Tytuł artykułu
Autorzy
Identyfikatory
Warianty tytułu
Konferencja
Konferencja Katedry Mikroelektroniki i Technik Informatycznych Mikorzyn 2005
Języki publikacji
Abstrakty
W artykule została zaprezentowana metoda uwzględnienia efektów SEU w symulacji układów cyfrowych modelowanych za pomocą języka VHDL. Przedstawiono bibliotekę funkcji i procedur SEUSIM realizujących obliczenia prawdopodobieństwa wystąpienia efektu SEU oraz zasady opisu modelu uwzględniającego występowanie SEU.
Słowa kluczowe
Rocznik
Tom
Strony
221--224
Opis fizyczny
Bibliogr. 4 poz.
Twórcy
autor
- Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych. Politechnika Łódzka
Bibliografia
- [1] Messenger G.C., Ash M.S.: „The Effects of Radiation on Electronic Systems", Van Nostrand Reinhold Company, New York, 1986
- [2] Peterson R. „Radiation-induced errors in memory chips", Brazilian Journal of Physics, vol. 33, no. 2, pp. 246-249, June 2003
- [3] Turowski M., Raman A., Mostrom M.: „Analysis of Ion-Strike Effects In Deep Submicron CMOS Devices" , 12th Int. Conf. MIXDES 2005, pp. 291-296, 2005.
- [4] Habinc S. & all: "Functional Triple Modular Redundancy (FTMR). VHDL Design Methodology for Redundancy in Combinatorial and Sequential Logic", EUROPEAN SPACE AGENCY, Design and Assessment Report December 2002
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-LOD4-0002-0071