Numeryczny model struktury SMIS

• Autorzy: Lisik Z. , Rosowski A.

Warianty tytułu

EN

Numerical model of SMIS structure

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule zaprezentowane zostały wyniki symulacji statycznych nowej struktury półprzewodnikowej SMIS oraz jej modyfikacji. Strukturę tę należy zaliczyć do grupy przyrządów unipolarnych z izolowaną bramką, które wykorzystują własności prostujące złącza metal - półprzewodnik. W pracy zaprezentowane zostały podstawowe charakterystyki badanego przyrządu SMIS i jego modyfikacji oraz wpływ parametrów konstrukcyjnych na nie. Omówione zostały także podstawowe zjawiska fizyczne istotne dla tej struktury. Otrzymane wyniki zostały zestawione z symulacjami klasycznej struktury tranzystora MOS o analogicznych parametrach konstrukcyjnych.

EN

This paper presents simulation of SMIS (Schotty MISFET) and SB-MOS (Schottky Barrier MOS). The SMIS structure replaces the doped source and ohms contact of conventional MOS with contact with Schottky barrier. On the basic of the SMIS structure are made a new semiconductor power device - SV MOS (Schottky Vertical MOS). The SB-MOS structure replaces the doped source and drain and ohms contact with contact with Schotty Barrier. This simple change provides numerous performance, manufacturability and cost advantages compared to competing silicon MOS architecture. This architecture provides numerous and broad benefits, which are highly relevant considering the industry's roadmap and technology challenges in both the near and long term. Technology benefits include scalability to the sub-10nm channel length regime. Remarkably, this is accomplished using a manufacturing process that is simpler and requires fewer masks than conventional silicon CMOS, a feature not found in other competing transistor technologies.

Słowa kluczowe

PL

struktury SMIS; przyrządy półprzewodnikowe; przyrządy unipolarne; symulacje numeryczne

• Wydawca: Politechnika Łódzka, Instytut Elektroniki
• Czasopismo: Elektronika : prace naukowe
• Rocznik: 2005
• Tom: nr 10
• Strony: 79--96
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz.

Twórcy

autor

Lisik Z.

• Institute of Electronics, Technical University of Łódź, 223 Wólczańska, 90-924 Łódź, Poland tel. [phone]

autor

Rosowski A.

• Institute of Electronics, Technical University of Łódź, 223 Wólczańska, 90-924 Łódź, Poland tel. [phone]

Bibliografia

• [1] Larson J., Synder J., Schottky Barrier CMOS, Spinnaker Semiconductor 2003.
• [2] LilenfeldI.E., U. S. Patent 1,745,175, 1930.
• [3] Lepselter M. P., Sze S. M., SB-IGFET: an insulated-gate field-effect transistor using Schottky-barrier contacts for source and drain, Proc. IEEE, Vol.56, 1968.
• [4] Podgórski J., Lisik Z. Szmidt J., SMIS - nowa struktura unipolarna, Proc. ELTE 2000.
• [5] Rosowski A., Owczarek M., Podgórski J., TCAD jako profesjonalne narzędzie do symulacji przyrządów półprzewodnikowych, II Sympozjum Modelowanie i Symulacja Komputerowa w Technice, Łódź 2003.
• [6] Szmidt J., Raport z pomiarów tranzystora MIS z bramką Schottky'ego (SMIS), IMIO PW, Warszawa 1998.
• [7] http://www.iemn.univ-lillel .fr/sites j>erso/baie/