PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!
  • Sesja wygasła!
  • Sesja wygasła!
  • Sesja wygasła!
  • Sesja wygasła!
  • Sesja wygasła!
  • Sesja wygasła!
Tytuł artykułu

Badania półprzewodnikowych detektorów promieniowania optycznego

Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
Investigations of semiconductor detectors of optical radiation
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
Detektory UV, VIS i NIR są używane w pracach badawczych, przemyśle i aplikacjach wojskowych. Prezentowany w artykule system pomiarowy jest przeznaczony głównie do wysokotemperaturowych pomiarów charakterystyk widmowych detektorów. Pomiary detektorów zostały przeprowadzone w zakresie od temperatury otoczenia do 200 (stopni)C.
EN
UV, VIS ad NIR detectors are used in scientific research and industrial and military applications. Measurement system used for spectral characteristic high-temperature measurements of UV, VIS and NIR is presented in the paper. Measurement can be carried from ambient temperature to 200oC.
Rocznik
Strony
166--171
Opis fizyczny
Bibliogr. 9 poz., rys., tab., wykr.
Twórcy
autor
autor
  • Wojskowa Akademia Techniczna, Wydział, Wydział Elektroniki, ISE, ul. S. Kaliskiego 2, 00-908 Warszawa, jcwirko@wat.edu.pl
Bibliografia
  • [1] Rogalski A., Advanced Technologies in Development of Optical Detectors, Elektronika 12/2004, 5136, 12-19
  • [2] Szweda R., GaN and SiC detectors for radiation medicine. The Advanced Semiconductor Magazine, vol. 18, no 7, September/October 2005, 40-41
  • [3] Yan F., Zhao J. H., Olsen H.G., Demonstration of the first 4HSiC avalanche photodiodes. Solid-State Electronics 44 (2000), 341 - 346
  • [4] Morkoc H., Potential application of III – V nitride semicoductors. Material Science and Engineering B43 (1997), 173 - 146
  • [5] Bielecki Z., Rogalski A., Detekcja sygnałów optycznych, Wydawnictwo Naukowo-Techniczne, Warszawa 2001
  • [6] Ziętek B., Optoelektronika, Wydawnictwo Uniwersytetu Mikołaja Kopernika, Toruń 2005
  • [7] Ueda Y., Akita S., Nomura Y., Nakayama Y., Naito H.: Study of high temperature photocurrent of 6H-SiC UV sensors. Thin Solid Films 517 (2008), 1471-1473
  • [8] Li M., Anderson W. A., Si-based metal-semiconductor-metal photodetectors with various modifications. Solid-State Electronics 51 (2007), 94 – 101
  • [9] Fraden J., Handbook of Modern Sensors: Physics, Design and Applications,Springer, Berlin Heidelberg, New York 2003
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-PWA7-0049-0035
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.