Tytuł artykułu
Autorzy
Identyfikatory
Warianty tytułu
Konferencja
Konferencja Katedry Mikroelektroniki i Technik Informatycznych Mikorzyn 2005
Języki publikacji
Abstrakty
Praca dotyczy pomiarów rezystancji termicznej tranzystora mocy MOS typu MTD20NO6V Pomiary wykonano przy wykorzystaniu metody optycznej oraz metody elektrycznej dla różnych punktów pracy badanego tranzystora oraz dla różnych warunków jego chłodzenia. Wyznaczono także rozkłady temperatury na powierzchni struktury badanego elementu.
Rocznik
Tom
Strony
235--241
Opis fizyczny
Bibliogr. 10 poz.
Twórcy
autor
- Katedra Elektroniki Morskiej. Akademia Morska w Gdyni
autor
- Katedra Elektroniki Morskiej. Akademia Morska w Gdyni
autor
- Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych. Politechnika Łódzka
autor
- Katedra Elektroniki Morskiej. Akademia Morska w Gdyni
Bibliografia
- [1] Zarębski J.: Modelowanie, symulacja i pomiary przebiegów elektrotermicznych w elementach półprzewodnikowych i układach elektronicznych. Prace Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni, Gdynia, 1996.
- [2] Nowakowski A.: Badanie procesów termicznych w przyrządach półprzewodnikowych. Zeszyty Naukowe Politechniki Gdańskiej, nr 389, Elektronika LX, 1984.
- [3] Napieralski A.: Komputerowe projektowanie układów półprzewodnikowych mocy ze szczególnym uwzględnieniem ich właściwości termicznych. Zeszyty Naukowe Politechniki Łódzkiej, Nr 562, Łódź 1988.
- [4] Górecki K., Posobkiewicz K., Olszewski A., Pietrzak P.: Pomiary rozkładów temperatury w strukturach tranzystorów VDMOS. Mikroelektronika i Informatyka, Wydawnictwo Katedry Mikroelektroniki i Informatyki Politechniki Łódzkiej, Łódź, Nr 2, 2002, s. 15.
- [5] Górecki K, Zarębski J.: Pomiary rezystancji termicznej tranzystorów mocy z wykorzystaniem metod pirometrycznych. Pomiary, Automatyka, Kontrola PAK, Nr 1, 2003, s. 41.
- [6] Górecki K.: Elektrotermiczny makromodel tranzystora Darlingtona do analizy układów elektronicznych. Praca doktorska, Politechnika Gdańska, 1999.
- [7] Górecki K., Zarębski J.: Wyznaczanie parametrów modelu przejściowej impedancji termicznej tranzystora VDMOS. Mikroelektronika i Informatyka, Wydawnictwo Katedry Mikroelektroniki i Informatyki Politechniki Łódzkiej, Łódź, Nr 2, 2002, s. 23.
- [8] Górecki K, Zarębski J.: System mikrokomputerowy do pomiaru parametrów termicznych elementów półprzewodnikowych i układów scalonych. Metrologia i Systemy Pomiarowe, Nr 4, 2001, s. 379.
- [9] Górecki K, Zarębski J., Piotrowicz M.: Pomiary parametrów termicznych bipolarnego tranzystora małej mocy. Mikroelektronika i Informatyka, Nr 3, 2003, s. 55.
- [10] Górecki K, Zarębski J., Stepowicz W.J.: Wpływ wybranych czynników na parametry termiczne przyrządów półprzewodnikowych. Elektronika, Nr 10, 2005, s.18.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-LOD4-0002-0074