Pomiary rezystancji termicznej tranzystora MTD20N06V

• Autorzy: Górecki K. , Zarębski J. , Piotrowicz M. , Krupa J.
• Konferencja: Konferencja Katedry Mikroelektroniki i Technik Informatycznych Mikorzyn 2005
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Praca dotyczy pomiarów rezystancji termicznej tranzystora mocy MOS typu MTD20NO6V Pomiary wykonano przy wykorzystaniu metody optycznej oraz metody elektrycznej dla różnych punktów pracy badanego tranzystora oraz dla różnych warunków jego chłodzenia. Wyznaczono także rozkłady temperatury na powierzchni struktury badanego elementu.

Słowa kluczowe

PL

pomiary rezystancji termicznej tranzystorów

EN

thermal resistance; power transmitors measurements

• Wydawca: Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych Politechniki Łódzkiej
• Czasopismo: Mikroelektronika i Informatyka : prace naukowe
• Rocznik: 2005
• Tom: Z. nr 5
• Strony: 235--241
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz.

Twórcy

autor

Górecki K.

• Katedra Elektroniki Morskiej. Akademia Morska w Gdyni

autor

Zarębski J.

• Katedra Elektroniki Morskiej. Akademia Morska w Gdyni

autor

Piotrowicz M.

• Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych. Politechnika Łódzka

autor

Krupa J.

• Katedra Elektroniki Morskiej. Akademia Morska w Gdyni

Bibliografia

• [1] Zarębski J.: Modelowanie, symulacja i pomiary przebiegów elektrotermicznych w elementach półprzewodnikowych i układach elektronicznych. Prace Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni, Gdynia, 1996.
• [2] Nowakowski A.: Badanie procesów termicznych w przyrządach półprzewodnikowych. Zeszyty Naukowe Politechniki Gdańskiej, nr 389, Elektronika LX, 1984.
• [3] Napieralski A.: Komputerowe projektowanie układów półprzewodnikowych mocy ze szczególnym uwzględnieniem ich właściwości termicznych. Zeszyty Naukowe Politechniki Łódzkiej, Nr 562, Łódź 1988.
• [4] Górecki K., Posobkiewicz K., Olszewski A., Pietrzak P.: Pomiary rozkładów temperatury w strukturach tranzystorów VDMOS. Mikroelektronika i Informatyka, Wydawnictwo Katedry Mikroelektroniki i Informatyki Politechniki Łódzkiej, Łódź, Nr 2, 2002, s. 15.
• [5] Górecki K, Zarębski J.: Pomiary rezystancji termicznej tranzystorów mocy z wykorzystaniem metod pirometrycznych. Pomiary, Automatyka, Kontrola PAK, Nr 1, 2003, s. 41.
• [6] Górecki K.: Elektrotermiczny makromodel tranzystora Darlingtona do analizy układów elektronicznych. Praca doktorska, Politechnika Gdańska, 1999.
• [7] Górecki K., Zarębski J.: Wyznaczanie parametrów modelu przejściowej impedancji termicznej tranzystora VDMOS. Mikroelektronika i Informatyka, Wydawnictwo Katedry Mikroelektroniki i Informatyki Politechniki Łódzkiej, Łódź, Nr 2, 2002, s. 23.
• [8] Górecki K, Zarębski J.: System mikrokomputerowy do pomiaru parametrów termicznych elementów półprzewodnikowych i układów scalonych. Metrologia i Systemy Pomiarowe, Nr 4, 2001, s. 379.
• [9] Górecki K, Zarębski J., Piotrowicz M.: Pomiary parametrów termicznych bipolarnego tranzystora małej mocy. Mikroelektronika i Informatyka, Nr 3, 2003, s. 55.
• [10] Górecki K, Zarębski J., Stepowicz W.J.: Wpływ wybranych czynników na parametry termiczne przyrządów półprzewodnikowych. Elektronika, Nr 10, 2005, s.18.