Tytuł artykułu
Autorzy
Identyfikatory
Warianty tytułu
The electrical conductivity of the thin diamond-like carbon films
Języki publikacji
Abstrakty
W rozprawie przedstawiono wyniki badań przewodnictwa elektrycznego cienkich warstw diamentopodobnego węgla otrzymywanych w procesie plazmochemicznego osadzania z rozkładu metanu w polu elektrycznym wysokiej częstotliwości. Właściwości elektryczne materiału analizowano w powiązaniu z badaniem struktury i składu badanego materiału otrzymywanego przy różnych wartościach ujemnego potencjału Ve autopolaryzacji katody. Analiza wyników badań transmisji fal elektromagnetycznych w zakresie ultrafioletu i w zakresie podczerwieni jak również widm przesunięcia Ramana wskazują na zależność struktury warstw od warunków nanoszenia. Ze wzrostem wartości bezwzględnej potencjału autopolaryzacji katody wzrasta udział wiązań sp2 w sieci materiału, zmniejsza się szerokość przerwy optycznej, nieznacznie zmniejsza się głębokość energetyczna pułapek w przerwie wzbronionej oraz prawdopodobnie zmniejsza się zawartość związanego chemicznie wodoru. Przewodność właściwa warstw diamentopodobnego węgla silnie zależy od warunków otrzymywania warstw, tj. od potencjału autopolaryzacji Ve. Jej wartość w temperaturze pokojowej zmienia się w szerokim przedziale od 10-11S/m do10-4S/m ze wzrostem |Ve| od 20 V do 620 V. W zależności od wartości potencjału Ve można wyodrębnić dwie grupy warstw diamentopodobnego węgla istotnie różniące się wartościami przewodności właściwej i energii aktywacji przewodnictwa. W diamentopodobnym węglu w niskich temperaturach (163÷250 K) dominuje transport przeskokowy w wąskim paśmie stanów zlokalizowanych w pobliżu poziomu Fermiego. Wskazują na to niskie wartości przewodności właściwej i bardzo małe wartości ruchliwości dryfowej elektronów w temperaturze pokojowej (žd rzędu 10-6 cm2/Vs) oraz małe wartości energii aktywacji przewodnictwa (Ea około 0,05 eV) i energii aktywacji ruchliwości (W= 0,035 eV). Otrzymane rezultaty nie umożliwiają ustalenia typu przewodnictwa przeskokowego, dominującego w badanych warstwach diamentopodobnego węgla w stosowanym przedziale temperatury. W wyższych temperaturach (250÷400 K) przewodność właściwa rośnie i wzrasta kilkakrotnie energia aktywacji przewodnictwa elektrycznego, co wskazuje na termiczną aktywację nośników między pasmami stanów zlokalizowanych wewnątrz przerwy ruchliwościowej. W tym przedziale temperatury zmiana energii aktywacji przewodnictwa elektrycznego związana jest ze zmianą szerokości przerwy optycznej spowodowanej zmianą zawartości fazy sp2 w nanoszonych warstwach.
Results of studies of electrical conductivity of thin diamond-like carbon (DLC) films obtained in process of RF PCVD discharge in methane are presented in this paper. The relation between electrical properties of the DLC films and their structure and composition, depending on the value of self-bias voltage Ve, is analized. Analysis of transmission of electromagnetic waves in the UV and IR regions as well as the Raman spectra shows that there is a strong relation between the self-bias voltage and the structure and composition of DLC films. With increasing |Ve| the fraction of sp2 bonds increases, but the width of the optical gap and the depth of detected traps decrease. The amount of chemically bonded hydrogen is likely to decrease too with the increasing value of the self-bias voltage. The electrical conductivity of the DLC films also strongly depends on the value of the self-bias voltage. At the room temperature the conductivity increase from 10-11 S/m to 10-4 S/m for |Ve| increasing from 20V to 620V. Two types of DLC films can be distinguished depending on the value of Ve. The two types differ significantly both in the activation energy of conductivity and in the electrical conductivity itself. The hopping transport in the narrow band of the localized states near Fermi level is dominant in the low temperatures (163 ÷ 250 K). This conclusion is supported by low values of the electrical conductivity and the very small values of the room temperature electron drift mobility (the order of magnitude 10-6 cm2/Vs) and a small values of the activation energy of the electrical conductivity (Ea about 0,05 eV) and the activation energy of the mobility (W = 0,035 eV). The obtained results do not enable to determine the type of hopping transport (thermally activated hopping or variable range hopping), which is dominant in the diamond-like carbon layers in the considered range of temperature. For the higher temperatures (250÷400 K) a significant increase both in the conductivity and the activation energy has been detected. This suggests that the thermal activation of charge carriers between the bands of localized states takes place. In this range of temperature the dependence of the activation energy of the electrical conductivity is related to the change of the optical gap resulting from a change of the sp2 fraction in the deposited layers.
