantum well heterostructure lasers, Applied Physics Letters 58 (1991), 394-396
- [6] Maranowski S.A., Sugg A.R., Chen E.I., Holonyak, Jr. N., Native oxide top-and bottom confined narrow stripe p-n AlyGa1-yAs-GaAs- InxGa1-xAs quantum well heterostructure laser, Applied Physics Letters, 63 (1993), 1660-1662
- [7] Huffaker D.L., Deppe D.G., Kumar K., Rogers T.J., Native-oxide defined ring contact for low threshold vertical-cavity lasers, Applied Physics Letters, 65 (1994), 97-99
- [8] Choquette K.D., Schneider Jr. R.P., Lear K.L., Geib K.M., Low threshold voltage vertical-cavity lasers fabricated by selective oxidation, Electronics Letters, 30 (1994), 2043-2044
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-PWA7-0053-0012