Nanoszenie warstw metodą impulsowego rozpylania magnetronowego

• Autorzy: Posadowski W. M. , Wiatrowski A.
• Konferencja: VII Krajowa Konferencja Techniki Próżni; 18-21.09.2005; Cedzyna, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

EN

Aluminium films doped with oxygen were obtained during pulsed sputtering using high-power megnetron (target of 50 mm in diameter). Surface condition of the target (magnetron mode) sputtered at various pressures of reactive gas was estimated from the change of working gas pressure during sputtering, deposition rate and parameters of the power supply. At some sputtering parameters the deposition rate and parameters of the power supply. At some sputtering parameters the deposition rate of transparent aluminium oxide films was equal to the deposition rate of aluminium films (obtained at metallic mode). So high efficiency was the result of sputtering an aluminium target, not poisoned with the reactive compound.

Słowa kluczowe

PL

impulsowe rozpylanie magnetronowe; cienkie warstwy

EN

magnetron; pulsed sputtering

• Wydawca: Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej
• Czasopismo: Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Elektronika
• Rocznik: 2005
• Tom: z. 153
• Strony: 25--32
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., tab., schem.

Twórcy

autor

Posadowski W. M.

• Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej, ul. Zygmunta Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wrocław

autor

Wiatrowski A.

• Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej, ul. Zygmunta Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wrocław

Bibliografia

• [1] N. Malkomes, A. Bierhals, B. Szyszka, M. Vergöhl, 44th Annual Technical Conference Proceedings. SVC'2001, Philadelphia, April 21-26, (2001), s. 13-19.
• [2] W.M. Posadowski, Thin Solid Films, 343-344, s. 85-89; (1999), W.M. Posadowski, Niekonwencjonalne układy magnetronowe do próżniowego nanoszenia cienkich warstw, Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, Wrocław, (2001).
• [3] J. Dora, Patent Nr. 178285, Urząd Patentowy RP, zgł. 1996.06.03.
• [4] A. Wiatrowski, J. Dora, W.M. Posadowski, Elektronika z.6, s. 33-34, (2905).
• [5] S. Berg , H-O. Blom, T. Larsson, C. Nender, J. Vac. Sci. Technol., A5, s. 202-207, (1987).
• [6] R. De Gryse, D. Depla, 2001 SVC 505/856-7188, 44th Annual Tech. Conf. Proc., Philadelphia, April 21-26, 2001, s.361-370.