PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Activation processes for two chosen aromatic hydrocarbon materials

Treść / Zawartość
Identyfikatory
Warianty tytułu
PL
Mechanizm przewodnictwa ładunku w aktywowanych warstwach tetracenu i p-czterofenylu
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
The activation process and the transport process for electrons in the tetracene layers and holes in the p-quaterphenyl layers is considered. Obtained results may suggests the hopping transport through the localized states near the Fermi level as a dominant kind of transport. Observed dependence of the conductivity on the vapor concentration of the activator molecules may suggest that tetracene is better for utilization as a vapour sensors.
PL
Badano proces aktywacji i proces transportu nośników w warstwach tetracenu i czterofenylu. Uzyskane wyniki zdają się sugerować, że mamy tu do czynienia, jako dominującym transportem, z transportem hoppingowym poprzez stany zlokalizowane w pobliżu poziomu Fermiego. Zależność procesów przewodnictwa od chwilowej wartości stężenia par aktywatora i odwracalność procesu może sugerować pewne możliwości utylitarne. Wydaje się, że większe możliwości zastosowań w technologii cienkowarstwowej ze względu na dużą głębokość modulacji konduktywności i niewystępowania efektu przebicia ma p-czterofenyl. Tetracen może mieć zastosowanie jako materiał modulujący swoje przewodnictwo w obecności gazów pod warunkiem zastosowania grubszych warstw.
Rocznik
Tom
Strony
47--64
Opis fizyczny
Bibliogr. 22 poz.
Twórcy
autor
autor
  • Institute of Physics, Technical University of Łódź, ul. Wólczańska 219
Bibliografia
  • [1] Silinsh E. A., Organic Molecular Crystals, Their Electronic States (Springer-Verlag, Berlin, 1980).
  • [2] Pope M., Swenberg C. E., Electronic Processes in Organic Crystals, (Clarendon Press, Oxford, 1982).
  • [3] Silinsh E. A., Capek V., Organic Molecular Crystals, Interaction, Localization and Transport Phenomena, (American Institute of Physics, New York, 1994).
  • [4] Karl N., J. Crystal Growth 99 (1990) 1009.
  • [5] Karl N., Marktanner J., Stehle R., Warta W., Synthetic Metals 41 (1991) 2473.
  • [6] Warta W., Karl N., Phys. Rev. B 32 (1985) 1172.
  • [7] Warta W., Stehle R., Karl N., Appl. Phys. A 36 (1985) 163.
  • [8] Karl N., Organic Semiconductors, in: Landolt-Bornstein, Group III, vol.17 Semiconductors, (Springer, Berlin, 1985) 106-218.
  • [9] Mycielski W., J. Non-Cryst. Solids, 37 (1980) 267.
  • [10] Kama S, Kondrasiuk J., Bąk G. W., Proc. SPIE. 3179 (1997) 190.
  • [11] Kama S., Kondrasiuk J., Bąk G. W., Molecular Physics Reports, 25, (1999) 93.
  • [12] Emoto N., Kotani M., Chem. Phys. Lett., 101 (1983) 386.
  • [13] Wagner G. et. Mol. Cryst. Liq. Cryst., 118 (1985) 85.
  • [14] Proh A., Billaud D., Lefrant S., Wiss. Berichte Ak. Der Wiss. Der DDR, 29 (1984) 27.
  • [15] Kispert L. D., et al., Mol. Cryst. Liq. Cryst., 118 (1985) 313.
  • [16] Kania S., Kondrasiuk J., Sci. Bull. Łódź Technical University, No. 770 Physics, Vol. 16 (1996) 43.
  • [17] Kania S., Sci. Bull. Łódź Technical University, No. 914 Physics, Vol. 22 (2002) 31.
  • [18] Kania S., Kondrasiuk J., Bąk G.,W., Eur. Phys. J. E., 15 (2004) 439.
  • [19] Kania S. Visnyk of Lviv University. Series Physical, N 40 (2007) 322.
  • [20] Kania S., Sci. Bull. Łódź Technical University, No. 991 Physics, Vol. 27 (2007) 23.
  • [21] Kania S., Wieczorek M., Świątek J., Visnyk of Lviv University. Series Physical, N 38 (2005) 391.
  • [22] Boaz G. Oliveira, et.al., Struct Chem, 20 (2009) 81.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-LOD7-0020-0030
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.