Przewodnictwo elektryczne cienkich warstw diamentopodobnego węgla

Staryga, E.

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

Przewodnictwo elektryczne cienkich warstw diamentopodobnego węgla

Autorzy

Staryga E.

Identyfikatory

Warianty tytułu

The electrical conductivity of the thin diamond-like carbon films

Języki publikacji

Abstrakty

W rozprawie przedstawiono wyniki badań przewodnictwa elektrycznego cienkich warstw diamentopodobnego węgla otrzymywanych w procesie plazmochemicznego osadzania z rozkładu metanu w polu elektrycznym wysokiej częstotliwości. Właściwości elektryczne materiału analizowano w powiązaniu z badaniem struktury i składu badanego materiału otrzymywanego przy różnych wartościach ujemnego potencjału Ve autopolaryzacji katody. Analiza wyników badań transmisji fal elektromagnetycznych w zakresie ultrafioletu i w zakresie podczerwieni jak również widm przesunięcia Ramana wskazują na zależność struktury warstw od warunków nanoszenia. Ze wzrostem wartości bezwzględnej potencjału autopolaryzacji katody wzrasta udział wiązań sp2 w sieci materiału, zmniejsza się szerokość przerwy optycznej, nieznacznie zmniejsza się głębokość energetyczna pułapek w przerwie wzbronionej oraz prawdopodobnie zmniejsza się zawartość związanego chemicznie wodoru. Przewodność właściwa warstw diamentopodobnego węgla silnie zależy od warunków otrzymywania warstw, tj. od potencjału autopolaryzacji Ve. Jej wartość w temperaturze pokojowej zmienia się w szerokim przedziale od 10-11S/m do10-4S/m ze wzrostem |Ve| od 20 V do 620 V. W zależności od wartości potencjału Ve można wyodrębnić dwie grupy warstw diamentopodobnego węgla istotnie różniące się wartościami przewodności właściwej i energii aktywacji przewodnictwa. W diamentopodobnym węglu w niskich temperaturach (163÷250 K) dominuje transport przeskokowy w wąskim paśmie stanów zlokalizowanych w pobliżu poziomu Fermiego. Wskazują na to niskie wartości przewodności właściwej i bardzo małe wartości ruchliwości dryfowej elektronów w temperaturze pokojowej (žd rzędu 10-6 cm2/Vs) oraz małe wartości energii aktywacji przewodnictwa (Ea około 0,05 eV) i energii aktywacji ruchliwości (W= 0,035 eV). Otrzymane rezultaty nie umożliwiają ustalenia typu przewodnictwa przeskokowego, dominującego w badanych warstwach diamentopodobnego węgla w stosowanym przedziale temperatury. W wyższych temperaturach (250÷400 K) przewodność właściwa rośnie i wzrasta kilkakrotnie energia aktywacji przewodnictwa elektrycznego, co wskazuje na termiczną aktywację nośników między pasmami stanów zlokalizowanych wewnątrz przerwy ruchliwościowej. W tym przedziale temperatury zmiana energii aktywacji przewodnictwa elektrycznego związana jest ze zmianą szerokości przerwy optycznej spowodowanej zmianą zawartości fazy sp2 w nanoszonych warstwach.

