Organic field effect transistor with zinc phthalocyanine

• Autorzy: Metel E. , Jarosz G.

Warianty tytułu

PL

Organiczny tranzystor polowy z warstwą ftalocyjaniny cynku

• Konferencja: 15th Conference Molecular Crystals 2006
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Output characteristics of an organic field effect transistor with zinc phthalocyanine are presented. As a substrate highly conductive silicon wafers with an insulation layer of silicon dioxide (SiO2) on the top and gold source-drain electrodes on the SiO2 have been used. The field effect mobility of holes estimated from the lower range of source-drain voltage (linear regime) was 9x10-4 cm2/(Vs).

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań doświadczalnych organicznego tranzystora polowego z warstwą ftalocyjaniny cynku. Jako podłoża zastosowano wysoko domieszkowane wafle krzemu pokryte warstwą tlenku krzemu (IV) o grubości 100 nm, na którą techniką fotolitograficzną była naniesiona struktura elektrod (tzw. geometria dolnych kontaktów). Złote elektrody źródła i drenu tworzyły kanał o długości 5 µm (jest to odległość między elektrodą źródła i elektrodą drenu) i szerokości 1048 µm. Warstwy ftalocyjaniny cynku o grubości 60 nm naparowywano na podłoże ze średnią szybkością 0.1 Å/s pod wysoką próżnią (10-6 mbar). Pomiary prowadzono w temperaturze pokojowej w atmosferze powietrza. Obejmowały one zależności natężenia prądu źródło-dren w funkcji napięcia źródło-dren przy różnych stałych wartościach napięcia źródło-bramka. W obszarze liniowym charakterystyk wyznaczono kondunktację kanału tranzystora, na podstawie której następnie oszacowano ruchliwość dziur w badanych warstwach ftalocyjaniny cynku.

Słowa kluczowe

EN

organic field effect transistor; charge carrier mobility; zinc phthalocyanine

PL

tranzystor polowy organiczny; ruchliwość nośników; nośnik ładunku; ftalocyjanina cynku

• Wydawca: Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
• Czasopismo: Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology
• Rocznik: 2006
• Tom: Vol. 26
• Strony: 67--71
• Opis fizyczny: Bibliogr. 14 poz.

Twórcy

autor

Metel E.

autor

Jarosz G.

• Department of Physics of Electronic Phenomena, Faculty of Applied Physics and Mathematics, Gdańsk University of Technology, ul. G. Narutowicza 11/12, 80-952 Gdańsk

Bibliografia

• [1] Horowitz G. J. Mater. Res. 19 (2004) 1946.
• [2] Dimitrakopoulos C. D., Mascaro D. J. IBM J. Rev. & Dev. 45 (2001) 11.
• [3] Guillaud G., Ben Chaabane R., Jouve C, Gamoudi M. Thin Solid Films 258 (1995) 279.
• [4] Sworakowski J., Ułański J. Annu. Rep. Próg. Chem., Sect. C 99 (2003) 87.
• [5] Podzorov V., Menard E., Borissov A., Kiryukhin V., Rogers J. A., Gershenson M. E. Phys. Rev. Lett. 93 (2004) 086602.
• [6] Crone B. K., Dodabalapur A., Sarpeshkar R., Filas R. W., Lin Y.-Y., Bao Z., O'Neill J. H., Li W., Katz H. E. J. Appl. Phys. 89 (2001) 5125.
• [7] Torsi L., Cioffi N., Di Franco C, Sabatini L., Zambonin P. G., Bleve-Zacheo T. Sol.-State Electron. 45 (2001) 1479.
• [8] Horowitz G. Adv. Mater. 10 (1998) 365.
• [9] Karl N. in Organic Electronic Materials, Farchioni R., Grosso G. (Eds.), Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2001, Chap.8.
• [10] Gray P. E., Searle C. L. Electronic Principles: Physics, Models, and Circuits, John Wiley& Sons, INC. 1969, Chap. 9.
• [11] Maennig B., Pfeiffer M., Nollau A., Zhou X., Leo K. Phys. Rev. B 64 (2001) 195208.
• [12] Boer R.W.I., Stassen A. F., Cradun M. F., Mulder C. L., Molinari A., Rogge S., Morpurgo A. F. Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 262109.
• [13] Saleh A. M., Abu-Hilal A. O., Gould R. D. Curr. Appl. Phys. 3 (2003) 345.
• [14] Jarosz G., Quinn P. D., Stephan N., Brehmer L. Thin Solid Films 474 (2005) 301.