Rocznik
Tom
Strony
3--124
Opis fizyczny
Bibliogr. 167 poz.
Twórcy
autor
- Instytut Fizyki, Wydział Fizyki Technicznej, Informatyki i Matematyki Stosowanej Politechnika Łódzka
Bibliografia
- 1. "Handbook of Industral Diamond and Diamond Films", (eds.) M.A. Prelas, G. Popovici, L. K. Bigelow, Marcel Dekker Inc., New York, 1998
- 2. "Applications of Diamond Films and Related Materials", (eds.) Y. Tzeng, M. Yoshikawa, M. Murakawa, A. Feldman,, Elsevier, Amsterdam 1991
- 3. G.Sh. Gildenblat, S.A. Grot, A. Badzian, Proc. IEEE, 79 (1991) 647
- 4. S. Aisenberg, R. Chabot, J. Appl. Phys., 42 (1971) 2953
- 5. J. Robertson, Prog. Solid St. Chem. 21 (1991) 199
- 6. S. Mitura, A. Sokołowska, J. Szmidt, Arch. Nauki о Mat., 14 (1993) 13
- 7. К. Enke, Thin Solid Films, 80 (1981) 227
- 8. J. Zelez, J. Vac. Sci. Technol. A, 1 (1983) 305
- 9. H. Tsai, D.B. Bogy , J. Vac. Sci. Technol. A, 5 (1987) 3287
- 10. Crill, V. Patel, Diamond Relat. Mater., 2 (1993) 597
- 11. M.C. Hicks, C.R. Wroński, S.A. Grot, G.S. Gildenblat, A.R. Badzian, T. Badzian, R. Messier, J. Appl. Phys., 65 (1989) 2139 ,
- 12. G.Sh. Gildenblat, S.A. Grot, C.W. Hatfield, C.R. Wroński, A.R. Badzian, T. Badzian, R. Messier, Mat. Res. Bull., 25 (1990) 129
- 13. N. Miura, T. Namaguchi, A. Yamada, M. Kongai, J. Shirakashi, Jpn. J. Appl. Phys., 37 (1998) L423
- 14. S. Egret, J. Robertson, W.I.Milne, F.J.Clough, Diamond Relat. Mater.,6(1997) 879
- 15. J. Jaskie, MRS Bulletin, March (1996)
- 16. S. Mitura, Rozprawa doktorska „ Nanoszenie cienkich warstw węglowych w procesie rozkładu węglowodorów w polu elektrycznym w.cz.”, Politechnika Łódzka, Wydział Mechaniczny, Łódź 1984
- 17. W. Mycielski, E. Staryga, A. Lipiński, Thin Solid Films, 235 (1993) 13
- 18. G.W. Bąk, M. Dłużniewski, E. Staryga, S. Kania, J. Walocha, Diamond Relat. Mater., 9 (2000) 1357
- 19. M. Dłużniewski, E. Staryga, G.W. Bąk, IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation, 8 (2001) 418
- 20. Encyklopedia Fizyki, t.1-3, PWN, Warszawa 1972-1974
- 21. Z. Dobkowska, K.M. Pazdro, Szkolny Poradnik Chemiczny, Wydawnictwo Szkolne i Pedagogiczne, Warszawa 1986
- 22. V.I. Kasatoczkin, V.V. Korszak, Y.P. Kudryavtsev, Carbon, 11 (1973) 70
- 23. A.G. Whittaker, Science, 200 (1978) 763
- 24. L. Kavan, J. Kastner, Carbon, 32 (1994) 1533
- 25. G. Bąk, M. Kryszewski, E. Staryga, Mat. Konf. DRP ’98, Szczyrk 24-27IX 1998
- 26. K.E. Spear, J.Amer.Soc., 72 (1989) 171
- 27. C.Z. Wang, K.M. Ho, Phys. Rev. Lett., 71 (1993) 1184
- 28. E.A. Rohlfing, D.M. Cox, A. Kaldor, J. Chem. Phys., 81 (1984) 3322
- 29. S. Jasieńko, J. Machikowski, Carbon, 19 (1981) 199
