Growth velocities and sectorial and zonal distributions of impurities in crystals

• Autorzy: Szurgot M.

Warianty tytułu

PL

Prędkości wzrostu i sektoralne oraz zonalne rozkłady zanieczyszczeń w kryształach

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Formulae for relative impurity content in various parts of a crystal have been derived and analysis of sectorial and zonal distributions of impurities conducted. Contribution of volume diffusion controlled crystal growth for sectorial and tonal distributions of impurities in lopezite crystals has been evaluated as small in comparison with surface diffusion.

PL

Analizowano rozkład zanieczyszczeń w kryształach, wprowadzając nowe zależności na zawartość zanieczyszczeń w różnych częściach kryształów, które wyprowadzono wykorzystując równanie Burtona-Prima-Slichtera. Porównanie zawartości domieszek określonych teoretycznie z danymi eksperymentalnymi gęstości klasterów defektów punktowych w różnych sektorach i prążkach domieszkowych kryształów lopezytu pokazuje, że dla lopezytu wkład dyfuzji objętościowej jest mały i uwzględnienie procesów dyfuzji powierzchniowej jest konieczne.

Słowa kluczowe

EN

crystal growth; impurities; lopezite crystals; defect

PL

wzrost kryształu; zanieczyszczenie; lopezyt; defekty wzrostu kryształów

• Wydawca: Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
• Czasopismo: Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology
• Rocznik: 2010
• Tom: Vol. 31
• Strony: 75--86
• Opis fizyczny: Bibliogr. 18 poz.

Twórcy

autor

Szurgot M.

• Center of Mathematics and Physics, Technical University of Łódź, Al. Politechniki 11, 90-924 Łódź

Bibliografia

• [1] Sangwal K., Additives and Crystallization Processes: from Fundamentals to Applications (Wiley, Chichester, 2007). Ch. 9.
• [2] Chernov A.A., Crystallization processes. In: Modem Crystallography III: Crystal Growth Chemov A. A, ed. (Springer, Berlin 1984) 1.
• [3] Elwell D., Scheel H.J., Crystal Growth from High-Temperature Solutions (Academic Press, London 1975).
• [4] Brice J.C., The Growth of Crystals from Liquids (North-Holland, Amsterdam 1973).
• [5] Szurgot M., Sangwal K., Karniewicz J., Cryst. Res. Technol., 20 (1985) 645.
• [6] Szurgot M., Sangwal K., Cryst. Res. Technol., 22 (1987) 1477.
• [7] Szurgot M., Cryst. Res. Technol., 25 (1990) 71, 285.
• [8] Szurgot M., Cryst. Res. Technol. 28 (1993) 511.
• [9] Szurgot M., Cryst. Res. Technol. 26 (1991) 43.
• [10] Lefaucheux F., Robert M.C., Sangwal K., J. Crystal Growth, 67 (1984) 541.
• [11] Szurgot, M., Cryst. Res. Technol. 45 (2010) 347.
• [12] Szurgot M., Investigations of distributions of point defect clusters in lopezite crystals by etch topography, in: Microscopy: Science, Technology, Applications and Educalion, A. Badajoz 2010.
• [13] Burton J.A., Prim R.C., Slichter W.P., J. Chem. Phys., 21, 1987 (1953).
• [14] Sangwal K., Szurgot M., J. Crystal Growth, 80 (1987) 351.
• [15] Szurgot M., Chemical Geology, 84 (1990) 329.
• [16] Szurgot M., Sangwal K., J. Crystal Growth, 79 (1986) 829.
• [17] Sangwal K., Etching of Crystals - Theory, Experiment and Application (North-Holland, Amsterdam, 1987).
• [18] Authier A., X-ray and Neutron Topography of Solution-grown Crystals, in: Current Topics in Materiał Science, E. Kaldis and H.J. Scheel, eds., Vol. 2, (North Holland, Amsterdam 1977), p. 515.