Results of studies of electrical conductivity of thin diamond-like carbon (DLC) films obtained in process of RF PCVD discharge in methane are presented in this paper. The relation between electrical properties of the DLC films and their structure and composition, depending on the value of self-bias voltage Ve, is analized. Analysis of transmission of electromagnetic waves in the UV and IR regions as well as the Raman spectra shows that there is a strong relation between the self-bias voltage and the structure and composition of DLC films. With increasing |Ve| the fraction of sp2 bonds increases, but the width of the optical gap and the depth of detected traps decrease. The amount of chemically bonded hydrogen is likely to decrease too with the increasing value of the self-bias voltage. The electrical conductivity of the DLC films also strongly depends on the value of the self-bias voltage. At the room temperature the conductivity increase from 10-11 S/m to 10-4 S/m for |Ve| increasing from 20V to 620V. Two types of DLC films can be distinguished depending on the value of Ve. The two types differ significantly both in the activation energy of conductivity and in the electrical conductivity itself. The hopping transport in the narrow band of the localized states near Fermi level is dominant in the low temperatures (163 ÷ 250 K). This conclusion is supported by low values of the electrical conductivity and the very small values of the room temperature electron drift mobility (the order of magnitude 10-6 cm2/Vs) and a small values of the activation energy of the electrical conductivity (Ea about 0,05 eV) and the activation energy of the mobility (W = 0,035 eV). The obtained results do not enable to determine the type of hopping transport (thermally activated hopping or variable range hopping), which is dominant in the diamond-like carbon layers in the considered range of temperature. For the higher temperatures (250÷400 K) a significant increase both in the conductivity and the activation energy has been detected. This suggests that the thermal activation of charge carriers between the bands of localized states takes place. In this range of temperature the dependence of the activation energy of the electrical conductivity is related to the change of the optical gap resulting from a change of the sp2 fraction in the deposited layers.

Słowa kluczowe

przewodnictwo elektryczne diamentopodobny węgiel DLC

electrical conductivity diamond-like carbon DLC

Wydawca

Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej

Czasopismo

Zeszyty Naukowe. Rozprawy Naukowe / Politechnika Łódzka

Rocznik

2002

Tom

Z. 307

Strony

3--124

Opis fizyczny

Bibliogr. 167 poz.

Twórcy

autor

Staryga E.

Instytut Fizyki, Wydział Fizyki Technicznej, Informatyki i Matematyki Stosowanej Politechnika Łódzka