- 30. C.E. Hall, J. Appl. Phys., 297 (1948) 315
- 31. S. Mitura, Rozprawa habilitacyjna „ Znaczenie elektronów w procesie niskociśnieniowej syntezy diamentu”, Zeszyty Naukowe nr 666, Rozprawy Naukowe, z. 182, Politechnika Łódzka, Łódź 1992
- 32. A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Jakubowski, S. Mitura, Diamond Films in Poland, 4th European Symposium & Exibition on Semiconductor Engineering and Materials Technology, SET '94, Warsaw 1994
- 33. J. Szmidt, Rozprawa habilitacyjna „Diamentopodobne warstwy węglowe wytwarzane metodami plazmowymi na potrzeby elektroniki”, Prace Nauk., Elektronika, z. 108, Politechnika Warszawska, Warszawa, 1995
- 34. C. Weissmantel, K. Bewilogua, K. Brener, D. Dietrich, U. Ebersbach, H.J. Erler, B. Ran, G. Reisse, Thin Solid Films, 96 (1982) 31
- 35. S. Fujimori, T. Kasai, T. Inamura, Thin Solid Films, 92 (1982) 71
- 36. M. Sokołowski, A. Sokołowska, B. Gokieli, A. Michalski, A. Rusek, Z. Romanowski, J. Cryst. Growth, 47 (1979) 421
- 37. L. Holland, S.M. Ojha, Thin Solid Films, 38 (1976) L17
- 38. D.S. Whitmell, R. Williamson, Thin Solid Films, 35 (1976) 255
- 39. K. Fabisiak, S. Orzeszko, F. Rozpłoch, High Temp.-High Press., 20 (1990)177
- 40. S. Berg, L.P. Andersson, Thin Solid Films, 58 (1979) 117
- 41. R. Mania, L. Stobierski, R. Pampuch, Cryst. Res. Technol., 16 (1981) 785
- 42. M. Kamo, Y. Sato, S. Matsumoto, N. Setaka, J. Cryst. Growth, 62 (1983) 642
- 43. J.C. Angus, P. Koidl, S. Domitz, "Plasma Deposited Thin Films", (ed.) J. Mort, F. Jansen, CRC Press, Boca Raton, FL, 1986
- 44. L. Holland, S. M. Ojha, Thin Solid Films, 58 (1979) 107
- 45. E.I. Tochitsky, A.V. Staishevsky, I.A. Kapustin, V.V. Akulich, O.V. Selifanov, Surf. Coat. Technol., 47 (1991) 721
- 46. V.E. Strelnitskii, V.G. Podalka, S.I. Vakula, Sov. Phys. Tech. Phys., 23 (1978) 222
- 47. H.J. Scheibe, P. Siemrot, B. Schoneich, A. Mucha, G. Kluge, Diamond Relat. Mater., 1 (1992) 98
- 48. S. Aisenberg, F.M. Kimock, Mater. Sci. Forum, 52/53 (1989) 1
- 49. J. Robertson, Phys.Stat.Sol. (a), 186 (2001) 177
- 50. J. C. Angus, Thin Solid Films, 216 (1992) 126
- 51. H.W. Kroto, J.R. Heath, S.C. O’Brien, R.F. Curl, R.E. Smalley, Nature, 318(1985) 162
- 52. H.W. Kroto, Science, 242 (1988) 1139
- 53. S. Mitura, L. Klimek, Z. Haś, Thin Solid Films, 147 (1987) 83
- 54. Y. Lifshitz, Diamond Relat. Mater., 5 (1996) 388
- 55. P. Niedzielski, Rozprawa doktorska „Wytwarzanie warstw nanokrystalicznego diamentu na potrzeby medycyny”, Politechnika Łódzka, Wydział Mechaniczny, Łódź 1998
