Diody Schottky'ego z węglika krzemu w falownikach napięcia z tranzystorami MOSFET- badania symulacyjne

• Autorzy: Nowak M. , Barlik R. , Grzejszczak P. , Rąbkowski J.

Warianty tytułu

EN

Silicon carbide Schottky Barrier Diodes in PWM voltage source inverters with MOSFETs - simulating investigations

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule, stanowiącym kontynuację tematyki z poprzedniej pracy zamieszonej w tym numerze, przedstawiono sposób tworzenia modeli symulacyjnych trójfazowych falowników z tranzystorami MOSFET i COOLMOS oraz z diodami zwrotnymi z węglika krzemu. Badania symulacyjne modeli o mocach 500 VA (100V) i 5000 VA (300V) ukierunkowano na określenie strat mocy we wszystkich przyrządach półprzewodnikowych z uwzględnieniem strat w stanach przewodzenia i łączeniowych. Wyniki przeprowadzonych badań porównawczych wskazują na poprawę efektywności energetycznej falowników z diodami zwrotnymi z węglika krzemu.

EN

In the paper being the continuation of subject from previous paper in this issue number the method of creation of the simulating models of three phase voltage source inverter with MOSFET and COOLMOS and silicon carbide anti-parallel diodes is presented. Simulations of the 500 VA (100 V) and 5000 VA (300V) PWM inverters were made in order to determine the power losses in all semiconductor devices. ). Positive effects caused by SiC diode applications have been confirmed.

Słowa kluczowe

PL

dioda Schottky'ego; SiC; tranzystor MOSFET; COOLMOS; falownik PWM; elektrotechnika; elektroenergetyka

EN

silicon–carbide diode; Schottky barrier diode; SiC; MOSFET; CoolMOS; PWM inverter; electrical technology; electrical power engineering

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2011
• Tom: R. 87, nr 10
• Strony: 24--28
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., il., tabl., wykr.

Twórcy

autor

Nowak M.

autor

Barlik R.

autor

Grzejszczak P.

autor

Rąbkowski J.

• Politechnika Warszawska, Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa

Bibliografia

• [1] Friedrichs P., Silicon Carbide Power semiconductors – New opportunities for high efficiency, 3-rd IEEE Conf. on Industrial Electronics and Applications - ICIEA 2008, 1770-1774
• [2] Knop A., Franke W., Fuchs W., ,SiC – JFET and ESTB against MOSFET and IGBT, 13-th International Power Electronics and Motion Control Conference , EPE – PEMC 2008, 70-75
• [3] Nowak M., Barlik R., Rąbkowski J., Grzejszczak P., Badania właściwości trójfazowego przekształtnika sieciowego PWM z diodami zwrotnymi z węglika krzemu. Przegląd Elektrotechniczny, R.85 Nr 12 (2009), 199 – 203
• [4] www.cree.com, accessed on may 2011
• [5] www.Infineon.com, accessed on may 2011
• [6] www.irf.com. accessed on may 2011
• [7] www.siced.com, accessed on may 2011
• [8] www.rsc.rockwell.com./siliconcarbide/index.html, accessed on may 2011
• [9] Rąbkowski J., Nowak M., Barlik R., Badania porównawcze właściwości wybranych krzemowych i węglikowo – krzemowych łączników mocy, Przegląd Elektrotechniczny, R.84, Nr 7 (2008), 17-21
• [10] Barlik R., Nowak M., Grzejszczak P., Badania efektywności zastosowania diod Schottky’ego z węglika krzemu w falownikach na tranzystorach MOSFET., IX Krajowa Konferencja Elektroniki – KKE’10, Darłówko Wschodnie, 30.05.-02.06.2010, 380 – 382