Tytuł artykułu
Autorzy
Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
Wyznaczenie kinetycznych parametrów z jednoczesnych pomiarów termicznie stymulowanego przewodnictwa i luminescencji w diamencie
Języki publikacji
Abstrakty
Thermally stimulated conductivity (TSC) and luminescence (TSL) are described assuming conventional model of trapping and recombination in an insulator and the quasi-equilibrium approximation. Using these assumptions the method for determination of the relative density of inactive deep traps from the simultaneous TSC-TSL measurement is derived on the basis of the relation between the areas under TSC and TSL curves. The TSC and TSL in insulating diamond simultaneously measured by Chen are analysed with the method and the methods for determination of kinetic parameters known from literature. The electron trap depth, the frequency factor, the density of deep inactive traps, and the recombination and traping coefficients are determined.
W pracy opisano termicznie stymulowane przewodnictwo (TSC) i luminescencję (TSL) za pomocą ogólnie przyjętego modelu pułapkowania i rekombinacji w izolatorze stosując przybliżenie kwazi-równowagi. Opierając się na tych założeniach zaproponowano metodę wyznaczania gęstości głębokich pułapek elektronowych z jednoczesnych pomiarów TSC i TSL wykorzystując relację między powierzchniami pod krzywymi TSC i TSL. Tę metodę oraz metody wyznaczania parametrów kinetycznych znane z literatury zastosowano do pomiarów TSC i TSL wykonanych na diamencie przez Chena. Zostały wyznaczone parametry: głębokość pułapki, parametr częstotliwościowy, gęstość głębokich pułapek, współczynniki rekombinacji i pułapkowania, rząd kinetyki oraz prawdopodobieństwo rekombinacji.
Rocznik
Tom
Strony
53--73
Opis fizyczny
Bibliogr. 18 poz.
Twórcy
autor
- Institute of Physics, Technical University of Łódź, 93-005 Łódź, Wólczańska 219/223, Poland
autor
- Institute of Physics, Technical University of Łódź, 93-005 Łódź, Wólczańska 219/223, Poland
Bibliografia
- [1] Kivits P., Hagebeuk H., J. Lumin., 15, 1 (1977).
- [2] Kivits P., Reulen. J., Hendrix J., Van Empel F., Van Kleef J., J. Lumin.,16,145 (1978).
- [3] Hillhouse P. W., Woods J., Phys.Stat. Sol., (a)67,l 19 (1981).
- [4] Chen R., Kirsh Y., 1981 Analysis of Thermally Stimulated Processes, Pergamon Press, London 1981.
- [5] Chen R., McKeever S. W. S., Theory of Thermoluminescence,World Scientific, Singapore 1977.
- [6] Chen R., J.Appl.Phys. 42, 5899 (1971).
- [7] Mandowski A., Świątek J., J. Phys D: Appl. Phys., 25,1485 (1992).
- [8] Opanowicz A., J. Appl.Phys. 86. 6189 (1999).
- [9] Opanowicz A., J. Phys. D:Appl.Phys, 33, 1635 (2000).
- [10] Bindi R., Lapraz D., Iacconi P., Boutayeb S., J. Phys. D:Appl. Phys., 27, 2395(1994).
- [11] Opanowicz A., Phys.Stat. Sol., (a)101. 589 (1987).
- [12] Shenker D., Chen R ., J.Comput.Phys.,10, 272 (1972).
- [13] Opanowicz A., Acta Phys.Polon.A.89, 635 (1996).
- [14] Opanowicz A., Zeszyty Nauk. PŁ. Nr 625 Fizyka z.U.,109 (1991).
- [15] Lukas T., Opanowicz A., Internat. Confer. Solid-State Crystals 12-16 October 1998 Zakopane , Proceed. SPIE, Vol.3724, 209 (1999).
- [16] Opanowicz A., Phys.Stat., Sol., (а) П6, 343 (1989).
- [17] Opanowicz A., Phys.Stat. Sol., (a) 130. 207 (1992).
- [18] Opanowicz A., J.Appl.Phys. 84, 5218 (1998).
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-LOD7-0021-0070