PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Electroforming and electroerosion of DLC films in cold electron emission process

Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
PL
Elektroformowanie i elektroerozja warstw DLC w procesie zimnej emisji polowej
Konferencja
15th Conference Molecular Crystals 2006
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
Diamond-like carbon films were deposited onto silicon substrates by RF PCVD technique. The measurements of the emission current carried out in vacuum using diode configuration system. SEM examinations carried out after current emission measurements indicate on a defect of DLC surface morphology. The analysis both no defected and defected areas of DLC films during film emission measurements was made by Raman Spectroscopy technique. The Raman spectra showed sharp peak of amorphous silicon and no peaks characteristic for DLC films D and G bands in the damage region. The results indicate that DLC films may undergo electroforming and electroerosion processes during film emission measurements.
PL
Warstwy diamentopodobne osadzono na podłożu krzemowym przy użyciu techniki RF PCVD. Pomiary emisji wykonano w próżni 10-4 Pa, w układzie diodowym, w którym warstwa DLC stanowiła katodę. W trakcie emisji elektronów może zachodzić lokalne przegrzanie materiału, prowadzące, w kolejnych cyklach pomiarowych, do odparowania, bądź sublimacji warstwy DLC i zdefektowania jej powierzchni. Do analizy niezdefektowanych oraz zdefektowanych obszarów warstw DLC użyto spektroskopii Ramana oraz mikroskopii elektronowej SEM.
Rocznik
Tom
Strony
55--60
Opis fizyczny
Bibliogr. 9 poz.
Twórcy
autor
  • Institute of Science and Engineering, Technical University of Łódź, 90-924 Łódź, Stefanowskiego 1, djar@p.lodz.pl
Bibliografia
  • [1] Obraztsov A.N., Zakhidov Al.A., Diamond Relat. Mater., 13 (2004) 1044.
  • [2] Xu N.S., Huq S.E., Materials Sei. Eng. R, 48 (2005) 47.
  • [3] Zhu W., Kochanski P.G., Jin S., Seibles L., J.Vac. Sei. Technol. B, 14 (1996) 2011.
  • [4] Gröning O., Küttel O.M., et al., J. Vac. Sei. Technol. B., 17 (1999) 1064.
  • [5] Geis M.W., Twichell J.C., et al, Appl. Phys. Lett., 67 (1995)1328.
  • [6] Fowler R. H., Nordheim L., Proc. Roy. Soc. Lon. Ser. A., 119, (1928), 173.
  • [7] Gröning O., Kuttel O.M., Gröning P., Schlapbach L., Appl. Surface Sei., 111, (1997), 135.
  • [8] Forbes R., Solid State Electronics, 45 (2001), 779.
  • [9] Znamirowski Z., Staryga E., Jarzyńska D., Nikliborc K., Karczemska A., Green M., Proc. International Conference 4-th Nanodiamond and Related Materials jointly with 6-th Diamond and Related Films, Zakopane, Poland, 28 June - 1 July, (2005), 149.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-LOD3-0002-0007
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.