Metody cięcia termicznego wafli krzemowych na potrzeby fotowoltaiki

• Autorzy: Zaborski S. , Stechnij T. , Poroś D.

Warianty tytułu

EN

The method of thermal cutting silicon wafers, in photovoltaics

• Konferencja: Międzynarodowa Konferencja Naukowo-Techniczna EM'12 (Electromachining) (11 ; 16-18.05.2012 ; Bydgoszcz-Pieczyska, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Opracowanie jest syntetycznym ukazaniem typowych struktur geometrycznych powierzchni (SGP), występujących na krawędziach krzemowych ogniw fotowoltaicznych. Genezą owych struktur jest zastosowany zespół technik oddzielania materiału, w rozpatrywanym przypadku krzemu. Uwagę badań skoncentrowano wokół poszukiwania hipotetycznego wpływu na pracę ogniwa krzemowego, niekonwencjonalnych obróbek krawędzi, zwłaszcza, laserowej. Celem porównania i oceny ukazano także powierzchnie pochodzące od cięcia tradycyjnymi, mechanicznymi metodami. Artykuł zawiera szereg materiału będącego wynikiem badawczej pracy katalogującej typowe SGP krzemu fotowoltaicznego. Powierzchnie te zostały ocenione według klasycznych norm opisu SGP, pomierzono je i obliczono stosowne wskaźniki.

EN

The study is synthetic exhibition of the typical surface structures, on edges of silicon photovoltaic cells. Genesis of those lattices are applied technics of the separation the material, in the considered case - silicon. The attention of investigations was concentrated around the search of the hypothetic influence on the work of the silicon cell by unconventional processings of the edge cutting. Surfaces coming from the traditional mechanical cutting methods, were also showed for comparison and opinion. The article contains the sequence of material being the result of the cataloging work, of the typical structures in photovoltaic silicon. These surfaces were estimated according to the classic standards of the description surface, measure and count appropriate coefficients.

Słowa kluczowe

PL

obróbka laserowa; ogniwo krzemowe fotowoltaiczne; struktura geometryczna powierzchni

EN

laser treatment; silicon photovoltaic cell; geometric structure of the surface

• Wydawca: Wydawnictwo Wrocławskiej Rady FSNT NOT
• Czasopismo: Inżynieria Maszyn
• Rocznik: 2011
• Tom: R. 16, z. 4
• Strony: 60--67
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz.

Twórcy

autor

Zaborski S.

autor

Stechnij T.

autor

Poroś D.

• Instytut Technologii Maszyn i Automatyzacji, Politechnika Wrocławska

Bibliografia

• [1] DIETRYCH M., 1998, Podstawy konstrukcji maszyn - tom 2, WNT, Warszawa.
• [2] PRACA ZBIOROWA, 1973, Poradnik metrologa warsztatowego, WNT, Warszawa.
• [3] ADDISON ENGINEERING INC. 2012, www.addisonengineering.com.
• [4] NOWICKI B., 1991, Struktura geometryczna powierzchni. Chropowatość i falistość powierzchni, WNT, Warszawa.
• [5] HEIKENWALDER J., MATTHEES J.R., RICHERZHAGEN B., SEIM T., 1999, Dicing solar cells efficiently, Werkstattstechnik.
• [6] PN-87/M-04250, Warstwa wierzchnia. Terminologia.
• [7] PN-EN ISO 3882: 2004, Powłoki metalowe i inne nieorganiczne. Przegląd metod pomiaru grubości.
• [8] PN-EN ISO 1463: 2004, Powłoki metalowe i tlenkowe. Pomiar grubości powłok. Metoda mikroskopowa.
• [9] J&T TECHNOLOGY CORP. 2012, www.jttech.com.tw.
• [10] JUNG K., YOUNG K., 2010, The Saw-Damage-Induced Structural Defects on the Surface of Silicon Crystals, Department of Materials Science&Engineering, University of Incheon, Dowhadong, Republic of Korea.