Wyniki pomiarów parametrów termicznych tranzystorów GaAs oraz SiC MESFET

Zarębski, J.; Bisewski, D.; Gimbut, M.; Liżewski, Ł.

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

Wyniki pomiarów parametrów termicznych tranzystorów GaAs oraz SiC MESFET

Autorzy

Zarębski J. , Bisewski D. , Gimbut M. , Liżewski Ł.

Wybrane pełne teksty z tego czasopisma

http://zeszyty.umg.edu.pl/

Identyfikatory

Warianty tytułu

Results of thermal properties of a MESFET

Języki publikacji

Abstrakty

W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów rezystancji termicznej oraz przejściowej impedancji termicznej tranzystorów MESFET mocy wykonanych z różnych materiałów półprzewodnikowych. Pomiary przeprowadzono z wykorzystaniem opracowanego w Katedrze Elektroniki Morskiej Akademii Morskiej w Gdyni komputerowego systemu pomiarowego. Do badań wybrano wykonany z arsenku galu tranzystor MESFET o symbolu NE650103M (California Eastern Laboratories) oraz wykonany z węglika krzemu tranzystor o symbolu CRF24010 (Cree Inc.). Ponadto dla rozważanych elementów półprzewodnikowych zbadano wpływ temperatury otoczenia oraz mocy cieplnej wydzielanej w tych elementach, zarówno na wartości rezystancji termicznej złącze-otoczenie, jak i na wybrane parametry występujące w modelu przejściowej impedancji termicznej.

In the paper results of measurements of the thermal parameters of the gallium arsenide and silicon carbide power MESFETs operating at different cooling conditions, are presented. Measurements were performed by computer-aided measurement system, based on literature pulsed-electrical method. The influences of the ambient temperature and the dissipated power on the thermal parameters of the transistors were examined.

Słowa kluczowe

elektronika tranzystory MESFET półprzewodniki

electronics MESFET transistors semiconductors

Wydawca

Wydawnictwo Uniwersytetu Morskiego w Gdyni

Czasopismo

Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni

Rocznik

2008

Tom

nr 59

Strony

26--38

Opis fizyczny

Bibliogr. 21 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Zarębski J.

autor

Bisewski D.

autor

Gimbut M.

autor

Liżewski Ł.

Katerdra Elektroniki Akademia Morska w Gdyni

Bibliografia

1. Bisewski D., Dąbrowski J., Zarębski J., Komputerowy system do pomiaru przejściowej impedancji termicznej półprzewodnikowych elementów mocy, XIII Konferencja Zastosowania Komputerów w Elektrotechnice ZKwE, Poznań 2008.
2. Bisewski D., Zarębski ., Measurements of transient thermal impedance of MESFETs, X International Conference Modern Problem of Radio Engineering, Telecommunications and Computer Science, TCSET'2008, Slavsko 2008, p. 213-210.
3. Bisewski D., Zarębski J., Gimbut M., Liżewski L., Wyniki pomiarów parametrów termicznych :ranzystorów GaAs- oraz SiC-MESFET, Raport Katedry Elektroniki Morskiej nr NB.04/2008, Gdynia 2008.
4. Blackburn D.L., Octtinger F.F., Transient Thermal Response Measurement of Power Transistors, IEEE Transactions on Industrial Electronics and Control Instrumentation, 1975, Vol. IECI-22, No. 2, p. 134-141.
5. Dąbrowski J., Modelowanie diod Scliottky'ego mocy z uwzględnieniem efektów termicznych, Prace Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni, Gdynia 2007.
6. Estreich D.B., A DC Technique for Determining GaAs MESFET Thermal Resistance, IEEE transactions on Components, Hybrids, and Manufacturing Technology, 1989, Vol. 12, No. 4,p. 67-69.
7. Górecki K., Zarębski J., Estymacja parametrów modelu termicznego elementów półprzewodnikowych, „Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji", 2006, nr 3.
8. Górecki K., Zarębski J., System mikrokomputerowy do pomiaru parametrów termicznych elementów półprzewodnikowych i układów scalonych, Metrologia i Systemy Pomiarowe, 2001,t. 8, nr 4.
9. Hammache M., Brassard G., Bouchard M., Beauregard F., Akyel C., Ghannouchi F.M., Thermal Characterization of MESFET's using I-Vpulsed and DC Measurements, IEEE Instrumentation and Measurement Technology Conference Ottawa, Canada 1997, p. 664-667.
10.High-Frequency Transistor Primer, Part III-A, p. 5-14, materiały dostępne na stronie Hewlett Packard: http://www.secomtel.com/UpFilesPDF/PDF/Agilent/PDF_DOCS/SILTRANS/04_SLTRN/5968l41l.pdf.
11.Jankę W., Zjawiska termiczne w elementach i układach półprzewodnikowych, Wydawnictwa Naukowo-Techniczne, Warszawa 1992.
12.Karta katalogowa tranzystora GaAs MESFET NE650103M dostępna na stronie: http://www.cel. com/pdf/datasheets/ne650103.pdf.
13.Karta katalogowa tranzystora SiC MESFET CRF24010F dostępna na stronie: http://www.cree. com'Products/pd f/CR F24010-Rev _8.
14.Napieralski A., Zarębski J., Górecki K., Furmańczyk M., Pomiar rezystancji i przejściowej impedancji termicznej inteligentnego układu scalonego MOS mocy, Zeszyty Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni, Gdynia 1998, nr 34.
15.Siegal B.S., A proposed method for testing thermal resistance of MESFETs, Microwave Systems News, 1977, Vol. 7, p. 67-69.
16.Stephens C.E., Sinnadurai F.N., A surface temperature limit detector using nernatic liquid crystals with an application to microcircuits, Journal of Physics E: Scientific Instruments, 1974, Vol. 7, No. 8, p. 641-643.
17.Walshak L.G., Poole W.E., Thermal resistance measurement by IR scaning, Microwave Journal, 1977, Vol. 16, p. 62-65.
18.Zarębski J., Modelowanie, symulacja i pomiary przebiegów elektrotermicznych w elementach półprzewodnikowych i układach elektronicznych, Prace Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni, Gdynia 1996.
19.Zarębski J., Tranzystory MOS mocy, Fundacja Rozwoju Akademii Morskiej w Gdyni, Gdynia 2007.
20.Zarębski J., Górecki K., Mikrokomputerowy system pomiarowy do wyznaczania rezystancji termicznej tranzystora bipolarnego, „Pomiary, Automatyka, Kontrola", 1993, nr 9.
21.Zarębski J., Górecki K., System mikrokomputerowy do pomiaru rezystancji termicznej elementów półprzewodnikowych metodami impulsowymi, „Metrologia i Systemy Pomiarowe", 1993, nr 16.

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-article-BWM7-0003-0049