- 56. P. Niedzielski, E. Mitura, S. Mitura, M. Dłużniewski, P. Przymusiała, S. Der Sahaguian, E. Staryga, J. Żak, A. Sokołowska, J. Szmidt, A. Stanishevsky, J.J. Moll, J.A. Moll, Diamond Relat. Mater., 6 (1997) 721
- 57. J. Szmidt, Proc. ELTE '90 Technologia Elektronowa, IV Konferencja Naukowa, Wrocław 1990
- 58. E. Staryga, Badania własności elektronowych cienkich warstw diamentopodobnych, Raport Projektu Badawczego KBN 8T1 IB 05808, Łódź 1997
- 59. E. Staryga, Chaos, Solitons and Fractals, 10 (1999) 2075; Także w: E. Staryga "Structure and Some Electrical Properties of Amorphous Diamond-like Carbon Films" w “Nanotechnology in Materials Science” (ed.) S. Mitura, Elsevier, Amsterdam 2000
- 60. "Polycrystalline and Amorphous Thin Films and Devices": (ed.) L.L. Kazmerski, Academic Press, New York, 1980
- 61. B. Dischler, A. Bubenzer, P. Koidl, Solid State Comm., 48 (1983) 105
- 62. E.H.A. Dekempeneer, J. Jacobs, J. Smeets, J. Meneve, L. Eersels, B. Blanpain, J. Roos, D.J. Oostra, Thin Solid Films, 217 (1992) 56
- 63. W. Jacob, M. Unger, Appl. Phys. Lett., 68 (1996) 475
- 64. M. Zarrabian, N. Fourches-coulon, G. Turban, M. Lancin, C. Marhic, Diamond Relat. Mater., 6 (1997) 542
- 65. Y. Bounouh, M.L. Theye, A. Dehbi-Alaoui, A. Matthews, J.P. Stoquert, Phys. Rev. B, 51 (1995) 9597
- 66. Z.L. Akkerman, H. Efstathiadis, F.W. Smith, J.Appl. Phys., 80 (1996) 3068
- 67. G.A. Clarke, Y. Xie, J.E. Eldridge, R.R. Parsons, Thin Solid Films, 280 (1996) 130
- 68. E. Staryga, A. Lipiński, S. Mitura, Z. Has, Thin Solid Films, 145 (1986) 17
- 69. H. Barańska, A. Łabudzińska, J. Terpiński, "Laserowa spektroskopia ramanowska", PWN, Warszawa 1981
- 70. D.S. Knight, W.B. White, J. Mater. Res., 4 (1989) 385,
- 71. S.A. Solin, A.K. Ramdas, Phys. Rev. В, 1 (1970) 1687
- 72. F. Tuinstra, J.L. Koenig, J. Chem. Phys., 53 (1970) 1126
- 73. K. Nakamura, M. Fujitsuka, M. Kitajima, Phys. Rev.B, 41 (1990) 12260
- 74. E. Staryga, Sci. Bull. Tech. Univ. of Łódź, No.784, Physics, 17 (1997) 52
- 75. A.C. Ferrari, J. Robertson, Phys.Rev.B, 61 (2000) 14095
- 76. R.O. Dillon, J.A. Woollam, V. Katkanant, Phys. Rev.B, 29 (1984) 3482
- 77. J. Robertson, E.P. O'Reilly, Phys.Rev. B, 35 (1987) 2946
- 78. R.G. Lacerda, F.C. Marques, F.L. Freire Jr., Diamond Relat. Mater. 8 (1999) 495
- 79. A. Sokołowska, "Niekonwencjonalne środki syntezy materiałów”, Wydawnictwo Naukowe PWN, Warszawa 1991
- 80. N.W. Ashcroft, N.D. Mermin, "Fizyka ciała stałego", PWN, Warszawa, 1986
- 81. J. Robertson, Adv. Phys., 35 (1986) 317
- 82. B. Heinz, H. Morgner, Surf. Sci., 405 (1998) 104
- 83. J.L. Bredas, G.B. Street, J.Phys.C, 18 (1985) L651
- 84. J. Robertson, Diamond Relat. Mater., 6 (1997) 212
