Pomiary rozkładów temperatury w strukturach tranzystorów VDMOS

• Autorzy: Górecki K. , Posobkiewicz K. , Olszewski A. , Pietrzak P.
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Praca dotyczy badania rozkładu temperatury w polowych tranzystorach mocy przy wykorzystaniu metod pirometrycznych. Przedstawiono wyniki pomiarów rozkładu temperatury na powierzchni tranzystorów IRF840 umieszczonych w róznych obudowach, na różnych radiatorach, przy różnej orientacji przestrzennej badanego elementu i różnych wartościach mocy wydzielanej w badanym tranzystorze. Zamieszczono również czasowe przebiegi temperatury w wybranym punkcie struktury badanego tranzystora.

Słowa kluczowe

PL

tgranzystor VDMOS; rozkład temperatury

EN

transistor VDMOS; distribution of temperature

• Wydawca: Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych Politechniki Łódzkiej
• Czasopismo: Mikroelektronika i Informatyka : prace naukowe
• Rocznik: 2002
• Tom: Z. nr 2
• Strony: 15--21
• Opis fizyczny: Bibliogr. 17 poz., wykr.

Twórcy

autor

Górecki K.

• Akademia Morska w Gdyni. Katedra Radioelektroniki Morskiej

autor

Posobkiewicz K.

• Akademia Morska w Gdyni. Katedra Radioelektroniki Morskiej

autor

Olszewski A.

• Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych, Politechnika Łódzka

autor

Pietrzak P.

• Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych, Politechnika Łódzka

Bibliografia

• [1] Kołodziejski J., Spiralski L., Stolarski E.: Pomiary przyrządów półprzewodnikowych. Warszawa, WKŁ, 1990.
• [2] Oettinger F. F., Blackburn D. L.: Semiconductor Measurement Technology: Thermal Resistance Measurements, U. S. Department of Commerce, NIST/SP-400/86, 1990.
• [3] Napieralski A.: Komputerowe projektowanie układów półprzewodnikowych mocy ze szczególnym uwzględnieniem ich właściwości termicznych. Zeszyty Naukowe Politechniki Łódzkiej, Nr 562, Łódź 1988.
• [4] Nowakowski A.: Badanie procesów termicznych w przyrządach półprzewodnikowych. Zeszyty Naukowe Politechniki Gdańskiej, Elektronika, Zeszyt LX, Gdańsk, 1985.
• [5] Górecki K.: Elektrotermiczny makromodel tranzystora Darlingtona do analizy układów elektronicznych. Praca doktorska, Politechnika Gdańska, 1999.
• [6] Rudowski G.: Termowizja i jej zastosowanie, WKiŁ, Warszawa 1978.
• [7] Thermovision 900 Series, Users' Manual, Agema Infrared Systems.
• [8] Zarębski J., Górecki К.: Pomiary rozkładu temperatury wnętrza tranzystorów Darlingtona mocy. Raport NB.1/98, Katedra Radioelektroniki Morskiej, Wyższa Szkoła Morska w Gdyni, 1998.
• [9] Górecki K., Zarębski J.: Pomiary rozkładu temperatury na powierzchni struktury tranzystorów Darlingtona mocy. Elektronizacja, Not-Sigma, Warszawa, nr 12, 2000, s. 13.
• [10] Suchenia T., Szczerkowski M.: Badanie wpływu mocowania wybranych elementów półprzewodnikowych na ich rezystancję termiczną. Praca dyplomowa inżynierska, Wydział Elektryczny, Akademia Morska w Gdyni, 2002.
• [11] Minkinia W. A., Rutkowski P., Wild W. A.: Podstawy pomiarów termowizyjnych. Część I - Istota termowizji i historia jej rozwoju. PAK, Nr 1, 2000, s. 7.
• [12] Minkinia W. A., Rutkowski P., Wild W. A.: Podstawy pomiarów termowizyjnych. Część II - Współczesne rozwiązania systemów termowizyjnych, błędy pomiaru. PAK, Nr 1, 2000, s. 11.
• [13] Nowakowski A. i inni :Postępy termografii - aplikacje medyczne, Wyd. Politechniki Gdańskiej, Gdańsk 2001.
• [14] Instrukcja obsługi urządzenia do ultraszybkich pomiarów temperatury, Vigo-System, Warszawa 2001.
• [15] Instrukcja obsługi kamery termograficznej serii V-20, Vigo-System, Warszawa 2001.
• [16] Rzeczkowski M.: Bezkontaktowe pomiary temperatury. Kamera termograficzna V-20. PAK, Nr 4, 2002, s. 23.
• [17] Pelc T., Borczyński J.: Odprowadzanie ciepła z przyrządów półprzewodnikowych. WKiŁ, Warszawa, 1986.