Koncepcja metody charakteryzacji diod Schottky'ego na zakres fal milimetrowych

• Autorzy: Chramiec J.

Warianty tytułu

EN

A concept of mm-wave Schottky diode characterisation method

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Dzięki daleko posuniętej miniaturyzacji monolityczne mikrofalowe diody Schottky'ego z wyprowadzeniami belkowymi wykazują szczególnie małe wartości pasożytniczych elementów reaktancyjnych. W artykule przedstawiono propozycję procedury pomiarowo-obliczeniowej, mającej na celu identyfikację układu zastępczego takich diod przeznaczonych do pracy w zakresie fal milimetrowych. Oryginalnym elementem tej propozycji jest układ pomiarowy, umożliwiający wykonywanie pomiarów rezonansowych, impedancyjnych oraz transmisyjnych. Dzięki temu możliwa jest ekstrakcja wartości poszczególnych elementów układu zastępczego diody ze szczególnym uwzględnieniem pasożytniczych pojemności i indukcyjności. Podano zależności służące do opracowania wyników pomiarów rezonansowych. Dokonano również obliczeniowej weryfikacji poszczególnych pomiarów, potwierdzając poprawność koncepcji oraz użyteczność symulacji pomiarów przy planowaniu eksperymentów i opracowaniu ich wyników.

EN

An experimental and computational procedure of mm-wave beam-lead Schottky barrier diodes characterisation has been proposed. It has been based on a novel design of the diode mounting circuit which enables resonance, reflection and transmission measurements on the device in question. Computational verification of particular experiments has been also done with results supporting the validity of the proposed approach.

Słowa kluczowe

PL

elektronika; diody Schottky'ego; układ pomiarowy

EN

electronics; Schottky diodes; measuring system

• Wydawca: Wydawnictwo Uniwersytetu Morskiego w Gdyni
• Czasopismo: Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni
• Rocznik: 2008
• Tom: nr 59
• Strony: 14--25
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Chramiec J.

• Katerdra Elektroniki Akademia Morska w Gdyni

Bibliografia

• 1. Archer J.W., Batchelor R.A., Smith C.J., Low-Parasitics Planar Scliottky Diodes for Millimeter-Wave integrated Circuits, IEEE Trans., MTT, 1990, Vol. 38, No. 1, p. 15.
• 2. Chramiec J., Janiczak B., Komisarczuk J., Piotrowski J.K., Gwarek W., CAD Models of Connectors and Transitions Used In Hybrid Microwave Integrated Circuits, Proceedings 2SIh European Microwave Conference, 1998, Vol. I, p. 457.
• 3. Faber M.T., Chramiec J., Adamski M.E., Microwave and Millimeter-Wave Diode Frequency Multipliers, Artech House 1995.
• 4. Garfield D.G., Mattauch R.J., Weinreb S., RF Performance of a Novel Planar Millimeter-Wave Diode Incorporating an Etched Surface Channel, IEEE Trans. MTT, 1991, Vol. 39, No. I, p. 1.
• 5. M/A-COM, CaAs Beam Lead Scliottky Barier Diodes, http://www.macom.com.
• 6. Wadell B.C., Transmission Line Design Handbook, Artech House 1991.