- 85. T. Frauenheim, P. Blaudeck, U. Stephan, G. Jungnickel, Phys. Rev. В, 48 (1993) 4823; 50 (1994) 6709; 50 (1994) 7940
- 86. M. Weiler, S. Sattel, T. Giessen, K. Jung, H. Ehrhardt, V. Veerasamy, J. Robertson, Phys. Rev. B, 53 (1996) 1594
- 87. R.H. Jarman, G.J. Ray, R.W. Stadley, Appl. Phys. Lett., 49 (1986) 1065
- 88. R. Kleber, K. Jung, H. Ehrhardt, J. Muhling, K. Breuer, H. Melz, F. Engelke, Thin Solid Films, 205 (1991) 274
- 89. M.A. Tamor, W.C. Vassell, J. Appl. Phys. 76 (1994) 3823
- 90. M. Chhowalla, A.C. Ferrari, J. Robertson, G.A.J. Amaratunga, Appl. Phys. Lett., 76(2000) 1419
- 91. HJ. Von Bardeleben, J.L. Cantin, A. Zeinert, B. Racine, K. Zellama, P.N. Lai, Appl. Phys. Lett., 78 (2001) 2843
- 92. N.F. Mott, E.A. Davis, "Electronic Processes in Non-Crystalline Materials", Clarendon Press, Oxford, 1971
- 93. P.W. Anderson, Phys. Rev., 109 (1958) 1492
- 94. Rusli, J. Robertson, G. Â. J. Amaratunga, J. Appl. Phys., 80 (1996) 2998
- 95. J. Robertson, Diamond Relat. Mater., 5 (1996) 797
- 96. D.A. Anderson, Phil. Mag., 35 (1986) 317
- 97. B. Mayerson, F.W. Smith, J. Non-Cryst. Solids, 35-36 (1980) 435
- 98. J. Tyczkowski, M. Kryszewski, Mater. Sci. 10 (1984) 295
- 99. P. Oelhafen, J.L. Freeouf, J.M.E. Harper, J.J. Cuomo, Thin Solid Films, 120 (1984) 231
- 100. S. Kaplan, F. Jansen, M. Machonkin, Appl. Phys.Lett., 47 (1985) 750
- 101. J. Tauc, "Amorphous and Liquid Semiconductors", Plenum Press, London 1974
- 102. E.A. Davis, N.F. Mott, Phil. Mag., 22 (1970) 903
- 103. J. Stuke, J.Non-Cryst. Solids, 4 (1970) 1
- 104. A.G. Milnes, Deep impurities in Semiconductors, Wiley&Sons, Inc. New York 1973
- 105. G.F.J. Garlick, A.F. Gibson, Proc. Phys.Soc., 60 (1948) 574
- 106. W. Hoogenstraaten, Philipps Res. Repts., 13 (1958) 515
- 107. H. Kasica, E. Staryga, A. Lipiński, C. Vodenicharov, A. Stanchev, Thin Solid Films, 155 (1987) L5
- 108. L.I. Grossweiner, J. Appl. Phys., 24 (1953) 1306
- 109. A.G. Zhdan, V.B. Sandomirsky, A.D. Ozheredov, C.N. Yakovleva, Phys. Technol. Semicond., 3 (1969) 1755
- 110. A. Halperin, A.A. Brâner, Phys. Rev., 117 (1960) 4801
- 111. R.H. Bube, Phys. Rev., 106 (1957) 703
- 112. C.B. Luszczik, Doki. Akad. Nauk SSSR, 101 (1955) 641
- 113. J.T. Randall, M.H.F. Wilkins, Proc.R.Soc.London, Ser. A, 184 (1945) 366
- 114. R. Chen, J. Appl. Phys., 40 (1969) 570
- 115. R. Chen, N. Kristianpoller, Z. Davidson, J. Lumin., 23 (1981) 293
- 116. A. Lipiński, E. Staryga, J. Świątek, Prace Naukowe WSP w Częstochowie, Seria Matematyczno-Przyrodnicza, nr 4 (1981) str. 15
