Cienkie powłoki osadzane z teraetoksykrzemu i heksametylodisilazanu w procesie elektroplazmowym pod ciśnieniem atmosferycznym

• Autorzy: Schmidt-Szałowski K. , Fabianowski W. , Rżanek-Boroch Z. , Sentek J. , Gutkowski M.
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Kontynuowano prace nad zastosowaniem niejednorodnego wyładowania elektrycznego, stabilizowanego przegrodą dielektryczną do osadzania cienkich powłok ze związków krzemu pod ciśnieniem atmosferycznym. Przez polikondensację heksametylodisilazanu uzyskano cienkie powłoki złożone z azotowo-tlenowych związków krzemu o zawartości azotu do 8% at. Z mieszaniny gazowej TEOS + 02 + Ar (550 ppm 02) uzyskano powłoki o niewielkiej zawartości węgla (ok. 5% at.), nie zawierające wykrywalnych ilości substancji organicznych. Przedstawiono nowe rozwiązanie reaktora do osadzania cienkich powłok pod ciśnieniem atmosferycznym w warunkach wyładowania stabilizowanego przegrodą dielektryczną.

EN

A study was continued on the application of non-homogeneous discharges, stabilised with a dielectric barrier, for deposition under atmospheric pressure of thin films composed of silicon compounds. Using hexamethyldisilazane, thin coatings were produced composed of nitrogen--oxygen compounds of silicon and containing up to 8% at. of nitrogen. From a mixture of TEOS + 02 + Ar (550 ppm 02) the coatings of Iow arbon content (ca. 5 % at.) were obtained. A new type of reactor was designed for the thin films deposition under atmospheric pressure by the discharges stabilised with a dielectric barrier.

Słowa kluczowe

PL

ciśnienie; powłoki; proces elektroplazmowy

• Wydawca: Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej
• Czasopismo: Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Inżynieria Materiałowa
• Rocznik: 1999
• Tom: z. 10
• Strony: 39--50
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., wykr., tab., rys.

Twórcy

autor

Schmidt-Szałowski K.

autor

Fabianowski W.

autor

Rżanek-Boroch Z.

autor

Sentek J.

autor

Gutkowski M.

• Wydział Chemiczny Politechniki Warszawskiej Warszawa