Identyfikatory
Warianty tytułu
Silicon carbide - new material of microelectronics
Języki publikacji
Abstrakty
Pierwsza fala zainteresowania węglikiem krzemu jako materiałem dla mikroelektroniki pojawiła się około 30 lat temu wraz z uzyskaniem pierwszych danych o jego unikatowych i pożądanych właściwościach fizycznych i elektrycznych. Posiada on dużą przerwę energetyczną co czyni z niego materiał wysokotemperaturowy, posiada ponadto dużą prędkość nasycenia unoszenia, duże dopuszczalne natężenie pola elektrycznego i dużą przewodność cieplną. Jest to jednak materiał bardzo trudny technologicznie i dopiero opanowanie w latach 90-tych techniki wytwarzania monokryształów o odpowiednio dużych wymiarach wywołało ponowny renesans zainteresowania SiC jako materiałem wyjściowym do produkcji szeregu przyrządów półprzewodnikowych.
The first interest in silicon carbide as a material for microelectronics appeared 30 years ago when the first data showing its unique and desired physical and electrical features had been achieved. It is characterized by a wide energy band gap, what makes it a high-temperature semiconductor, a high saturation drift velocity of electrons, high permissible electrical field and, additionally, by high thermal conductivity. Its technology appeared, however, to be difficult and therefore only when the technology of large SiC monocrystals had been improved, in nineties the come-back of the interest in SiC as the basic material for manufacturing of several semiconductor devices has been observed. The review of the actual state of testing the possibilities to apply the silicon carbide in microelectronics has been introduced here. The specificity of this material has been shown; it is met in various crystallographic forms and creates crystals that show anisotropy and different electrical, and physical parameters' values. Among these species only 6H-SiC and 4H-SiC polytypes gained significant importance and are applied to manufacture experimental structures of semiconductor devices. Some examples of such devices have been introduced as well.
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
223--241
Opis fizyczny
Bibliogr. 60 poz.
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-LOD1-0026-0032
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.