Bibliografia

1. "Handbook of Industral Diamond and Diamond Films", (eds.) M.A. Prelas, G. Popovici, L. K. Bigelow, Marcel Dekker Inc., New York, 1998
2. "Applications of Diamond Films and Related Materials", (eds.) Y. Tzeng, M. Yoshikawa, M. Murakawa, A. Feldman,, Elsevier, Amsterdam 1991
3. G.Sh. Gildenblat, S.A. Grot, A. Badzian, Proc. IEEE, 79 (1991) 647
4. S. Aisenberg, R. Chabot, J. Appl. Phys., 42 (1971) 2953
5. J. Robertson, Prog. Solid St. Chem. 21 (1991) 199
6. S. Mitura, A. Sokołowska, J. Szmidt, Arch. Nauki о Mat., 14 (1993) 13
7. К. Enke, Thin Solid Films, 80 (1981) 227
8. J. Zelez, J. Vac. Sci. Technol. A, 1 (1983) 305
9. H. Tsai, D.B. Bogy , J. Vac. Sci. Technol. A, 5 (1987) 3287
10. Crill, V. Patel, Diamond Relat. Mater., 2 (1993) 597
11. M.C. Hicks, C.R. Wroński, S.A. Grot, G.S. Gildenblat, A.R. Badzian, T. Badzian, R. Messier, J. Appl. Phys., 65 (1989) 2139 ,
12. G.Sh. Gildenblat, S.A. Grot, C.W. Hatfield, C.R. Wroński, A.R. Badzian, T. Badzian, R. Messier, Mat. Res. Bull., 25 (1990) 129
13. N. Miura, T. Namaguchi, A. Yamada, M. Kongai, J. Shirakashi, Jpn. J. Appl. Phys., 37 (1998) L423
14. S. Egret, J. Robertson, W.I.Milne, F.J.Clough, Diamond Relat. Mater.,6(1997) 879
15. J. Jaskie, MRS Bulletin, March (1996)
16. S. Mitura, Rozprawa doktorska „ Nanoszenie cienkich warstw węglowych w procesie rozkładu węglowodorów w polu elektrycznym w.cz.”, Politechnika Łódzka, Wydział Mechaniczny, Łódź 1984
17. W. Mycielski, E. Staryga, A. Lipiński, Thin Solid Films, 235 (1993) 13
18. G.W. Bąk, M. Dłużniewski, E. Staryga, S. Kania, J. Walocha, Diamond Relat. Mater., 9 (2000) 1357
19. M. Dłużniewski, E. Staryga, G.W. Bąk, IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation, 8 (2001) 418
20. Encyklopedia Fizyki, t.1-3, PWN, Warszawa 1972-1974
21. Z. Dobkowska, K.M. Pazdro, Szkolny Poradnik Chemiczny, Wydawnictwo Szkolne i Pedagogiczne, Warszawa 1986
22. V.I. Kasatoczkin, V.V. Korszak, Y.P. Kudryavtsev, Carbon, 11 (1973) 70
23. A.G. Whittaker, Science, 200 (1978) 763
24. L. Kavan, J. Kastner, Carbon, 32 (1994) 1533
25. G. Bąk, M. Kryszewski, E. Staryga, Mat. Konf. DRP ’98, Szczyrk 24-27IX 1998
26. K.E. Spear, J.Amer.Soc., 72 (1989) 171
27. C.Z. Wang, K.M. Ho, Phys. Rev. Lett., 71 (1993) 1184
28. E.A. Rohlfing, D.M. Cox, A. Kaldor, J. Chem. Phys., 81 (1984) 3322
29. S. Jasieńko, J. Machikowski, Carbon, 19 (1981) 199
30. C.E. Hall, J. Appl. Phys., 297 (1948) 315
31. S. Mitura, Rozprawa habilitacyjna „ Znaczenie elektronów w procesie niskociśnieniowej syntezy diamentu”, Zeszyty Naukowe nr 666, Rozprawy Naukowe, z. 182, Politechnika Łódzka, Łódź 1992
32. A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Jakubowski, S. Mitura, Diamond Films in Poland, 4th European Symposium & Exibition on Semiconductor Engineering and Materials Technology, SET '94, Warsaw 1994
33. J. Szmidt, Rozprawa habilitacyjna „Diamentopodobne warstwy węglowe wytwarzane metodami plazmowymi na potrzeby elektroniki”, Prace Nauk., Elektronika, z. 108, Politechnika Warszawska, Warszawa, 1995
