Wyznaczanie parametrów modelu przejściowej impedancji termicznej tranzystora VDMOS

• Autorzy: Górecki K. , Zarębski J.
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Praca dotyczy pomiarów wartości parametrów modelu przejściowej impedancji termicznej Z(t) tranzystora VDMOS. W pracy przedstawiono metodę pomiaru Z(t) bazującą na krzywej chłodzenia. sposób estymacji parametrów modelu Z(t) oraz wyniki pomiarów zależności Z(t) od mocy wydzielanej w badanym elemencie a także wielkości radiatora oraz orientacji przestrzennej badanego tranzystora.

Słowa kluczowe

PL

impedencja termiczna; tgranzystor VDMOS

EN

impedance; transistor VDMOS

• Wydawca: Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych Politechniki Łódzkiej
• Czasopismo: Mikroelektronika i Informatyka : prace naukowe
• Rocznik: 2002
• Tom: Z. nr 2
• Strony: 23--29
• Opis fizyczny: Bibliogr. 14 poz., wykr.

Twórcy

autor

Górecki K.

• Katedra Radioelektroniki Morskiej, Akademia Morska w Gdyni

autor

Zarębski J.

• Katedra Radioelektroniki Morskiej, Akademia Morska w Gdyni

Bibliografia

• [1] Zarębski J.: Modelowanie, symulacja i pomiary przebiegów elektrotermicznych w elementach półprzewodnikowych i układach elektronicznych. Prace Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni, Gdynia, 1996.
• [2] Nowakowski A.: Badanie procesów termicznych w przyrządach półprzewodnikowych. Zeszyty Naukowe Politechniki Gdańskiej, nr 389, Elektronika LX, 1984.
• [3] Stepowicz W.J., Jankę W.: Modele termiczne elementów półprzewodnikowych. Zeszyty Naukowe Politechniki Gdańskiej, nr 348, Elektronika LVI, 1982, s. 3.
• [4] Zarębski J., Górecki K., Stepowicz W.J.: Wpływ sposobu zamocowania tranzystora na jego rezystancję termiczną, VI Konferencja Naukowa „Technologia Elektronowa” ELTE’97, Krynica 1997, t. 1., s. 708.
• [5] Stepowicz W.J., Zarębski J., Górecki K.: Thermal Performance of the Selected Monolitic and Hybrid Circuits, Proceedings of the 20-th ISHM Poland, Jurata Sept. 15-18, 1996, International Society for Hybrid Microelectronics Poland Chapter, Wrocław 1997, p. 263.
• [6] Stepowicz W.J., Zarębski J., Górecki К.: Wpływ wybranych czynników na rezystancję termiczną elementów półprzewodnikowych. IX Sympozjum „Podstawowe Problemy Energoelektroniki i Elektromechaniki” PPEE’2000, Wisła, 2000, s. 54.
• [7] Jurewicz A., Jankę W.: Rezystancja termiczna elementów elektronicznych i jej zależność od temperatury. Elektronika, Nr 9, 1994, s. 8.
• [8] Jankę W.: Zjawiska termiczne w elementach i układach półprzewodnikowych. WNT, Warszawa 1992.
• [9] Pelc T., Borczyński J.: Odprowadzanie ciepła z przyrządów półprzewodnikowych. WKiŁ, Warszawa, 1986.
• [10] Górecki K„ Zarębski J.: System mikrokomputerowy do pomiaru parametrów termicznych elementów półprzewodnikowych i układów scalonych. Metrologia i Systemy Pomiarowe, Nr 4,2001, s. 379.
• [11] D. L. Blackburn, F. F. Oettinger: Transient Thermal Response Measurements of Power Transistors. IEEE Trans, on Industrial Electronics and Control Instrumentation, Vol. IECI-22, p. 134, 1975.
• [12] Górecki K„ Zarębski J.: Badanie charakterystyk termometrycznych elementów półprzewodnikowych ze złączem p-n. Metrologia i Systemy Pomiarowe, Nr 4, 2001, s. 397.
• [13] Kołodziejski J., Spiralski L., Stolarski E.: Pomiary przyrządów półprzewodnikowych. Warszawa, WKŁ, 1990.
• [14] Oettinger F. F., Blackburn D. L.: Semiconductor Measurement Technology: Thermal Resistance Measurements, U. S. Department of Commerce, NIST/SP-400/86, 1990.