- 117. E. Staryga, 4th European Conf. on Diamond, Diamond-Like and Related Materials DIAMOND FILMS' 93, Albufeira 1993, Mat. Konf., abstr. 12.097 Także w: E. Staryga, Diamond Relat. Mater., 3 (1994) 865
- 118. C. Bucci, R. Fieschi, G. Guidi, Phys. Rev., 148 (1966) 816
- 119.1.P. Batra, K.K. Kanazawa, H. Sęki, J. Appl. Phys., 41 (1970) 3416
- 120. R.C. Enck, M. Abkowitz, J. Non-Cryst. Solids, 66 (1984) 255
- 121. S.M. Vaezi-Nejad, Int. J. Electronics, 62 (1987) 361
- 122. M. Dłużniewski, Rozprawa doktorska „Badanie wybranych właściwości elektrycznych cienkich warstw węglowych”, Uniwersytet Łódzki, Łódź 2001
- 123. W.E. Spear, Proc. Phys. Soc., В 70 (1957) 669
- 124. W. Mycielski, Rozprawa doktorska „Transport nośników ładunku w polikrystalicznych warstwach tetracenu” , Politechnika Łódzka, Łódź, 1974
- 125. W. Mycielski, E. Staryga, A. Lipiński, A. Wolski, M. Dłużniewski, Elektronika, 11 (1993) 9
- 126. R. Bakish, "Wiązka elektronów w technice", WNT, Warszawa, 1966, s. 311
- 127. T. Frauenheim, U. Stephan, P. Blaudeck, G. Jungnickel, Diamond Relat. Mater., 3 (1994) 462
- 128. J.I. Hartke, Phys. Rev., 125 (1962) 1177
- 129. H.P. Grunwald, R.M. Blakney, Phys. Rev., 165 (1968) 1006
- 130. W. Mycielski, E. Staryga, S. Kania, A. Lipiński, Mat. Konf. "Materiały Molekularne' 93", Świeradów Zdrój, 16-20 czerwca, 1993, p.95
- 131. E. Staryga, M. Dłużniewski, S. Kania, A. Lipiński, X Ogólnopolska Konferencja KRYSZTAŁY MOLEKULARNE '95, Poznań-Kiekrz, 3-6 wrzesień 1995, str. P28
- 132. W. Mycielski, E. Staryga, A. Lipiński, S. Mitura, A. Sokołowska, 4th European Conf. on Diamond, Diamond-Like and Related Materials DIAMOND FILMS' 93, Albufeira 1993, Mat. Konf., abstr. 12.095; Także w: W. Mycielski, E. Staryga, A. Lipiński, S. Mitura, A. Sokołowska, Diamond Relat. Mater., 3 (1994) 858
- 133. C.A. Hewett and J.R. Zeidler, Diamond Relat. Mater., 1 (1992) 688
- 134. W. Mycielski, E. Staryga, A. Lipiński, M. Dłużniewski, Electron Technology, 27 1994)29
- 135. W. Mycielski, E. Staryga, M. Dłużniewski, W. Strzelecki, Latwian J. Phys. Tech. Sci., 6(1994)3
- 136. W. Strzelecki, E. Staryga, W. Mycielski, Electrochem. Soc. Proc., 95-4 (1995) 388
- 137. L. Klibanov, M. Oksman, A. Seidman, N. Croitoru, Diamond Relat. Mater., 6 (1997) 1152
- 138. L. Klibanov, N. Croitoru, A. Seidman, L. Scheffer, E. Ben-Jacob, Diamond Relat. Mater., 6 (1997) 1868
- 139. Yu.V. Pleskov, A.R. Tameev, V.P. Varin, I.G. Teremetskaya, A.M. Baranov, Semiconductors, 31 (1997) 980
- 140. E. Staryga, Proc. Sixth International Symposium on Thin Films in Electronics, Lazumoye, Ukraine, 25 - 29 September 1995, p. 136-137
- 141. J. Robertson, Mater. Sci. Forum, 52&53 (1989) 125