34. C. Weissmantel, K. Bewilogua, K. Brener, D. Dietrich, U. Ebersbach, H.J. Erler, B. Ran, G. Reisse, Thin Solid Films, 96 (1982) 31
35. S. Fujimori, T. Kasai, T. Inamura, Thin Solid Films, 92 (1982) 71
36. M. Sokołowski, A. Sokołowska, B. Gokieli, A. Michalski, A. Rusek, Z. Romanowski, J. Cryst. Growth, 47 (1979) 421
37. L. Holland, S.M. Ojha, Thin Solid Films, 38 (1976) L17
38. D.S. Whitmell, R. Williamson, Thin Solid Films, 35 (1976) 255
39. K. Fabisiak, S. Orzeszko, F. Rozpłoch, High Temp.-High Press., 20 (1990)177
40. S. Berg, L.P. Andersson, Thin Solid Films, 58 (1979) 117
41. R. Mania, L. Stobierski, R. Pampuch, Cryst. Res. Technol., 16 (1981) 785
42. M. Kamo, Y. Sato, S. Matsumoto, N. Setaka, J. Cryst. Growth, 62 (1983) 642
43. J.C. Angus, P. Koidl, S. Domitz, "Plasma Deposited Thin Films", (ed.) J. Mort, F. Jansen, CRC Press, Boca Raton, FL, 1986
44. L. Holland, S. M. Ojha, Thin Solid Films, 58 (1979) 107
45. E.I. Tochitsky, A.V. Staishevsky, I.A. Kapustin, V.V. Akulich, O.V. Selifanov, Surf. Coat. Technol., 47 (1991) 721
46. V.E. Strelnitskii, V.G. Podalka, S.I. Vakula, Sov. Phys. Tech. Phys., 23 (1978) 222
47. H.J. Scheibe, P. Siemrot, B. Schoneich, A. Mucha, G. Kluge, Diamond Relat. Mater., 1 (1992) 98
48. S. Aisenberg, F.M. Kimock, Mater. Sci. Forum, 52/53 (1989) 1
49. J. Robertson, Phys.Stat.Sol. (a), 186 (2001) 177
50. J. C. Angus, Thin Solid Films, 216 (1992) 126
51. H.W. Kroto, J.R. Heath, S.C. O’Brien, R.F. Curl, R.E. Smalley, Nature, 318(1985) 162
52. H.W. Kroto, Science, 242 (1988) 1139
53. S. Mitura, L. Klimek, Z. Haś, Thin Solid Films, 147 (1987) 83
54. Y. Lifshitz, Diamond Relat. Mater., 5 (1996) 388
55. P. Niedzielski, Rozprawa doktorska „Wytwarzanie warstw nanokrystalicznego diamentu na potrzeby medycyny”, Politechnika Łódzka, Wydział Mechaniczny, Łódź 1998
56. P. Niedzielski, E. Mitura, S. Mitura, M. Dłużniewski, P. Przymusiała, S. Der Sahaguian, E. Staryga, J. Żak, A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Stanishevsky, J.J. Moll, J.A. Moll, Diamond Relat. Mater., 6 (1997) 721
57. J. Szmidt, Proc. ELTE '90 Technologia Elektronowa, IV Konferencja Naukowa, Wrocław 1990
58. E. Staryga, Badania własności elektronowych cienkich warstw diamentopodobnych, Raport Projektu Badawczego KBN 8T1 IB 05808, Łódź 1997
59. E. Staryga, Chaos, Solitons and Fractals, 10 (1999) 2075; Także w: E. Staryga "Structure and Some Electrical Properties of Amorphous Diamond-like Carbon Films" w “Nanotechnology in Materials Science” (ed.) S. Mitura, Elsevier, Amsterdam 2000
60. "Polycrystalline and Amorphous Thin Films and Devices": (ed.) L.L. Kazmerski, Academic Press, New York, 1980
61. B. Dischler, A. Bubenzer, P. Koidl, Solid State Comm., 48 (1983) 105
62. E.H.A. Dekempeneer, J. Jacobs, J. Smeets, J. Meneve, L. Eersels, B. Blanpain, J. Roos, D.J. Oostra, Thin Solid Films, 217 (1992) 56
63. W. Jacob, M. Unger, Appl. Phys. Lett., 68 (1996) 475
64. M. Zarrabian, N. Fourches-coulon, G. Turban, M. Lancin, C. Marhic, Diamond Relat. Mater., 6 (1997) 542
