Przełączanie tranzystorów IGBT w podstawowych układach sterowania i obciążenia

• Autorzy: Pawelski W.

Warianty tytułu

EN

Switching processes of the IGBT transistors in basic control and load circuits

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono problematykę przełączania łącznika tranzystorowego IGBT w obwodach obciążenia rezystancyjnych, indukcyjnych (RL) oraz indukcyjnych z diodą rozładowującą (RLD) z uwzględnieniem zróżnicowanych warunków sterowania. Zwrócono szczególną uwagą na oddziaływanie zwrotne obwodu obciążenia na obwód sterowania, które jest szczególnie wyraźne w tego rodzaju łącznikach. Właściwości te zostały zilustrowane symulacjami z zastosowaniem nowego modelu IGBT, opracowanego przez autora. Zamieszczone symulacje potwierdzają przydatność tego modelu, implementowanego w symulatorach środowiska SPICE, do badania i projektowania złożonych układów elektronicznych mocy z tranzystorami IGBT.

EN

The influence of the parameters of direct gate control circuit on the propriety and switching parameters in load circuits of various characters are analysis and described. It is a question of influencing of control on the parameters in steady states and switching waveforms of the IGBT as a switch. They decided about switching times, power losses, overvoltages and result about the maximum loading capacity of that device in evidence condition of the work. The analysis and simulations including in this work can be the base to determine of the designation methods of the IGBT gate circuit. The selection of parameters of that circuit give for designer the valuable chance of the aware and active influence on the switching processes in power electronic circuits. In particular it affect of the switching speed and connected with him the great rate of slope of the currents and voltages in load circuit. New circuit-oriented IGBT transistor model has been used in this work for perform simulation analysis. For its application in this role enable its experimentally verified good accuracy of fit of the real characteristic and waveforms.

Słowa kluczowe

PL

tranzystor IGBT; przełączanie; układ sterowania; układ obciążenia; układy elektroniczne mocy

EN

IGBT transistor; switching processes; load circuit; basic control; power electronic circuits

• Wydawca: Politechnika Łódzka, Instytut Elektroniki
• Czasopismo: Elektronika : prace naukowe
• Rocznik: 2002
• Tom: nr 7
• Strony: 95--119
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz.

Twórcy

autor

Pawelski W.

• Institute of Electronics, Technical University of Łódź,

Bibliografia

• [1] Pawelski W.: Sterowanie tranzystorów IGBT: Wyd. PŁ, 2001, ISBN 83-7283- 048-7
• [2] Pawelski W.: Analiza porównawcza właściwości modeli tranzystorów IGBT w symulatorach środowiska SPICE, 2000, Elektronika - Prace Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Elektroniki PŁ, zeszyt nr.5, pp.97-15
• [3] Intematonal Standard CEI IEC 60747-9 Part.9 Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBT), 1998
• [4] Clemente S., Pelly B.R., Isidori A.: Understanding HEXFET8 Switching Perfo- rence, HEXFET Data Book 1983, Application Note 942, pp.A-65-A79
• [5] ICAP/4 - IsSpice 4 user's guide Intusoft 1998.