Tytuł artykułu
Autorzy
Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
Carbon nanostructures - the chance for the technology of the future
Konferencja
Metody i Technika Przetwarzania Sygnałów w Pomiarach Fizycznych / Materiały XIV Międzynarodowego Seminarium Metrologów (XIV ; 17-19.10.2006 ; Rzeszów, Polska)
Języki publikacji
Abstrakty
W opracowaniu przedstawiono rozwój badań fizyki i chemii w odniesieniu do technologii materiałowej i informatycznej. W pierwszej kolejności podsumowano budowę strukturalną i elektronową C60. W sposób uproszczony poddano analizie rodzaje fulerenów i możliwości ich zastosowań zilustrowanych przykładami: tranzystora jednocząsteczkowego i pamięci nowej generacji CNT.
Constant increase of the complexity of silicon microsystems, on which the development of the information technology devices depends, is approaching fundamental physic limitations (restrictions). For that reason different ways for replacing silicon with another materials and new technologies are being searched. A very good alternative for silicon can be carbon, especially fullerene C60 and nanotubes/nanopipes iversity of the properties of carbon complexes, obtained due to chemical functionality of C60 gives wide possibilities to obtain new materials, whose properties have not been known before, and employing them to material and computer technologies. New discovered quantum phenomenon of fullerene such as: two-stages quantum process of charge transfer, quantum effect of resistance saturation and hole superconductivity, the effect of the direction change of the electric field in nanotubes/nanopipes placed in the magnetic field give opportunities for creating new generation of transistors. These are mono-molecular transistors, so-called quantum dots, hyperconducting transistors with modulated critical temperature and nanotubes/nanopipes transistors. They can be used as elements of computer equipment and measuring devicesfor measuring hypersensitive electric currents, building capacity standards, double - pole switch. The range of fullerene use is wide and carrying it out depends on the integrated efforts of the experts of many fields. The amazing nanotechnology revolution as well as its practical realization are being currently observed.
Rocznik
Tom
Strony
173--182
Opis fizyczny
Bibliogr. 15 poz., rys., tab., wykr.
Twórcy
autor
- Wyższa Szkoła Inżynieryjno - Ekonomiczna w Ropczycach
Bibliografia
- [1] Terrones M i H, New Journal of Physics 5, 126.1, 2003
- [2] Jpn. J. Appl, Phys. Vol. 32 (1993) Pt. 1, No. 3B
- [3] CurlR. F., SmalleyR. E.: Świat Nauki, 12,26, 1991
- [4] Huczko A. "Fulereny" PWN Warszawa 2000, str. 48, 64
- [5] Dresselhaus M. S., Dresselhaus G. "Sceince of Fullercnes and Carbon Nanotubes". New York, Academic Press 1996
- [6] Przygodzki W., Włochowicz A., "Fulereny i nanorurki" Wydawnictwo Naukowo - Techniczne, Warszawa 2001 str. 83, str 256
- [7] Balch A. L., Olmstead M. M.: Chera. Rev. 1998. Vol. 98, s. 2123
- [8] Xiang X. D., Hou J. G., et al.. Nature 361, 54, 1993
- [9] Basak J., Mitra S., Sinha S., "Carbon nanotube: the next generation sensors"
- [10] Collins P. G. Avouris P., "Świat Nauki" 2, 40, 2001
- [11] J. Stankowski, L. Piekara-Sady, W. Kempiński, ,,EPR of Fullercne Molecule-Derived Paramagnetic Center as Mesoscopic Conducting Object". Appl. Magn. Rex. 19, 539 (2000); J. Stankowski, T Luty, W. Kempiński, L. Piekara-Sady, ,,Possible explanation of unstable superconducting phase in K^Ceo with Tc - 21 K", Solid State Sciences 3, 531 (2001)
- [12] Stankowski J. "Dziurowe nadprzewodnictwo w fulerenie C60". Postepy Fizyki tom 52 Zeszyt6 Rok 2001
- [13] http_i//www.nantero.corn/
- [14] Fullerenes. Recent Advances in the Physics and Chemistry of Fullerenes and Related Materials (red, K. M. Kadish, R. S. Ruoff), The Electrochemical-Society, Inc., Pennington, seria rozpoczynajaca się w 1994 roku
- [15] Rohlfing E.A., Cox D. M., Kaldor A.: J. Chem. Phys. 1984, Vol. 81, s. 3322
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-PWA7-0021-0014