Technologia wytwarzania krzemowych warstw lateralnych dla zastosowań PV

• Autorzy: Jóźwik I. , Olchowik J. M.

Warianty tytułu

EN

Technology of silicon lateral layers obtainment for application in PV

• Konferencja: Energia Odnawialna. Innowacyjne idee i technologie dla budownictwa / Pierwsza Międzynarodowa Konferencja Energii Słonecznej i Budownictwa Ekologicznego (I ; 17-20. 05. 2006 ; Solina, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Niniejsza praca prezentuje technikę epitaksji z fazy ciekłej jako ekonomiczną metodę uzyskiwania cienkich warstw krzemowych dla zastosowań PV. W rezultacie przeprowadzonych badań stwierdzono, że możliwe jest optymalne dobranie warunków technologicznych procesu wzrostu tak, aby otrzymywane warstwy charakteryzowały się minimalną gęstością defektów przy maksymalnej wartości wydłużenia warstw.

EN

This work presents liquid phase epitaxy as a technique of growth of silicon thin layers for PV applications. Results of the investigation show that it is possible to set the experimental conditions of the process of growth to obtain layers characterized by minimum defect density and maximum aspect ratio at the same time.

Słowa kluczowe

PL

warstwy krzemowe; epitaksja z fazy ciekłej

EN

silicon layers; liquid phase epitaxy

• Wydawca: Oficyna Wydawnicza Politechniki Rzeszowskiej
• Czasopismo: Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej. Budownictwo i Inżynieria Środowiska
• Rocznik: 2006
• Tom: z. 40 [229]
• Strony: 247--254
• Opis fizyczny: Bibliogr. 16 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Jóźwik I.

autor

Olchowik J. M.

• Politechnika Lubelska Instytut Fizyki ul. Nadbystrzycka 38 20-618 Lublin,

Bibliografia

• [1] Surek T., J. Cryst. Growth, 275 (2005) 292.
• [2] Green M.A., Energ. Policy, 28 (2000) 989.
• [3] Goetzberg A., Heb1ing Ch., Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 62 (2000) 1.
• [4] Koch W.,. Endrös A.L, Franke D., Häßler C., Ka1ejs J.P.,. Möller H.J, Bulk Crystal Growth and Wafering for PV in Handbook of Photovoltaic Science and Engineering (ed. A. Luque, S. Hegedus), Wiley, West Sussex, 2003.
• [5] Goetzberg A., Heb1ing C., Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 62 (2000) 1.
• [6] Borkowski K., Epitaksja z fazy ciekłej we: Wzrost kryształów (ed. K. Sangwal), Wyd. Wyższej Szkoły Pedagogicznej w Częstochowie, Częstochowa, 1990.
• [7] Linnebach R., Bauser E., J. Cryst. Growth, 57 (1982) 43.
• [8] Olchowik J.M., Wpływ międzypowierzchni na charakter syntezy wieloskładnikowych związków heteroepitaksjalnych AIIIBV z fazy ciekłej i jej teoretyczny model, Wydawnictwa Uczelniane Politechniki Lubelskiej, Lublin, 1995.
• [9] Kessler J., Neudeck G.W., G1enn Jr. J.L., , Microelectron. Eng., 28 (1995) 435.
• [10] Bergmann R., Bauser E., Werner J.H., Appl. Phys. Lett., 57(4) (1990) 351.
• [11] Zytkiewicz Z.R., Thin Solid Films, 412 (2002) 64.
• [12] Raidt H., Köhler R., Banhart F., Jenichen B., Gutjahr A., Konuma M., Silier J., Bauser E., J. Appl. Phys., 80(7) (1996) 4101.
• [13] Olchowik J.M., Cienkie warstwy w strukturach baterii słonecznych, Wydawnictwa Naukowe Politechniki Lubelskiej, 2004
• [14] Ceccaroli B., Lohne O., Solar Grade Silicon Feedstock in Handbook of Photovoltaic Science and Engineering (ed. A. LUQUE, S. HEGEDUS), Wiley, West Sussex, 2003.
• [15] Bergmann R., Kurianski J., Mater. Lett., 17 (1993) 137.
• [16] Secco d'Aragona F., J. Electrochem Soc., 119 (1972) 948.