Charge carrier conductivity mechanism for activated tetracene layers

• Autorzy: Kania S. , Kuliński J.

Warianty tytułu

PL

Mechanizm przewodnictwa ładunku w aktywowanych warstwach tetracenu

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The activation process and the transport process for electrons in the tetracene layers is considered. Obtained results may suggests the hopping transport through the localized states near the Fermi level as a dominant kind of transport. Observed dependence of the conductivity on the vapor concentration of the activator molecules may suggest some ability to utilize.

PL

Badano proces aktywacji i proces transportu elektronów w warstwach tetracenu. Uzyskane wyniki zdaj się sugerować, że mamy tu do czynienia, z jako dominującym transportem, z transportem hoppingowym poprzez stany zlokalizowane w pobliżu poziomu Fermiego. Zależność procesów przewodnictwa od chwilowej wartości stężenia par aktywatora i odwracalność procesu może sugerować pewne możliwości utylitarne.

Słowa kluczowe

EN

tetracene films; polycrystalline; activation process; electron mobility; carrier transport

PL

warstwa tetracenu; proces aktywacji; ruchliwość elektronów; transport nośników ładunku

• Wydawca: Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
• Czasopismo: Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology
• Rocznik: 2008
• Tom: Vol. 29
• Strony: 45--56
• Opis fizyczny: Bibliogr. 21 poz.

Twórcy

autor

Kania S.

autor

Kuliński J.

• Institute of Physics, Technical University of Lodz, ul. Wólczańska 219, 90-924 Łódż

Bibliografia

• [1] Silinsh E.A., Organic Molecular Crystals, Their Electronic States, (Springer-Verlag, Berlin, 1980).
• [2] Pope M., Swenberg C.E., Electronic Processes in Organic Crystals, (Clarendon Press, Oxford, 1982).
• [3] Silinsh E.A., Capek V., Organic Molecular Crystals, Interaction, Localization and Transport Phenomena, (American Institute of Physics, New York, 1994).
• [4] Karl N., J. Crystal Growth 99 (1990) 1009.
• [5] Karl N., Marktanner J., Stehle R., Warta W., Synthetic Metals 41-43 (1991) 2473.
• [6] Warta W., Karl N., Phys. Rev. B 32 (1985) 1172.
• [7] Warta W., Stehle R., Karl N., Appl. Phys. A 36 (1985) 163.
• [8] Karl N., Organic Semiconductors, in: Landolt-Bornstein, Group III, vol. 17, Semiconductors, (Springer, Berlin, 1985), pp. 106-218.
• [9] Mycielski W., J. Non-Cryst. Solids, 37 (1980) 267.
• [10] Kania S., Kondrasiuk J., Bąk G.W., Proc. SPIE. 3179 (1997) 190.
• [11] Kania S., Kondrasiuk J., Bąk G.W., Molecular Physics Reports, 25 (1999) 93.
• [12] Emoto N., Kotani M., Chem. Phys. Lett., 101 (1983) 386.
• [13] Wagner G. et. al., Mol. Cryst. Liq. Cryst., 118, (1985) 85.
• [14] Proń A., Billaud D., Lefrant S., Wiss. Berichte Ak. Der Wiss. Der DDR, 29 (1984) 27.
• [15] Kispert L.D., et al., Mol. Cryst. Liq. Cryst., 118, (1985) 313.
• [16] Kania S., Kondrasiuk J., Sci. Bull. Łódź Technical University, 1996, No. 770 Physics, vol. 16, 43-50.
• [17] Kania S., Sci. Bull. Łódź Technical University, 2002, No. 914 Physics, vol. 22, 31.
• [18] Kania S., Kondrasiuk J., Bąk G.,W., Eur. Phys. J. E., 15 (2004) 439.
• [19] Kania S., Visnyk of Lviv University. Series Physical, N 40 (2007) 322.
• [20] Kania S., Sci. Bull. Łódź Technical University, 2007, No 991 Physics, vol. 27, 23.
• [21] Kania S., Wieczorek M., Świątek J., Visnyk of Lviv University. Series Physical, N 38, 391 (2005).