Wpływ warunków pracy na charakterystyki statyczne diod MPS z węglika krzemu

• Autorzy: Hapka A. , Janke W.

Warianty tytułu

EN

The influence of the operation conditions on the DC characteristics of the silicon carbide MPS diodes

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy omówiono wpływ warunków zasilania na charakterystyki prądowo-napięciowe diod Schottky’ego z węglika krzemu, z dodatkowym złączem PiN (Merged PiN Schottky). Zaprezentowano symulacje nieizotermicznych charakterystyk I-V przykładowej diody MPS, w których uwzględniono wpływ temperatury otoczenia na parametry krytyczne, takie jak prąd, moc oraz temperatura wnętrza, dla których element narażony jest na zniszczenie. W symulacjach uwzględniono wpływ temperatury otoczenia i wnętrza na rezystancję termiczną elementu.

EN

In the paper, the influence of operation conditons, especially ambient temperature, on the nonisothermal current-voltage characteristics of the silicon carbide Merged PiN Schottky diodes is disscussed. The investigations are mainly devoted to the dangerous regions of the DC, I-V characteristics. The simulations of the nonisothermal characteristics, with the critical parameters such as current, power and junction temperature, depending on the ambient temperature are presented. Also, the influence of the ambient and junction temperature on the thermal resistance has been included.

Słowa kluczowe

PL

dioda Schottky'ego; rezystancja termiczna; charakterystyka statyczna; prąd krytyczny; elektrotechnika; elektroenergetyka

EN

Schottky diode; thermal resistance; DC characteristics; critical current; electrical technology; electrical power engineering

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2011
• Tom: R. 87, nr 10
• Strony: 152--154
• Opis fizyczny: Bibliogr. 14 poz., il., tabl., wykr.

Twórcy

autor

Hapka A.

autor

Janke W.

• Politechnika Koszalińska, Wydział Elektroniki i Informatyki, ul. J.J. Śniadeckich 2, 75-453 Koszalin,

Bibliografia

• [1] Friedrichs P., Silicon Carbide Power-Device Products – Status and Upcoming Challenges with a Special Attention to Traditional, Nonmilitary Industrial Applications, phys. stat. sol. (b) 245, (2008), No. 7, 1232-1238
• [2] Guy O.J., Lodzinski M., Castaing A., Igic P.M., Perz-Tomas A., Jennings M.R., Mawby P.A., Silicon Carbide Schottky Diodes and MOSFETs: Solutions to Performance Problems, IEEE Power Electronics and Motion Control Conference, 1-3 Sept. 2008, 2464-2471, Poznan
• [3] Majumdar G., Oomori T., Some Key Researches on SiC Device Technologies and Their Predicted Advantages, Power Semiconductors, Issue 6 2009, 18-22
• [4] Z-FET™ CMF20120D, nota katalogowa Cree SiC MOSFET, http://www.cree.com/
• [5] CPW2-1200-S050B, nota katalogowa 50 A, 1200 V Silicon Carbide Schottky Diode Chip, http://www.cree.com/
• [6] High Voltage Silicon Carbide Single Phase Full Wave Bridge, Sensitron Technical Data, Datasheet 5015, Rev A
• [7] Ishikawa K., Shimizu H., Nagasu M., Tsugawa D., Patent application title: Circuit arrangement having a free-wheel diode at 20080258252#ixzz16QJm1yCM
• [8] Janke W., Hapka A., Oleksy M., Static, non-isothermal characteristics of silicon carbide Schottky diodes, Biuletyn Polskiej Akademii Nauk, przyjęty do druku
• [9] Sheng K., Maximum junction temperatures of SiC power devices, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 56, No.2, February 2009, 337-342
• [10] Janke W., Hapka A., The current-voltage characteristics of SiC Schottky barrier diodes with the self-heating included, 16 International Workshop on Thermal Investigations of ICs an Systems, Barcelona, 6 – 8 X 2010, 53-55
• [11] Wrzecionko B., Biela J., Kolar J.W., SiC power semiconductors in HEVs: influence of junction temperature on power density, chip utilization and efficiency, preprint of IECON 2009 Proceedings, 3870-3876
• [12] Janke W., Hapka A., Influence of series resistance on thermally induced limitations of SiC Schottky diodes, Elektronika – Technologie, Konstrukcje, Zastosowania, Nr 2/2011, 163-165
• [13] Neudeck P.G., Spry D.J., Chen L.Y., Okojie R.S., Beheim G.M., Meredtih R.D., Ferrier T.L., SiC Field Effect Transistor Technology Demonstrating Prolonged Stable Operation at 500°C, Material Science Forum, Vols. 556-557 (2007), 831- 834, Trans Tech Publications, 15 Sep 2007
• [14] Janke W., Hapka A., Oleksy M., Przejściowa impedancja termiczna diod Schottky’ego z węglika krzemu w szerokim zakresie temperatur, Przegląd Elektrotechniczny nr 11/2009, 203-205