- 142. R. Ramesham, Thin Solid Films, 229 (1993) 44
- 143. J. Szmidt, A. Olszyna, A. Sokołowska, S. Mitura, ISDF2 Second International Symposium on Diamond Films, Minsk (Bielorussia) 1994, 18
- 144. S. Mitura, J. Szmidt, A. Sokołowska, Proc. NATO Conf. Wide Band Gap Electronic Materials, Kluwer, Amsterdam 1994, 136
- 145. A. Bubenzer, B. Dischler, G. Brandt, P. Koidl, J. Appl. Phys., 54 (1983) 4590
- 146. J. Fink, T. Muller-Heinzerling, J. Pfluger, A. Bubenzer, P. Koidl, G. Crecelius, Solid State Commun. 47 (1983) 687
- 147. R. Zallen, "Fizyka ciał amorficznych", PWN, Warszawa, 1994
- 148. L. Friedman, J. Non-Cryst. Solids, 6 (1971) 329
- 149. H. Fritzsche, "Amorphous and Liquid Semiconductors", (ed.) J. Tauc, Plenum Press, London 1974
- 150. M.H. Cohen, J. Non-Cryst. Solids, 4 (1970) 391
- 151. A. Miller, B. Abrahams, Phys. Rev. 120 (1960) 745
- 152. P.G. LeComber, A.Madan, W.E. Spear, J.Non-Cryst. Solids, 11 (1972) 219
- 153. M. Morgan, Thin Solid Films, 7 (1971) 313
- 154. E. Staryga, J. Świątek, Thin Solid Films, 56 (1979) 311
- 155. A. Lipiński, W. Mycielski, J. Świątek, J. Phys. Chem. Solids, 41 (1980) 455
- 156. C. Ronning, U. Griesmeier, M. Gross, H. Hofsass, R.G. Downing, G.P. Lamaze, Diamond Relat. Mater., 4 (1995) 666
- 157. A.Vescan, W. Ebert, T. Borst, E. Kohn, Diamond Relat. Mater., 4 (1995) 661
- 158. M. Dłużniewski, E. Staryga, A.V. Stanishevsky, ЕЛ. Tochitsky, S. Mitura, G. W. Bąk, Adv. Mater. Opt. Electr., 6 (1996) 409
- 159. D.I. Jones, A.D. Stewart, Phil. Mag. B, 46 (1982) 423
- 160. A. Helmbold, P. Hammer, J.U. Thiele, K. Rohwer, D. Meissner, Phil. Mag. B, 7 (1995)335
- 161. E. Staryga, Rozprawa doktorska „Elektryczne właściwości cienkich warstw węglowych otrzymanych w procesie rozkładu metanu w polu elektrycznym wysokiej częstotliwości”, Politechnika Łódzka, Wydział Elektryczny, Łódź 1986
- 162. M. Langer, Rozprawa doktorska „Analiza wpływu rozkładu pola elektrycznego na jakość warstw diamentopodobnych wytwarzanych dla potrzeb elektroniki w reaktorze plazmochemicznym wysokiej częstotliwości”, Politechnika Łódzka, Wydział Elektrotechniki i Elektroniki, Łódź 1999
- 163. Z. Haś, S. Mitura, M. Cłapa, J. Szmidt, Thin Solid Films, 136 (1986) 161
- 164. S.R. Elliot, "Physics of Amorphous Materials", Longman, London, 1990
- 165. B. Dischier, A. Bubenzer, P. Koidl, Appl. Phys. Lett., 42 (1983) 636
- 166. M.A. Tamor, W.C. Vassell, J. Appl. Phys., 76 (1995) 3823
- 167. E. Staryga, praca przyjęta do druku w materiałach konferencji KRYSZTAŁY MOLEKULARNE 2002, Warszawa, 17-21września 2002
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-LOD6-0020-0013