PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Bezpieczeństwo procesu syntezy i polikrystalizacji fosforku indu

Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
Safety of the synthesis and polycrystallization of indium phosphide process
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
Proces syntezy i polikrystalizacji fosforku indu przebiega w hermetycznych reaktorach kwarcowych w temperaturze do 1100°C oraz przy ciśnieniu dochodzącym do 3 MPa bez możliwości bezpośredniego pomiaru tych wielkości wewnątrz reaktora. Nieprawidłowości przebiegu procesu mogą, doprowadzić do eksplozji lub implozji reaktora i w konsekwencji zniszczenia pieca oraz zanieczyszczenia wnętrza autoklawu przez substancje, które są agresywne, palne i trujące, np. biały fosfor. Ze względu na niemożność sterowania bezpośredniego przebiegiem procesu konieczne stało się pośrednie wieloetapowe sterowania rozkładem temperatury wielosekcyjnego grzejnika. W pierwszej części artykuł omawia konstrukcje urządzenia i sposób jego sterowania i autodiagnostyki. Druga część jest poświęcona sposobom wykrywama obecności niebezpiecznych substancji na zewnątrz reaktora.
EN
The process of synthesis and polycrystallization of indium phosphide is realized in hermetic quartz reactors in temperature up to 1100°C and pressure up to 3MPa without possibility of direct measurement of these variables inside reactor. The irregularities of the process realization can cause explosion or implosion and in consequence destruction of the furnace and contamination of the autoclave by chemicals which are aggressive, flammable and poisonous e.g., white phosphorus. Because of impossibility of direct control of process realization the multi-step indirect control of temperature distribution of the multi-section heater is necessary. The first part of the paper describes construction of the installation and way of the control and the autodiagnostics. The second part is devoted to methods of detection of hazardous chemicals outside of the reactor.
Rocznik
Tom
Strony
172--184
Opis fizyczny
Bibliogr. 8 poz., rys., tab., wykr.
Twórcy
  • Przemysłowy Instytut Elektroniki
autor
  • Przemysłowy Instytut Elektroniki
autor
  • Przemysłowy Instytut Elektroniki
autor
  • Przemysłowy Instytut Elektroniki
Bibliografia
  • [1] Matsumoto C., Startup hits 80 Gbit/s with indium phosphide chips, EE Times (EDTN), 24 January 2002,
  • [2] Orzyłowski M., Łobodziński W., Rudolf Z., Kałużniacki T., Nowicki G., Sawicki J., Zych M., Diagnostyka stanu procesu syntezy związku półprzewodnikowego na podstawie pomiarów pośrednich, Pomiary Automatyka Robotyka, nr 7/8, 2004, ss. 74-77
  • [3] Dz. U. Nr 11, poz. 84 2001 r.
  • [4] Dz. U. Nr 140, poz. 1171 2002 r.
  • [5] Zgłoszenie patentowe nr 1/573/03 - Sposób monitorowania atmosfery w urządzeniu do syntezy polikrystalicznego fosforku indu.
  • [6] Environmental Protection Act 1990 - Technical Guidance Note M4 (Monitoring) Standards in Support of iPC Monitoring August 1995 London: HMSO
  • [7] NATO Handbook on the Medical Aspects of NBC Defensive Operations. Part III - Chemical Section II - Flame Materials
  • [8] M. Bissonnette, M. Sc. Chemist: Everything you wanted to know about multigas detectors.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-PWA3-0026-0012
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.