65. Y. Bounouh, M.L. Theye, A. Dehbi-Alaoui, A. Matthews, J.P. Stoquert, Phys. Rev. B, 51 (1995) 9597
66. Z.L. Akkerman, H. Efstathiadis, F.W. Smith, J.Appl. Phys., 80 (1996) 3068
67. G.A. Clarke, Y. Xie, J.E. Eldridge, R.R. Parsons, Thin Solid Films, 280 (1996) 130
68. E. Staryga, A. Lipiński, S. Mitura, Z. Has, Thin Solid Films, 145 (1986) 17
69. H. Barańska, A. Łabudzińska, J. Terpiński, "Laserowa spektroskopia ramanowska", PWN, Warszawa 1981
70. D.S. Knight, W.B. White, J. Mater. Res., 4 (1989) 385,
71. S.A. Solin, A.K. Ramdas, Phys. Rev. В, 1 (1970) 1687
72. F. Tuinstra, J.L. Koenig, J. Chem. Phys., 53 (1970) 1126
73. K. Nakamura, M. Fujitsuka, M. Kitajima, Phys. Rev.B, 41 (1990) 12260
74. E. Staryga, Sci. Bull. Tech. Univ. of Łódź, No.784, Physics, 17 (1997) 52
75. A.C. Ferrari, J. Robertson, Phys.Rev.B, 61 (2000) 14095
76. R.O. Dillon, J.A. Woollam, V. Katkanant, Phys. Rev.B, 29 (1984) 3482
77. J. Robertson, E.P. O'Reilly, Phys.Rev. B, 35 (1987) 2946
78. R.G. Lacerda, F.C. Marques, F.L. Freire Jr., Diamond Relat. Mater. 8 (1999) 495
79. A. Sokołowska, "Niekonwencjonalne środki syntezy materiałów”, Wydawnictwo Naukowe PWN, Warszawa 1991
80. N.W. Ashcroft, N.D. Mermin, "Fizyka ciała stałego", PWN, Warszawa, 1986
81. J. Robertson, Adv. Phys., 35 (1986) 317
82. B. Heinz, H. Morgner, Surf. Sci., 405 (1998) 104
83. J.L. Bredas, G.B. Street, J.Phys.C, 18 (1985) L651
84. J. Robertson, Diamond Relat. Mater., 6 (1997) 212
85. T. Frauenheim, P. Blaudeck, U. Stephan, G. Jungnickel, Phys. Rev. В, 48 (1993) 4823; 50 (1994) 6709; 50 (1994) 7940
86. M. Weiler, S. Sattel, T. Giessen, K. Jung, H. Ehrhardt, V. Veerasamy, J. Robertson, Phys. Rev. B, 53 (1996) 1594
87. R.H. Jarman, G.J. Ray, R.W. Stadley, Appl. Phys. Lett., 49 (1986) 1065
88. R. Kleber, K. Jung, H. Ehrhardt, J. Muhling, K. Breuer, H. Melz, F. Engelke, Thin Solid Films, 205 (1991) 274
89. M.A. Tamor, W.C. Vassell, J. Appl. Phys. 76 (1994) 3823
90. M. Chhowalla, A.C. Ferrari, J. Robertson, G.A.J. Amaratunga, Appl. Phys. Lett., 76(2000) 1419
91. HJ. Von Bardeleben, J.L. Cantin, A. Zeinert, B. Racine, K. Zellama, P.N. Lai, Appl. Phys. Lett., 78 (2001) 2843
92. N.F. Mott, E.A. Davis, "Electronic Processes in Non-Crystalline Materials", Clarendon Press, Oxford, 1971
93. P.W. Anderson, Phys. Rev., 109 (1958) 1492
94. Rusli, J. Robertson, G. Â. J. Amaratunga, J. Appl. Phys., 80 (1996) 2998
95. J. Robertson, Diamond Relat. Mater., 5 (1996) 797
96. D.A. Anderson, Phil. Mag., 35 (1986) 317
97. B. Mayerson, F.W. Smith, J. Non-Cryst. Solids, 35-36 (1980) 435
98. J. Tyczkowski, M. Kryszewski, Mater. Sci. 10 (1984) 295
99. P. Oelhafen, J.L. Freeouf, J.M.E. Harper, J.J. Cuomo, Thin Solid Films, 120 (1984) 231
100. S. Kaplan, F. Jansen, M. Machonkin, Appl. Phys.Lett., 47 (1985) 750
101. J. Tauc, "Amorphous and Liquid Semiconductors", Plenum Press, London 1974
102. E.A. Davis, N.F. Mott, Phil. Mag., 22 (1970) 903
103. J. Stuke, J.Non-Cryst. Solids, 4 (1970) 1
104. A.G. Milnes, Deep impurities in Semiconductors, Wiley&Sons, Inc. New York 1973
