Badanie ultra-cienkich warstw SiO(2) nanoszonych na krzemie i porowatym krzemie - analiza profilowa ULE-SIMS

• Autorzy: Ćwil M. , Konarski P. , Pająk M. , Bieniek T. , Kosiński A.
• Konferencja: VII Krajowa Konferencja Techniki Próżni (7; 18-21.09.2005; Cedzyna, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

EN

Depth profile analysis of interfaces between thin silicon oxide layers and two substrates bulk silicon and prous silicon porous silicon were performed. The interfaces were prepared by an electrochemical etching of Si in HF solution and oxidation processes. SIMS depth profiles of these interfaces were performed using ultr-low energy (880eV) and low energy (5 keV) argon ion beams at several incidence angles. The SiO(2)/Si interface regions characterised by SIMS show differences related to the kind of a substrate used. Oxygen depletion region (20 nm thick) was observed on the porous silicon side by SIMS and also by Auger analyses. The depletion formation mechanism is explained on the basis of ion beam induced redeposition of oxygen inside the pores.

Słowa kluczowe

PL

tlenek krzemu; cienkie warstwy; analiza profilowa

• Wydawca: Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej
• Czasopismo: Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Elektronika
• Rocznik: 2005
• Tom: z. 153
• Strony: 83--88
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., schem., wykr.

Twórcy

autor

Ćwil M.

• Przemysłowy Instytut Elektroniki, ul. Długa 44/50, 00-241 Warszawa
• Wydział Fizyki, Politechnika Warszawska, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa

autor

Konarski P.

• Przemysłowy Instytut Elektroniki, ul. Długa 44/50, 00-241 Warszawa

autor

Pająk M.

• Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, Politechnika Warszawska, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa

autor

Bieniek T.

• Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, Politechnika Warszawska, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa

autor

Kosiński A.

• Instytut Chemii Fizycznej PAN, ul. Kasprzaka 44/52, 01-224 Warszawa

Bibliografia

• [1] J. Gao, T. Gao, M.J. Sailor, Appl. Phys. Lett. 77, 901-903, 2000.
• [2] A. Halimaoui, C. Oules, G. Bomchil et al., Appl. Phys. Lett. 59, 304-306, 1991.
• [3] T. Giaddui, K.S. Forcey,, L.G. Earwaker, A. Loni, L.T. Canham, A. Halimaoui, J. Phys. D: Appl. Phys. 29, 1580-1586, 1996.
• [4] S.W. Novak, R.G. Wilson, J. Appl. Phys 69, 463-465, 1991.