Impedancje i składowe prądu zaburzeń w obwodach z łącznikami półprzewodnikowymi

• Autorzy: Fagiewicz K.

Warianty tytułu

EN

Impedances and disturbance current components in the circuits with semiconductor switches

• Konferencja: Krajowe Sympozjum : Kompatybilność Elektromagnetyczna w Elektrotechnice i Elektronice EMC'05 (IV ; 2005 ; Łódź, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W referacie przedstawiono pewien sposób określenia impedancji i składowych prądu zaburzeń dla przypadku obwodu z łącznikiem półprzewodnikowym. Określono charakterystykę częstotliwościową impedancji obciążenia i impedancję wewnętrzną źródła oraz rozpływ składowych prądu zaburzeń. Zaprezentowano wynik obliczeń dla pewnego przypadku obwodu. We wnioskach omówiono wpływ przyjętego układu zastępczego źródła zaburzeń oraz częstotliwości charakterystycznej na skuteczność tłumienia składowej symetrycznej i niesymetrycznej prądu zaburzeń.

EN

A method of determination of an impedance and disturbance current components in case of the circuit containing semiconductor switch is presented in the paper. The load impedance and the internal impedance of the source as well as the disturbance current components distribution have been determined. Results of calculations for a certain circuit are presented. An influence of the assumed equivalent system of the source of disturbance and the characteristic frequency on the suppression effectiveness of symmetrical and asymmetrical components of the disturbance current is discussed in the conclusion.

Słowa kluczowe

PL

impedancja; prąd zaburzeń; łączniki półprzewodnikowe

EN

impedance; disturbance current; semiconductor switches

• Wydawca: Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
• Czasopismo: Zeszyty Naukowe. Elektryka / Politechnika Łódzka
• Rocznik: 2005
• Tom: z. 103
• Strony: 111--120
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz.

Twórcy

autor

Fagiewicz K.

• Politechnika Gdańska, Katedra Energoelektroniki i Maszyn Elektrycznych

Bibliografia

• [1] Fagiewicz K. Napięcia zakłóceń w obwodach łączników półprzewodnikowych. Zeszyty Naukowe Politechniki Łódzkiej. Konferencja EMC'03. s. 39-48.
• [2] Fagiewicz K. Wpływ sterowania fazowego łączników półprzewodnikowych na charakterystyki widmowe przebiegów zaburzających. Wiadomości Elektrotechniczne 2004 R. nr 12 s. 11-13.
• [3] Fagiewicz K. Wpływ opóźnień wnoszonych przez łączniki półprzewodnikowe na zaburzenia w układach energoelektronicznych. Przegląd Elektrotechniczny. 2004 r. nr 10 s. 956-961.
• [4] PN-CISPR 16 - 1/2 1999. Kompatybilność Elektromagnetyczna. Wymagania dotyczące urządzeń i metod pomiarów zaburzeń radioelektrycznych i odporności na zaburzenia radioelektryczne. Urządzenia do pomiarów zaburzeń radioelektrycznych i odporności na zaburzenia radioelektryczne.