105. G.F.J. Garlick, A.F. Gibson, Proc. Phys.Soc., 60 (1948) 574
106. W. Hoogenstraaten, Philipps Res. Repts., 13 (1958) 515
107. H. Kasica, E. Staryga, A. Lipiński, C. Vodenicharov, A. Stanchev, Thin Solid Films, 155 (1987) L5
108. L.I. Grossweiner, J. Appl. Phys., 24 (1953) 1306
109. A.G. Zhdan, V.B. Sandomirsky, A.D. Ozheredov, C.N. Yakovleva, Phys. Technol. Semicond., 3 (1969) 1755
110. A. Halperin, A.A. Brâner, Phys. Rev., 117 (1960) 4801
111. R.H. Bube, Phys. Rev., 106 (1957) 703
112. C.B. Luszczik, Doki. Akad. Nauk SSSR, 101 (1955) 641
113. J.T. Randall, M.H.F. Wilkins, Proc.R.Soc.London, Ser. A, 184 (1945) 366
114. R. Chen, J. Appl. Phys., 40 (1969) 570
115. R. Chen, N. Kristianpoller, Z. Davidson, J. Lumin., 23 (1981) 293
116. A. Lipiński, E. Staryga, J. Świątek, Prace Naukowe WSP w Częstochowie, Seria Matematyczno-Przyrodnicza, nr 4 (1981) str. 15
117. E. Staryga, 4th European Conf. on Diamond, Diamond-Like and Related Materials DIAMOND FILMS' 93, Albufeira 1993, Mat. Konf., abstr. 12.097 Także w: E. Staryga, Diamond Relat. Mater., 3 (1994) 865
118. C. Bucci, R. Fieschi, G. Guidi, Phys. Rev., 148 (1966) 816
119.1.P. Batra, K.K. Kanazawa, H. Sęki, J. Appl. Phys., 41 (1970) 3416
120. R.C. Enck, M. Abkowitz, J. Non-Cryst. Solids, 66 (1984) 255
121. S.M. Vaezi-Nejad, Int. J. Electronics, 62 (1987) 361
122. M. Dłużniewski, Rozprawa doktorska „Badanie wybranych właściwości elektrycznych cienkich warstw węglowych”, Uniwersytet Łódzki, Łódź 2001
123. W.E. Spear, Proc. Phys. Soc., В 70 (1957) 669
124. W. Mycielski, Rozprawa doktorska „Transport nośników ładunku w polikrystalicznych warstwach tetracenu” , Politechnika Łódzka, Łódź, 1974
125. W. Mycielski, E. Staryga, A. Lipiński, A. Wolski, M. Dłużniewski, Elektronika, 11 (1993) 9
126. R. Bakish, "Wiązka elektronów w technice", WNT, Warszawa, 1966, s. 311
127. T. Frauenheim, U. Stephan, P. Blaudeck, G. Jungnickel, Diamond Relat. Mater., 3 (1994) 462
128. J.I. Hartke, Phys. Rev., 125 (1962) 1177
129. H.P. Grunwald, R.M. Blakney, Phys. Rev., 165 (1968) 1006
130. W. Mycielski, E. Staryga, S. Kania, A. Lipiński, Mat. Konf. "Materiały Molekularne' 93", Świeradów Zdrój, 16-20 czerwca, 1993, p.95
131. E. Staryga, M. Dłużniewski, S. Kania, A. Lipiński, X Ogólnopolska Konferencja KRYSZTAŁY MOLEKULARNE '95, Poznań-Kiekrz, 3-6 wrzesień 1995, str. P28
132. W. Mycielski, E. Staryga, A. Lipiński, S. Mitura, A. Sokołowska, 4th European Conf. on Diamond, Diamond-Like and Related Materials DIAMOND FILMS' 93, Albufeira 1993, Mat. Konf., abstr. 12.095; Także w: W. Mycielski, E. Staryga, A. Lipiński, S. Mitura, A. Sokołowska, Diamond Relat. Mater., 3 (1994) 858
133. C.A. Hewett and J.R. Zeidler, Diamond Relat. Mater., 1 (1992) 688
134. W. Mycielski, E. Staryga, A. Lipiński, M. Dłużniewski, Electron Technology, 27 1994)29
135. W. Mycielski, E. Staryga, M. Dłużniewski, W. Strzelecki, Latwian J. Phys. Tech. Sci., 6(1994)3
136. W. Strzelecki, E. Staryga, W. Mycielski, Electrochem. Soc. Proc., 95-4 (1995) 388
