Modelling of power Schottky diodes with thermal effects taken into account

• Autorzy: Dąbrowski J.

Warianty tytułu

PL

Modelowanie diod Schottky'ego mocy z uwzględnieniem efektów termicznych

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The dissertation deals with the problem of modelling and analysis in SPICE of thermal effects influence on properties of power Schottky diodes made of different semiconductor materials, i.e. silicon, gallium arsenide and silicon carbide. The electrothermal model (ETM) of the investigated diodes was formulated and experimentally verified. The proper procedure of parameter estimation for the elaborated model was carried out. The evaluation of accuracy and examination of usefulness of the elaborated model have been performed by comparison of characteristics of the power Schottky diodes: measured and calculated by worked out the electrothermal model.

PL

Przedmiotem pracy są diody Schottky'ego mocy wykonane z krzemu, arsenku galu oraz węglika krzemu, wytwarzane przez czołowych producentów elementów elektronicznych. W pracy sformułowano i eksperymentalnie zwery fikowano uniwersalny model elektrotermiczny diody Schottky'ego mocy, słuszny dla diod wykonanych z różnych materiałów półprzewodnikowych, uwzględniający wpływ zjawiska samonagrzewania na parametry i charaktery styki tych diod. Model ten sformułowano w postaci akceptowalnej przez pro gram SPICE (PSPICE) oraz opracowano procedurę estymacji parametrów tego modelu. Przeprowadzono eksperymentalną weryfikację dokładności modelu zaproponowanego w pracy oraz oceniono jego przydatność w analizie układów elektronicznych zbudowanych z zastosowaniem diod Schottky`ego mocy.

Słowa kluczowe

EN

Schottky diode; power Schottky diodes; SPICE; semiconductor diodes; modelling of diodes

PL

dioda Schottky'ego; diody Schottky'ego mocy; program SPICE; diody z materiałów półprzewodnikowych; modelowanie diod

• Wydawca: Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
• Czasopismo: Zeszyty Naukowe. Elektryka / Politechnika Łódzka
• Rocznik: 2008
• Tom: z. 113
• Strony: 39--44
• Opis fizyczny: Bibliogr. 13 poz.

Twórcy

autor

Dąbrowski J.

• Gdynia Maritime University, Department of Marine Electronics,

Bibliografia

• [1] Kapels H., Rupp R., Lorenz L., Zverev L: SiC Schottky Diodes: A Milestone Hard Switching Applications, PCIM 2001.
• [2] Benda V., Gowar J., Grant DA.: Power Semiconductor Devices - Theory and Applications, John Wiley & Sons Ltd., 1999.
• [3] http://www.onsemi.com/PowerSolutions/product.do?id=MBR40250.
• [4] Zverev L, Treu M., Kapels H., Hellmund O., Rupp R.: SiC Schottky Rectifiers: Performance, Reliability and Key Applications, EPE Conf.Proc, Graz, August 2001.
• [5] http://www.cree.com/products/power_docs.htm.
• [6] Zarębski J.: Modelowanie, symulacja i pomiary przebiegów elektrotermicznych elementach półprzewodnikowych i układach elektronicznych, Wyższa Szkoła Morska w Gdyni, Gdynia 1996.
• [7] PSpice Reference Guide, Product Version 10.0, June 2003, pp. 146-151.
• [8] Shur M.: Introduction to Electronic Devices, John Wiley & Sons, Inc., 1996.
• [9] http://www.infineon.com: Psice_SiC_L3_2.zip.
• [10] Zarębski J., Dąbrowski J.: Modelling Power Schottky Diodes. International Conference "Modern Problems of Radio Engineering, Telecommunications and Computer Science", TCSET, Lviv-Slavsko, Ukraine, February 2006, pp. 90-93.
• [11] Zarębski J., Dąbrowski J.: D.C. Characteristics of SiC Power Schottky Diodes Modelling in SPICE. Informacje MIDEM, Vol. 36, No. 3, September 2006, pp. 123-126.
• [12] Dąbrowski J.: Modelowanie diod Schottky'ego mocy z uwzględnieniem efektów termicznych, rozprawa doktorska, Politechnika Łódzka, Łódź 2007.
• [13] Górecki K., Zarębski J.: Estymacja parametrów modelu termicznego elementów półprzewodnikowych. Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji, nr 3,2006, pp. 347.