Charge carrier conductivity mechanism for activated p-quaterphenyl layers

• Autorzy: Kania S.

Warianty tytułu

PL

Mechanizm przewodnictwa ładunku w aktywowanych warstwach p-czterofenylu

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Charge carrier conductivity mechanism for holes in activated p-quaterphenyl layers was investigated in this work. The results suggest that hopping transport through the localized states near the Fermi level dominate in those layers. The process of activation leads to the growth of the dc conductivity in aromatic hydrocarbons and this is the reversible process. This suggest the possibility to utilize in practice.

PL

Badano proces aktywacji i proces transportu dziur w warstwach p-czterofenylu. Uzyskane wyniki zdają się sugerować, że mamy tu do czynienia, z jako dominującym transportem, z transportem hoppingowym poprzez stany zlokalizowane w pobliżu poziomu Fermiego. Zależność procesów przewodnictwa od stężenia par aktywatora i odwracalność procesu może sugerować pewne możliwości utylitarne.

Słowa kluczowe

EN

polycrystalline; p-quaterphenyl films; activation process; hole mobility; carrier transport

PL

p-czterofenyl; warstwy; proces aktywacji; ruchliwość dziur; transport nośników ładunku

• Wydawca: Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
• Czasopismo: Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology
• Rocznik: 2006
• Tom: Vol. 27
• Strony: 23--34
• Opis fizyczny: Bibliogr. 19 poz.

Twórcy

autor

Kania S.

• Institute of Physics, Technical University of Łódź, Wólczańska 219, 93-005 Łódź

Bibliografia

• [1] Silinsh E.A.: Organic Molecular Crystals, Their Electronic States, (Springer-Verlag, Berlin, 1980).
• [2] Pope M., Swenberg C.E.: Electronic Processes in Organic Crystals, (Clarendon Press, Oxford, 1982).
• [3] Silinsh E.A., Capek V.: Organic Molecular Crystals, Interaction, Localization and Transport Phenomena, (American Institute of Physics, New York, 1994).
• [4] Karl N.: J. Crystal Growth 99, (1990) 1009.
• [5] Karl N., Marktanner J., Stehle R., Warta W.: Synthetic Metals 41-43, (1991) 2473.
• [6] Warta W., Karl N.: Phys. Rev. B 32, (1985) 1172.
• [7] Warta W., Stehle R., Karl N.i Appl. Phys. A 36, (1985) 163.
• [8] Karl N.: Organic Semiconductors, in: Landolt-Bornstein, Group III, vol. 17, Semiconductors, (Springer, Berlin, 1985), pp. 106-218.
• [9] Mycielski W.: J. Non-Cryst. Solids, 37, (1980) 267.
• [10] Kania S., Kondrasiuk J., Bąk G.W.: Proc. SPIE. 3179, (1997) 190.
• [11] Kania S., Kondrasiuk J., Bąk G.W.: Molecular Physics Reports, 25, (1999) 93.
• [12] Emoto N., Kotani ML: Chem. Phys. Lett, 101, (1983) 386.
• [13] Wagner G. et. AL: Mol. Cryst. Liq. Cryst., 118, (1985) 85.
• [14] Pron A., Billaud D., Lefrant S.: Wiss. Berichte Ak. Der Wiss. Der DDR, 29, (1984)27.
• [15] Kispert L.D., et al.: Mol. Cryst. Liq. Cryst., 118, (1985) 313.
• [16] Kania S., Kondrasiuk J., B^k G.W.: Mol. Phys. Reports, 25, (1999) 93.
• [17] Kania S.: Sci. Bull. Lodz Technical University, 2002, No. 914 Physics, vol. 22, 31.
• [18] Kania S., Kondrasiuk J., Bąk G.W.: Eur. Phys. J. E., 15, (2004) 439.
• [19] Kania S.: Visnyk of Lviv Univ. in press.