137. L. Klibanov, M. Oksman, A. Seidman, N. Croitoru, Diamond Relat. Mater., 6 (1997) 1152
138. L. Klibanov, N. Croitoru, A. Seidman, L. Scheffer, E. Ben-Jacob, Diamond Relat. Mater., 6 (1997) 1868
139. Yu.V. Pleskov, A.R. Tameev, V.P. Varin, I.G. Teremetskaya, A.M. Baranov, Semiconductors, 31 (1997) 980
140. E. Staryga, Proc. Sixth International Symposium on Thin Films in Electronics, Lazumoye, Ukraine, 25 - 29 September 1995, p. 136-137
141. J. Robertson, Mater. Sci. Forum, 52&53 (1989) 125
142. R. Ramesham, Thin Solid Films, 229 (1993) 44
143. J. Szmidt, A. Olszyna, A. Sokołowska, S. Mitura, ISDF2 Second International Symposium on Diamond Films, Minsk (Bielorussia) 1994, 18
144. S. Mitura, J. Szmidt, A. Sokołowska, Proc. NATO Conf. Wide Band Gap Electronic Materials, Kluwer, Amsterdam 1994, 136
145. A. Bubenzer, B. Dischler, G. Brandt, P. Koidl, J. Appl. Phys., 54 (1983) 4590
146. J. Fink, T. Muller-Heinzerling, J. Pfluger, A. Bubenzer, P. Koidl, G. Crecelius, Solid State Commun. 47 (1983) 687
147. R. Zallen, "Fizyka ciał amorficznych", PWN, Warszawa, 1994
148. L. Friedman, J. Non-Cryst. Solids, 6 (1971) 329
149. H. Fritzsche, "Amorphous and Liquid Semiconductors", (ed.) J. Tauc, Plenum Press, London 1974
150. M.H. Cohen, J. Non-Cryst. Solids, 4 (1970) 391
151. A. Miller, B. Abrahams, Phys. Rev. 120 (1960) 745
152. P.G. LeComber, A.Madan, W.E. Spear, J.Non-Cryst. Solids, 11 (1972) 219
153. M. Morgan, Thin Solid Films, 7 (1971) 313
154. E. Staryga, J. Świątek, Thin Solid Films, 56 (1979) 311
155. A. Lipiński, W. Mycielski, J. Świątek, J. Phys. Chem. Solids, 41 (1980) 455
156. C. Ronning, U. Griesmeier, M. Gross, H. Hofsass, R.G. Downing, G.P. Lamaze, Diamond Relat. Mater., 4 (1995) 666
157. A.Vescan, W. Ebert, T. Borst, E. Kohn, Diamond Relat. Mater., 4 (1995) 661
158. M. Dłużniewski, E. Staryga, A.V. Stanishevsky, ЕЛ. Tochitsky, S. Mitura, G. W. Bąk, Adv. Mater. Opt. Electr., 6 (1996) 409
159. D.I. Jones, A.D. Stewart, Phil. Mag. B, 46 (1982) 423
160. A. Helmbold, P. Hammer, J.U. Thiele, K. Rohwer, D. Meissner, Phil. Mag. B, 7 (1995)335
161. E. Staryga, Rozprawa doktorska „Elektryczne właściwości cienkich warstw węglowych otrzymanych w procesie rozkładu metanu w polu elektrycznym wysokiej częstotliwości”, Politechnika Łódzka, Wydział Elektryczny, Łódź 1986
162. M. Langer, Rozprawa doktorska „Analiza wpływu rozkładu pola elektrycznego na jakość warstw diamentopodobnych wytwarzanych dla potrzeb elektroniki w reaktorze plazmochemicznym wysokiej częstotliwości”, Politechnika Łódzka, Wydział Elektrotechniki i Elektroniki, Łódź 1999
163. Z. Haś, S. Mitura, M. Cłapa, J. Szmidt, Thin Solid Films, 136 (1986) 161
164. S.R. Elliot, "Physics of Amorphous Materials", Longman, London, 1990
165. B. Dischier, A. Bubenzer, P. Koidl, Appl. Phys. Lett., 42 (1983) 636
166. M.A. Tamor, W.C. Vassell, J. Appl. Phys., 76 (1995) 3823
167. E. Staryga, praca przyjęta do druku w materiałach konferencji KRYSZTAŁY MOLEKULARNE 2002, Warszawa, 17-21września 2002

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-article-LOD6-0020-0013