Małosygnałowa elektrotermiczna admitancja wyjściowa tranzystora MOS dla małych częstotliwości

• Autorzy: Stepowicz W. J.

Warianty tytułu

EN

The nonisothermal small-signal output admittance of MOS transistors at low frequencies

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule omówiono wpływ zjawiska samonagrzewania oraz inercji termicznej na małosygnałową elektrotermiczną admitancję wyjściową tranzystora MOS w zakresie małych i bardzo małych częstotliwości, w którym można pominąć inercję elektryczną elementu, modelowaną przez odpowiednie pojemności elektryczne. Rozważania teoretyczne zilustrowano wynikami obliczeń charakterystyki amplitudowej i fazowej omawianej admitancji dla typowego tranzystora mocy MOS.

EN

In this paper the influence of the self-heating phenomenon and thermal inertia on the nonisothermal small-signal output admittance of MOS transistors is analyzed. The analysis concerns the very low frequency range, where electrical inertia modeled by electrical capacitances can be neglected. The theoretical considerations are illustrated by the computation results of the amplitude and phase characteristics of the mentioned admittance for a typical MOS transistor.

Słowa kluczowe

PL

elektronika; samonagrzewanie; inercja termiczna; tranzystor MOS

EN

electronics; self-heating; thermal inertia; MOS transistor

• Wydawca: Wydawnictwo Uniwersytetu Morskiego w Gdyni
• Czasopismo: Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni
• Rocznik: 2008
• Tom: nr 59
• Strony: 101--104
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., rys.

Twórcy

autor

Stepowicz W. J.

• Katerdra Elektroniki Akademia Morska w Gdyni

Bibliografia

• 1. Jankę W., Modele elektrotermiczne elementów półprzewodnikowych, Zeszyty Naukowe Politechniki Gdańskiej, seria Elektronika, zeszyt LVII, 1984.
• 2. Marciniak W., Przyrządy półprzewodnikowe MOS, WNT, Warszawa 1991.
• 3. Stepowicz W.J., Zarębski J., Influence of selfheating on low-voltage gain of the amplifier with the BJT, 12-th European Conference on Circuit Theory and Design, ECCTD'95, Istanbul, Vol. 2, 1995.
• 4. Stepowicz W.J., Zarębski J., Nieizotermiczne parametry malosygnalowe elementów elektronicznych, Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji, tom 44, 1998, zeszyt 3.
• 5. Zarębski J., Modelowanie, symulacja i pomiary przebiegów elektrotermicznych w elementach półprzewodnikowych i układach elektronicznych, Prace Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni, Gdynia 1996.