PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!
  • Sesja wygasła!
Tytuł artykułu

Zastosowania mikro i nanotechnologii w trudnych warunkach operacyjnych - przykłady wzięte z geofizyki i aeronautyki

Autorzy
Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
Micro and nanotechnologies applied to harsh environment conditions - examples from geophysics and aeronautics
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
Celem wystąpienia będzie podzielenie się doświadczeniem przemysłowym zdobytym w przedsiębiorstwie Schlumberger (Slb). Zostaną przedstawione urządzenia półprzewodnikowe (Mikrosystemy – MEMS), które były opracowane do integracji w systemach produkowanych przez Slb do zastosowań geofizycznych, aeronautycznych oraz w miernictwie. Praca w zakresie R&D chrakteryzowała sie szeroką współpracą z Ośrodkami Akademickimi i Instytutami Badawczymi. Parametry decydujące o niezawodności produktu musiały byc chronione w przebiegu współpracy. Problemem dla wprowadzania nowych technologii jest niewielki wolumen niszowych zastosowań.
EN
The aim of the presentation is to share my industrial experience resulting from working with Schlumberger Company (Slb). A number of Microsystems (MEMS) devices were developed for integrating them in systems/tools produced by Slb to address geophysics, aeronautics and metering markets, respectively. R&D activities were carried out in close collaborations with leading Academic and Research Institutes. While co-operating key parameters of device specifications remained exclusive propriety of the Company. Low niche market volumes were and are problems for a massive introduction of MEMS to harsh environment applications.
Rocznik
Tom
Strony
133--141
Opis fizyczny
Bibliogr. 3 poz., rys., tab., wykr.
Twórcy
autor
  • Przedsiębiorstwo MEMSFIELD
Bibliografia
  • [1] Suski J., Mosser V., Goss J., Polysilicon SOI Pressure Sensor. Sensors & Actuators, 17 (1989) 405-414.
  • [2] Wang Z. Z., Suski J., Collard D., Silicon piezoresistivity modelling: applications to the simulation of MOSFETs. Sensors & Actuators A, 46-47, (1995), 628-631.
  • [3] Chau M. T., Dominguez D., Bonvalot B., Suski J., CMOS Fully Digital Pressure Sensors. Sensors & Actuators A60 (1997) 86-89.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-PWA7-0040-0033
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.