Automatyzacja kształtowania stacjonarnego pola temperatur w technologicznych urządzeniach cieplno-chemicznych

• Autorzy: Łobodziński W. , Ostrowski P. , Zych M.

Warianty tytułu

EN

Automatic shaping of stationary temperature fields in industrial thermo-chemical systems

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono metodę automatycznego profilowania pól temperatury w cieplno-chemicznych urządzeniach technologicznych. Zagadnienia tego typu stanowią ważny etap procesu produkcyjnego w takich dziedzinach jak: inżynieria materiałowa, produkcja materiałów półprzewodnikowych, wytwarzanie układów scalonych dużej skali integracji (VLSI), hodowli monokryształów itd. Proponowana metoda pozwala w pełni zautomatyzować proces profilowania, pozwalając kilkukrotnie skrócić czas tej operacji. Niniejsze opracowanie zawiera podstawy teoretyczne metody oraz przykłady zastosowań przemysłowych.

EN

The paper presents the method of automatic profiling of the temperature fields in the industrial thermo-chemical systems. This problem is often important step in the production processes in such fields as material engineering, manufacturing of semiconductor materials and VLSI, crystal growth etc. The proposed method enables full automation of profiling process and leads to few times of shortening of duration of this operation. This work includes the theoretical methods description and the examples of industrial applications.

Słowa kluczowe

PL

profilowanie urządzeń technologicznych; urządzenia technologiczne cieplno-chemiczne; pole temperatury stacjonarne

EN

industrial thermo-chemical systems; automatic shaping of stationary temperature fields

• Wydawca: Przemysłowy Instytut Elektroniki
• Czasopismo: Prace Przemysłowego Instytutu Elektroniki
• Rocznik: 2005
• Tom: nr 152
• Strony: 63--77
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., rys.

Twórcy

autor

Łobodziński W.

• Przemysłowy Instytut Elektroniki

autor

Ostrowski P.

• Przemysłowy Instytut Elektroniki

autor

Zych M.

• Przemysłowy Instytut Elektroniki

Bibliografia

• [1] Carnahan B., Luther H. A., Wilkes J. O., Applied Numerical Methods, John Wiley & Sons, New York.
• [2] Hamming R. W., Numerical Methods for Scientists and Engineers, McGraw-Hill Book Comp. New York, USA
• [3] Orzylowski M., Lobodzinski W., Ostrowski P., Automated Calibration of Temperature Sensors, Proceedings of the 2000 IEEE Instrumentation and Measurement Conference (IMTC/2000) pp. 285-289, 1-4 May 2000, Baltimore, USA
• [4] H. Levy, F. Lessman, Finite Difference Equations, Sir Isaac Pitman and Sons, LTD London
• [5] Diehl R. D. (editor), (2000), High-Power Diode Lasers: Fundamentals, Technology, Applications With Contributions by Numerous Experts, Springer Verlag, 2000
• [6] Flade T. (2001), Explosion of Demand for Large Size GaAs Substrates for Device Manufacturing - the Reaction of a Wafers Supplier, Compound Semiconductor Outlook, San Diego, CA February 26-28 2001
• [7] Itani K., Sasabe K., Wachi M., Mizuniwa S., Fujisaki I., (2001), Low-dislocation-density GaAs Wafers Grown by Vertical Gradient Freeze Process, Suitable for Mass Production of Semiconductor Lasers, Hitachi Cable Review, No. 20, August, 2001