Urządzenie do epitaksjalnego wzrostu metodą MBE warstw azotków metali III grupy układu okresowego pierwiastków

• Autorzy: Marks J. , Cyrański R. , Pastuszka B. , Kaczorek K. , Kaufman E.
• Konferencja: Techniki Próżni i Technologie Próżniowe (6; 7; 23-25.09.2002; Korbielów, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

EN

The homemade MBE03 system for III group nitrides growth by molecular beam epitaxy is described. The MBE03 system is used for gallium, indium and aluminium nitrides growth with ammonia as the nitrogen gas source. The growing layer can be doped by magnesium (type p) and silicon (type n).

Słowa kluczowe

PL

azotek; metale; epitaksja

• Wydawca: Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej
• Czasopismo: Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Elektronika
• Rocznik: 2002
• Tom: z. 143
• Strony: 91--95
• Opis fizyczny: rys., wykr.

Twórcy

autor

Marks J.

• Przemysłowy Instytut Elektroniki, Warszawa

autor

Cyrański R.

• Przemysłowy Instytut Elektroniki, Warszawa

autor

Pastuszka B.

• Przemysłowy Instytut Elektroniki, Warszawa

autor

Kaczorek K.

• Przemysłowy Instytut Elektroniki, Warszawa

autor

Kaufman E.

• Przemysłowy Instytut Elektroniki, Warszawa